公开(公告)号：CN101286442B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200810088667.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田中好一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。

公开(公告)号：CN101174659B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200710185124.1

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02B10/10 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；形成透明导电性膜于透明绝缘性基板的表面的工序；于该单晶硅基板的离子注入面及/或该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜的表面，进行表面活化处理的工序；贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板上的该透明导电性膜表面的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，形成单晶硅层的工序；以及于该单晶硅层形成pn结的工序。由此，提供一种单晶硅太阳能电池，于硅太阳能电池中，为了有效活用其原料(硅)而将光变换层制成薄膜，且变换特性优异，并且因光照射产生的劣化少，所以可使用作为住宅等的采光窗材料的透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN101286444B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810088669.5

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 川合信 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供一种SOI基板，其不会有起因于氧施体的生成所导致的电特性变动的疑虑。在贴合步骤中所使用的单晶硅基板10，是以红外线吸收法测得的晶格间氧浓度为1×1018cm-3以下的单晶硅基板。将单晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm-3以下的理由，是因为氧施体的形成程度与该晶格间氧浓度密切相关。若将结晶硅基板的晶格间氧浓度设为1×1018cm-3以下，SOI基板的硅层(SOI层)的电特性(电阻率)的变动，能够抑制在实用上不会有问题的程度。如此的单晶硅基板，通过对硅熔液施加磁场来控制其对流的MCZ法、或是通过没有使用石英坩埚的FZ法，能够容易地获得。

公开(公告)号：CN101990697A

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。

公开(公告)号：CN101286442A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810088667.6

申请日：2008-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  川合信 ,  飞坂优二 ,  田中好一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/76256 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种回蚀法薄膜化后的硅层的基板面内的膜厚均匀性和电阻率均匀性优异的SOI基板的制造方法。从单晶硅基板(10)的表面，注入硼离子，在最表面形成深度L的高浓度硼添加p层(11)，使单晶硅基板(10)和石英基板(20)在室温下密接而贴合。从单晶硅基板(10)的背面，施行化学蚀刻，使其厚度为L以下。对所得到的SOI基板，在含氢气氛中施行热处理，使硼从高浓度硼添加p层(11)向外方扩散，得到期望电阻值的硼添加p层(12)。在此热处理中，硅结晶内部的硼，以与环境中的氢结合的状态，扩散至结晶外，高浓度硼添加p层(11)内的硼浓度，逐渐降低。此时的热处理温度，由绝缘性基板的软化点，设为700～1250℃。

公开(公告)号：CN101256934A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810005732.4

申请日：2008-02-04

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge磊晶膜生长。在Ge磊晶膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge磊晶膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge磊晶膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。

公开(公告)号：CN101188258A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710193656.X

申请日：2007-11-23

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L31/036

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。

公开(公告)号：CN101188190A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710186484.3

申请日：2007-11-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。

公开(公告)号：CN101174596A

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200710185126.0

申请日：2007-10-30

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 伊藤厚雄 ,  秋山昌次 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  久保田芳宏

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/142

CPC classification number: H01L31/186 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；对该单晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方，进行表面活化处理的工序；以该进行表面活化处理后的面作为贴合面，来贴合该单晶硅基板的离子注入面与该透明绝缘性基板的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；以及在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。

公开(公告)号：CN117980819A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280063585.4

申请日：2022-08-03

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  簗瀬优 ,  竹内彩乃 ,  西村晃范

IPC: G03F1/64 ,  G03F7/20

Abstract: [课题]为了应对特别是在EUV曝光中所要求的最大容许异物尺寸的降低以及供防护膜片暴露的严酷的气压的变动，而实现与贯通防护膜框架而设置的通气孔贴靠的过滤器的高性能化。[解决手段]本发明的防护膜包括：防护膜框架3；防护膜片1，设置于所述防护膜框架的上端面；通气孔6，设置于所述防护膜框架；以及过滤器7，堵塞所述通气孔，所述过滤器的一部分或全部具有纳米纤维或碳纳米管中的至少一者所构成的不织布。