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公开(公告)号：CN116029091A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211455400.2
申请日：2022-11-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种基于相干传输矩阵法的芯片仿真方法、装置和计算机设备，其中，该方法包括：按预设交换网络的拓扑结构设置的开关单元，构建芯片仿真系统；基于光学传输矩阵，对每个开关单元的性能进行仿真分析，得到与每个开关单元对应的性能；根据每个开关单元对应的性能和预设交换网络的拓扑结构，确定芯片仿真系统的性能。通过本申请，解决了存在由于单个芯片性能的差异带来芯片系统不确定性，使得整个芯片系统呈现未知状态的问题，实现了基于开关单元构建芯片仿真系统，仿真分析出各个开关单元对应的性能，进而确定芯片仿真系统的性能，能清晰的了解单个开关的性能在整个芯片仿真系统中的影响。
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公开(公告)号：CN115988360A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211367743.3
申请日：2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开了一种四维可拓展的光交换网络架构及其构建方法，该网络架构分为两个部分，一部分称为可拓展传输区域，由4个N×N的蝶形网络组成，构成了低复杂度、低串扰的光开关阵列；另一部分称为四维路由区域，由N/2个环形网络组成，将构建的可拓展传输区域和四维路由区域连接起来，即可构建N×N×N×N的四维可拓展的光交换网络架构。本发明突破传统二维光开关阵列的限制，实现了光交换阵列维度上的拓展，每个端口可与另外3N个端口实现互连，以更少的光开关单元实现更大的信号交换规模，有效地解决了随着端口数增加光交换网络面积过大的问题。
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公开(公告)号：CN115939033A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202310019294.1
申请日：2023-01-06
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L21/768
Abstract: 本申请涉及金属凸点的制作方法与倒装芯片互连方法。其中，金属凸点的制作方法包括：在基底上形成种籽层；在所述种籽层上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案暴露部分种籽层；刻蚀去除暴露于所述第一光刻胶图案外的种籽层，而后去除残余的第一光刻胶图案；形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案暴露所述种籽层；利用电化学沉积工艺在所述种籽层上电镀形成凸点下金属和金属凸点；去除所述第二光刻胶图案。一个实施例中，第二光刻胶图案的材料是SU8光刻胶。上述金属凸点的制作方法以及制得的上述金属凸点可很好地适用于超细间距且高度可调的倒装芯片互连工艺中。
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公开(公告)号：CN115857187A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211537974.4
申请日：2022-12-01
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B27/62
Abstract: 本说明书公开了一种硅基芯片封装的方法、装置、存储介质及电子设备。首先，获取硅基芯片中的光栅与光纤阵列在耦合过程中的图像数据。其次，根据图像数据，对光纤阵列的姿态进行调整，以使得调整后的光纤阵列在预设坐标系下与硅基芯片相平行。而后，将光信号输入到硅基芯片中的光栅，并平移调整姿态后的光纤阵列，以检测光信号从硅基芯片中的光栅输入到平移后的光纤阵列后，平移后的光纤阵列输出的光信号对应的光功率。最后，若确定光功率满足预设条件，则硅基芯片中的光栅与光纤阵列完成耦合，得到耦合后的硅基芯片，并将耦合后的硅基芯片通过封装设备进行封装。本方法可以提高光纤阵列与硅基芯片中的光栅耦合的效率。
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公开(公告)号：CN115826134A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211627632.1
申请日：2022-12-16
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本说明书公开了一种层间耦合器、一种制备层间耦合器的方法。首先，层间耦合器包括：硅衬底、二氧化硅包层、硅波导层、氮化硅层。硅长方体位于层间耦合器的一端，混合结构与硅长方体相连接，混合结构由硅锥体以及相同尺寸的各硅波导块排列组成，亚波长光栅结构与混合结构相连接，亚波长光栅结构由不同尺寸的各硅波导块排列组成，且远离硅长方体的硅波导块的尺寸小于靠近硅长方体的硅波导块的尺寸，氮化硅层包括氮化硅长方体以及氮化硅结构，氮化硅长方体位于层间耦合器的另一端，氮化硅结构与氮化硅长方体相连接，氮化硅结构中的远离氮化硅长方体的横截面积小于靠近氮化硅长方体的横截面积。本方法可以降低功率泄露，从而，提高耦合效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115755442A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211548802.7
申请日：2022-12-05
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于波导上硫化锑的O波段多模干涉型硅基光开关，包括硅基波导、多模干涉区和相变材料薄膜，所述硅基波导包括输入波导、相移调制波导和输出波导，所述多模干涉区包括调制前多模干涉区和相移调制后多模干涉区构成，与硅基波导皆为脊波导，并位于SOI结构的顶硅层，所述相变材料薄膜由硫化锑制备，位于相移调制波导顶部，两者构成调制光传输相位的复合区，通过激发相变材料硫化锑进行相变，从而改变不同波导之间的光波相位差，实现开关状态的调制，通过本发明可以实现输入光的开关状态调制，可应用于光通信等领域，具有占用面积小、开关速度快和能量消耗小等特点。
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公开(公告)号：CN115421263B
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211374585.4
申请日：2022-11-04
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/46
Abstract: 本发明公开了一种大规模光纤阵列封装固定装置及封装方法，包括光纤阵列夹具组件、夹具角度固定组件、夹具固定底座组件、夹具高度调节组件，光纤阵列夹具组件内设有用于放置放置光纤阵列及光纤阵列带纤的光纤阵列安装件，夹具角度固定组件包括支撑杆，夹具固定底座组件包括螺纹套和固定板，本发明将光纤阵列夹具组件用作在光学耦合对准过程中夹持固定光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分，而且也将光纤阵列夹具组件用作光纤阵列与光电子芯片封装固定装置的一部分，省去了人为将光纤阵列夹具组件与光纤阵列分离的步骤，将光学封装后需要对光纤阵列和光纤阵列的带纤两部分的加固变为对光纤阵列夹具组件的加固，极大的降低了人为操作带来的风险。
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公开(公告)号：CN115657341A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211576771.6
申请日：2022-12-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种基于氮化硅平台的亚波段光栅结构GST相变材料微型开关单元，包括由下至上的基底层、埋氧层、平面直波导层，所述平面直波导层上开设有槽状结构的波导槽，所述GST相变材料形成光栅结构镶嵌于所述平面直波导上，通过调整所述GST相变材料的状态来调制光的透射率，用于控制所述开关单元，在常规直平面波导，中间刻蚀深度深槽，形成slot波导结构；于波导结构中刻蚀or腐蚀做出一组条状光栅结构，在其中镶嵌插入GST相变材料，形成光栅结构的相变材料光开关单元；通过设计的这种光开关单元结构，能够有效提高结构的敏感性，缩小长度，降低损耗，而且状态的保持不需要外加电压来维持，具有非易失的特性。
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公开(公告)号：CN115657226A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211328327.2
申请日：2022-10-26
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法，包括：在基片表面固定芯片，芯片端口包括光栅耦合器和电学焊盘；在基片上表面形成衬底层，对衬底层进行抛光至芯片上表面漏出，沉积下包层，在下包层上沉积芯层；在芯层上刻蚀光波导阵列和扇出端光学端口；在光波导阵列、扇出端光学端口和未沉积芯层的下包层上表面沉积上包层，利用灰度工艺从上包层表面挖出斜面，利用刻蚀工艺在上包层上挖出直通孔，使得电学焊盘上表面露出；然后在上包层表面和电学焊盘上表面沉积金属层；对所述金属层表面进行抛光、刻蚀得到电学重布线层。本发明还公开了硅基光交换芯片的光电扇出结构的制备方法制备得到的硅基光交换芯片光电扇出结构。
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公开(公告)号：CN115437061A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211387833.9
申请日：2022-11-07
Applicant: 之江实验室
IPC: G02B6/12
Abstract: 本说明书公开了一种光栅耦合器及其仿真制造方法、装置、介质及设备。该光栅耦合器包括：波导层以及埋氧层，埋氧层设置在波导层下方，埋氧层中设置有第一反射装置，波导层包括第一波导、第二波导以及光栅，第一波导和所述第二波导分别位于在所述光栅的栅区两端，第二波导中设置有第二反射装置；第一波导用于引导目标光线射入光栅，第一反射装置用于将光栅垂直向下衍射的光线反射给光栅，第二反射装置用于将透过光栅的光线反射给光栅，光栅用于将目标光线、第一反射装置反射的光线以及第二反射装置反射的光线向垂直向上的方向进行衍射。
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