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公开(公告)号：CN114409792A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111452060.3
申请日：2021-12-01
Applicant: 中山大学附属第五医院
Abstract: 本发明提出一种纳米抗体。该抗体具有SEQ ID NO：1所示的氨基酸序列，其中包含4个FR和3个CDR。所述纳米抗体能够特异性靶向人EphB4蛋白，具有分子量小、高水溶性、高耐性、高稳定性，高抗原结合性、低免疫原性等特点。
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公开(公告)号：CN113105549A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110398073.0
申请日：2020-08-04
Applicant: 中山大学附属第五医院
Abstract: 本发明提出一种抗CEACAM5纳米抗体。该抗体具有SEQ ID NO：1所示的氨基酸序列，其中包含4个FR和3个CDR。所述纳米抗体能够特异性靶向人CEACAM5蛋白，具有分子量小、高水溶性、高耐性、高稳定性，高抗原结合性、低免疫原性等特点。
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公开(公告)号：CN112946328A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110130208.5
申请日：2021-01-29
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种快速大功率恒电流电化学测试前端电路，所述电路包括：电压负反馈单元、功率输出单元、电流采集单元、三电极测量单元、电压采集单元、补偿电流源单元，操作人员只需要通过设定激励信号、补偿电流源控制信号的幅值以及第一可控继电器的开关状态，即可使得该电化学测量前端电路输出阶跃电流激励信号。该电化学测量前端电路输出电流大，可实现快速上升时间，并且上升时间可调，突破了现有电化学恒电流测试中输出阶跃电流幅度小、上升时间较慢、上升时间不可控的限制，可同时测试电化学体系响应电流和响应电压，适用于各种要求的阶跃电流测试目的，具有电路系统简单、工作稳定、控制精确的特点。
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公开(公告)号：CN111462036A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010100257.X
申请日：2020-02-18
Applicant: 腾讯科技(深圳)有限公司 , 中山大学附属第六医院
Abstract: 本申请公开了一种基于深度学习的病理图像处理方法，包括：获取待处理的目标对象的病理图像；对待处理的目标对象的病理图像进行分块处理，以得到分块图像集合；对分块图像集合进行特征分类提取处理，得到N个第一特征集合、N个第二特征集合以及N个第三特征集合；生成与目标对象所对应的目标融合特征；调用病理图像分析模型对目标融合特征进行分析处理，以输出待处理的目标对象的病理分析结果。本申请还公开了一种模型训练方法。本申请可以直接利用病理图像预测病灶转移的风险，相较于生物检测技术，能够减少等待检测结果的时间，提升检测效率，还能避免因实验误差和操作误差等不可控因素带来的误差，从而提供更为精准的检测结果。
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公开(公告)号：CN104681620B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510029558.7
申请日：2015-01-21
Applicant: 中山大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法，外延层包括一次外延生长的n型轻掺杂GaN层和其上的选择区域生长的二次外延层，所述二次外延层自下至上为第一杂质过滤层、电子阻挡层、第二杂质过滤层、非掺杂外延GaN层和异质结构势垒层，二次外延生长后形成凹槽沟道，凹槽沟道和异质结构势垒层的表面覆盖绝缘层，栅极覆盖于绝缘层上的凹槽沟道处，刻蚀绝缘层两端形成源极区域，源极区域处蒸镀欧姆金属形成与异质结势垒层接触的源极，漏极欧姆接触金属置于导电GaN衬底背面。本发明器件结构简单，工艺重复性和可靠性高，能有效抑制二次生长界面处或电子阻挡层中杂质的扩散，以优化电子阻挡层和异质结构沟道2DEG的电学特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106024588A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610572224.9
申请日：2016-07-20
Applicant: 中山大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02538
Abstract: 本发明涉及半导体外延工艺的技术领域，更具体地，涉及一种选择区域外延生长界面改善方法。包括下述步骤。首先提供所需外延生长的衬底，在所述衬底上依次沉积应力缓冲层以及GaN缓冲层，获得进行选择区域外延的模板。在所述模板上淀积一层介质层，作为掩膜层，采用光刻显影技术及湿法腐蚀去除需要外延AlGaN的区域的介质层,实现对掩膜层的图形化。最后在未被掩蔽的区域依次沉积低气压生长的GaN插入层,常规生长GaN沟道层以及AlGaN势垒层。本发明工艺简单，能够有效改善选择区域外延界面性能，提高选择区域外延层质量，降低外延层中的体漏电流及肖特基二极管反向漏电流。
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公开(公告)号：CN105825504A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201610142022.0
申请日：2016-03-11
Applicant: 中山大学
CPC classification number: G06T2207/10004 , G06T2207/10024
Abstract: 本发明提供了一种基于MSCR区域特征的图像区域复制检测方法。首先对彩色图像提取MSCR特征，然后将这些特征区域归一化为圆形区域。接下来计算每个圆形特征区域的Zernike矩，作为该区域的特征向量。然后计算这些特征向量的欧式距离，找出候选的特征向量匹配对，及对应的特征区域对。通过这些特征区域对在图像当中的位置关系，估计区域复制过程当中的仿射变换矩阵。最后根据仿射矩阵来确定图像是否经过区域复制，并且定位复制区域的位置。本发明使用了一种新的彩色图像特征，并且优化了区域定位方法，具有很好的检测准确性和定位精确度。
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公开(公告)号：CN1660412A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN200410077622.0
申请日：2004-12-27
Applicant: 中山大学
Abstract: 本发明公开了一种干扰素聚乳酸－羟乙酸共聚物(PLGA)微球的制备方法，其特征在于采用复乳－溶剂挥发法制备，聚乳酸－羟乙酸共聚物(PLGA)为微球载体，冻干注射用重组人干扰素－α为包裹对象，所制得的干扰素微球形态圆整，粒度分布均匀，粒径分布在30微米以下，载药量可达8％以上，包封率在40％左右，体外释药性能符合长效制剂特征。
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公开(公告)号：CN119041440A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411443121.3
申请日：2024-10-16
Applicant: 中山大学
IPC: E02D15/10
Abstract: 本发明涉及抛石固定设备技术领域，尤其涉及一种抛石固定式装置其包括抛石框架和拉伸网兜，抛石框架的底部设有拉伸网兜，抛石框架与拉伸网兜呈梯形笼状结构，抛石框架为镂空结构，抛石框架上设有投石口，拉伸网兜用于包裹海缆，拉伸网兜上设有多个透水孔，基于抛石防护防护方法的原理，通过在悬空海缆周围放置石块填充空间，并搭建成合适的形状来保护海缆；往装置内部填充石块，下方的拉伸网兜受重力作用包裹住海缆，通过在装置内填充石块，并将悬空海缆用装置和石头紧紧包围，使其不再发生运动，降低损耗，不会出现被水流冲倒的现象，装置的自重和结构可以保证其在洋流中长时间固定，可以保护很长的时间，节约了成本以及后续维修的成本。
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公开(公告)号：CN118589395A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410636249.5
申请日：2024-05-22
Applicant: 中山大学
IPC: H02G9/02
Abstract: 本发明涉及海洋电缆保护领域，公开了一种海缆保护装置，其包括防护单元，防护单元包括内部防护组件和外部防护组件，内部防护组件包括防护壳体，防护壳体设有用于放置海缆的第一腔体，第一腔体沿第一方向贯穿防护壳体，且第一腔体具有朝下设置的开口，防护壳体背向第一腔体的一侧面开设有连通第一腔体的第一通孔；外部防护组件的内部设置有第二腔体，外部防护组件盖设固定于内部防护组件背向开口的一侧，外部防护组件包括顶板和在顶板两侧分别设置的侧板，侧板向远离顶板的一侧延伸并向第二腔体的方向倾斜。本发明通过内部防护组件和外部防护组件，有效解决了现有技术中海缆保护装置防锚害效果差、防冲刷效果差的技术问题。
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