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公开(公告)号：CN114184833B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111258291.0
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01R19/30
Abstract: 本申请公开了一种自旋霍尔器件、霍尔电压的获取方法、最大池化的方法。该自旋霍尔器件包括硼铁化钴层；所述自旋霍尔器件的顶视图和底视图完全相同，均为十字形状图形；所述十字形状图形具有两条对称轴，所述两条对称轴互相垂直且互相平分。本申请的自旋霍尔器件，具有非易失性以及模拟多态特性，能够用于获取霍尔电压，能够应用于多种电路中，结构简单，体积小，能够节省片上资源，能够满足计算需求。
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公开(公告)号：CN117794252A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311793366.4
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种磁随机存储器结构及其形成方法、电路及其工作方法，其中结构包括：衬底；位于所述衬底表面的第一自旋轨道矩层；位于所述第一自旋轨道矩层表面的磁隧道结，所述磁隧道结包括第一铁磁层、第二铁磁层、以及位于所述第一铁磁层和所述第二铁磁层之间的势垒层，所述第一铁磁层位于所述第一自旋轨道矩层表面，所述第一铁磁层的磁矩方向和所述第二铁磁层的磁矩方向平行或反平行；位于所述磁隧道结表面的第二自旋轨道矩层，单个磁随机存储器结构作为存储单元，可以实现异或逻辑，利于精简化BNN电路。
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公开(公告)号：CN112835556B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202110117458.5
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明涉及PP板生产加工领域,公开了一种基于MTJ的真随机数发生器，包括至少一个逻辑单元，每个逻辑单元包括两个输入MTJ和一个输出MTJ，两个输入MTJ先并联，然后再与输出MTJ串联，再产生随机数前，使两个输入MTJ和输出MTJ的存储状态均为高阻态模式，确保电源在输出MTJ上的电压小于第一临界调控电压Vc1,在产生随机数时，改变两个输入MTJ中的至少一个输入MTJ的存储状态，使电源在输出MTJ上的电压大于第一临界调控电压Vc1，这样每当两输入MTJ中的一个存储状态发生变化时，输出MTJ的状态会随机想低阻态模式和高阻态模式变化，且概率均为二分之一，对输出MTJ的存储状态进行检测便可得到一位随机的二进制数据，整体结构简单，不用寻找随机变量。(56)对比文件陈惠明.磁性物理不可克隆函数与真随机数发生器设计及制备《.中国优秀硕士学位论文全文数据库 信息科技辑》.2020,(第03期),论文第4章.
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公开(公告)号：CN110161113B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910479336.3
申请日：2019-06-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性单粒子探测装置及其制造方法、磁性单粒子探测方法。所述磁性单粒子探测装置包括金属霍尔条以及设置在所述金属霍尔条表面的分子磁体薄膜，所述分子磁体具有二维磁结构且分子间交换作用为反铁磁耦合，所述分子磁体的易磁化轴垂直于所述二维磁结构表面。所述磁性单粒子探测方法包括：提供第一磁共振场，将所述分子磁体薄膜磁化至饱和状态；在所述分子磁体薄膜被磁化至饱和状态后，提供第二磁共振场，所述第二磁共振场为将所述分子磁体薄膜磁化至(N‑1，1)配位态的磁共振场；检测提供所述第二磁共振场之后所述金属霍尔条的输出电压，根据所述输出电压判断是否存在磁性单粒子。本发明能够降低磁性单粒子探测成本。
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公开(公告)号：CN112928206B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110118880.2
申请日：2021-01-28
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及MTJ技术领域,公开了一种MTJ及其驱动方法和制作方法，该MTJ包括参考层，参考层的上表面设有势垒层，势垒层的上表面设有自由层，自由层的上表面设有阻变层，阻变层的上表面和参考层的下表面之间存在压降时，阻变层向自由层迁移氧离子，迁移到自由层的氧离子会和自由层的Fe和Co结合生成没有磁性的FeO和CoO氧化物，进而降低自由层的磁矩翻转电流，降低MTJ的写入功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114244348A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111471864.8
申请日：2021-12-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种逻辑功能可重构的存算一体电路，该电路包括：级联的输入级和N级输出级，输入级包括2N个STT‑MTJ，之后每级的STT‑MTJ数量均为其前一级STT‑MTJ数量的一半，位于前一级的两个STT‑MTJ与后一级的一个STT‑MTJ构成两输入单输出的存算一体单元，通过不同的配置条件，每个两输入单输出的存算一体单元，用于实现“与非”、“或非”、“与”和“或”四种逻辑。本发明能够在同一电路架构下实现数据存储和逻辑计算，且可以实现不同逻辑功能重构。
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公开(公告)号：CN113690367A
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN202110945620.2
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：磁性隧道结，包括从下至上依次层叠的自由层、势垒层和参考层，自由层具有方向可变的垂直磁化，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于磁性隧道结下方的自旋轨道耦合层，与自由层接触，自旋轨道耦合层用于产生自旋轨道矩，以使自由层磁化翻转；位于自旋轨道耦合层上方且位于磁性隧道结两侧的第一铁磁层和第二铁磁层，第一铁磁层和第二铁磁层均具有面内水平磁化，磁化方向平行于自旋轨道矩耦合层中通过的写电流方向，以对磁性隧道结产生一个水平磁场。本发明能够在无外加磁场的条件下，利用自旋轨道矩实现自由层确定性的磁化翻转。
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公开(公告)号：CN110277115B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201910552901.4
申请日：2019-06-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种基于磁隧道结的存储器及其读写方法、制作方法，存储器包括：M×N存储单元交叉点阵列，包含M条字线与N条位线，M≥3，N≥3，每条字线与每条位线的交叉点连接部位为一存储单元，每个存储单元为1晶体管(T)‑1磁性隧道结(MTJ)结构，该晶体管用于读出操作；其中，该M×N存储单元交叉点阵列的每条字线和位线均单独连接一选择晶体管，用于基于交叉点阵列的串扰特性进行特定写操作，不同的字线与位线接入Vcc和GND的供电方式对应不同的特定存储状态。该存储器基于交叉点阵列的串扰特性进行写入操作，对应不同的供电方式产生特定的数据存储状态，在数据存储、数据恢复和数据加密等领域均具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN112054035A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010967833.0
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/146 , H01L27/22
Abstract: 本发明提供的一种存储器件及其制造方法，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的第一底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和第一顶电极，第二器件结构包括依次层叠的第二底电极、隧道结和第二顶电极，第一底电极与第二底电极连接，第一顶电极和第二顶电极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构的隧道结中，隧道结中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
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公开(公告)号：CN112054034A
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN202010967831.1
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/146 , H01L27/1159
Abstract: 本发明提供的一种存储器件，包括：第一器件结构和第二器件结构，第一器件结构包括依次层叠的底电极、本征材料层、第一掺杂材料层、第二掺杂材料层和顶电极。第二器件结构包括衬底，位于衬底上的鳍部，覆盖于鳍部的铁电层，铁电层上的栅极层，栅极层两侧露出的鳍部分别为源极和漏极。底电极与源极连接，顶电极与漏极连接。这样，第一器件结构感光后产生光电流信号，光电流流入第二器件结构中，第二器件结构中预先存储有图像识别模型的训练结果，从而能够进行图像的识别。由于第一器件结构为自驱动功能的PN结器件，无需额外的电流，能耗低，局限性较小，且第一器件结构的光吸收范围较宽、响应速度较快，进一步提高了存储器件的适用范围。
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