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公开(公告)号：CN1223462A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98111680.9
申请日：1998-12-25
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 佐藤信彦
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/2007 , H01L21/30604 , H01L21/76254 , H01L21/76256
Abstract: 采用本发明的方法,通过在含氢还原气氛中进行热处理,对半导体工件例如在其表面上具有形成在绝缘体上的单晶硅膜的SOI衬底进行腐蚀,以在表面上去除期望的高度并使其平滑。该方法的特征在于,在腐蚀处理过程中,在炉内单晶硅膜与氧化硅相对布置。
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公开(公告)号：CN1206221A
公开(公告)日：1999-01-27
申请号：CN98109689.1
申请日：1998-03-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片。在利用键合晶片制备基片的方法中,相互键合第一基片部件和第二基片部件,然后在形成于第一基片部件主表面的第一层和第二层的界面分离第二基片部件与第一基片部件,由此第二层转移到第二基片部件。在分离过程中,通过改变多孔Si层的孔隙率的方法、使多孔Si的孔聚集形成容易分离面的方法、在界面进行离子注入的方法、或利用异质外延界面的方法来确保分离位置在第一第二层的界面。
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公开(公告)号：CN1099905A
公开(公告)日：1995-03-08
申请号：CN93118894.6
申请日：1992-02-15
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/24
Abstract: 多孔硅腐蚀液，使用该腐蚀液的腐蚀方法及使用该腐蚀液制作半导体基片的方法，其优点，提供不给半导体工艺带来不良影响、不腐蚀非多孔硅，并能高效率、均匀地对多孔硅进行化学腐蚀的腐蚀液，该腐蚀液可以是氢氟酸。制作半导体基片的制造方法包括如下工序：形成具有非多孔硅单晶层和多孔硅层的衬底，将有绝缘性材料表面的衬底接合在该单晶层的表面上，用浸入氢氟酸的方法腐蚀除去多孔硅层。
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公开(公告)号：CN115802790A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211094435.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 本发明涉及有机发光器件及其制造方法、显示设备、电子设备。本公开涉及一种有机发光器件，其包括绝缘层、设置在绝缘层的主表面上的有机发光元件、和滤色层，该滤色层覆盖有机发光元件并且包括使具有第一波长的光通过的第一滤色器和使具有不同于第一波长的第二波长的光通过的第二滤色器，滤色层中包含的具有氮原子和羟基的有机碱的浓度小于108.2ng/cm2。
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公开(公告)号：CN107919371B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201710912815.0
申请日：2017-09-30
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种光电转换装置和系统。该光电转换装置具有：光电转换基板，具有多个光电转换部分和布置在所述多个光电转换部分上方的微透镜阵列；透光板；布置在光电转换基板和透光板之间的第一构件；布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件；以及布置在第一构件和第二构件之间的第三构件。满足第一构件的孔隙率
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785384B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201710720826.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了光电转换装置和照相机。光电转换装置包括具有光电转换单元和布置在转换单元上方的微透镜阵列的光电转换基板，光透射板，布置在光电转换基板和光透射板之间的第一构件，并且第一构件将光电转换基板和光透射板接合，以及布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件。第二构件具有低于微透镜阵列的折射率或高于微透镜阵列的孔隙率中的至少一个。第一构件的在光电转换基板的一侧的面具有从多个光电转换单元上的一部分到光电转换装置的侧面的多个台阶。
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公开(公告)号：CN110137190A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910110245.2
申请日：2019-02-11
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供光电转换设备和装置。光电转换设备包括：半导体层，其具有正面和背面并且在所述正面与所述背面之间设置有多个光电转换部；配线结构，其配置于所述半导体层的所述正面侧；分离部，其配置在多个所述光电转换部之间并且由与所述背面连续的沟槽形成；第一遮光部，其以与所述分离部重叠的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方；以及第二遮光部，其以隔着配置在多个所述光电转换部中的至少一个光电转换部上方的区域面向所述第一遮光部的方式在所述背面侧配置在所述半导体层的上方。
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公开(公告)号：CN107785384A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710720826.9
申请日：2017-08-22
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H04N9/045 , H01L27/14645
Abstract: 公开了光电转换装置和照相机。光电转换装置包括具有光电转换单元和布置在转换单元上方的微透镜阵列的光电转换基板，光透射板，布置在光电转换基板和光透射板之间的第一构件，并且第一构件将光电转换基板和光透射板接合，以及布置在第一构件和微透镜阵列之间的第二构件。第二构件具有低于微透镜阵列的折射率或高于微透镜阵列的孔隙率中的至少一个。第一构件的在光电转换基板的一侧的面具有从多个光电转换单元上的一部分到光电转换装置的侧面的多个台阶。
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公开(公告)号：CN103311268B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201310069804.2
申请日：2013-03-06
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/32 , H01L27/3258 , H01L51/5056 , H01L51/52 , H01L2251/5392 , H01L2251/558
Abstract: 提供一种发光装置、图像形成装置、显示装置和成像装置，该发光装置在不使用用于分开像素的绝缘膜的情况下抑制相邻的像素之间的泄漏电流并且提供更高的分辨率。通过沿第一电极（2）的边缘在绝缘层（1）中设置沟槽，第一电荷传输层（3）的厚度减小以抑制相邻像素之间的泄漏电流。
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公开(公告)号：CN103123955A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210454062.0
申请日：2012-11-13
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L51/56
CPC classification number: G03F7/0005 , H01L27/3211 , H01L51/0018 , H01L51/5012 , H01L51/5088 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及有机EL装置的制造方法。在所述有机EL装置的制造方法中，在有机化合物层上形成掩模层，并且，通过干蚀刻将没有被掩模层覆盖的区域构图，其中，通过使用无机化合物形成电荷注入层，该无机化合物关于用于有机化合物层的构图的蚀刻气体具有低的蚀刻速度并且该无机化合物即使暴露于蚀刻气体时也不分解。
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