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公开(公告)号：CN101465626B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200710179859.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种低通宽带高频滤波器。基于埋入电容的优良特性：寄生电感、电阻小，不占用印刷电路板的表面面积，可工作在高频，对接入点进行特殊设计使得高频衰减频率可调。再加上一个附加电容紧贴端口并联连接，改善低频性能，从而构造出所需的滤波器。用它替代电路系统中的低通滤波网络，可省去大多数元件，同时使系统的性能和可靠性得到提高，印刷电路板面积减小，成本下降。
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公开(公告)号：CN101800165A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910077670.2
申请日：2009-02-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/22 , H01L21/311 , H01L21/3065 , H01L29/92
Abstract: 本发明公开了一种沟道式电容器的制作方法，包括：提供以Si为基底的高掺杂低阻半导体衬底，在衬底上生长一层SiO2作为掩模层、物理保护层以及电学绝缘层；采用光刻胶掩模并按照所需要的电容量刻蚀SiO2至Si层，开出不同面积的电容窗口；在该窗口内利用光刻胶作为掩模，通过刻蚀制备出具有沟道的基底以及P型层电极区；直接利用保留在Si衬底上的SiO2作为掩模，在硅衬底沟道表面形成一层高掺杂的n+层，在其结深处形成PN结结电容；利用蒸发或溅射等手段在电容表面大面积蒸镀金属；用光刻胶作为掩模，使用湿法腐蚀，在开出的窗口层、N型电极及P型层电极区域形成金属电极；将制备好的沟道电容在高温下退火，使其P、N两个电极上均形成良好的欧姆接触。本发明克服了介质层难于生长，费用昂贵等问题，减少了加工步骤，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101458368B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710179351.3
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种实现将光纤阵列插入微孔阵列的装置，其特征在于，该装置包括L形基座8、弹簧9和载片架10，所述弹簧9一端固定连接所述L形基座8垂直于水平底面的侧壁，另一端固定连接所述载片架10。本发明同时公开了一种实现将光纤阵列插入微孔阵列的方法。利用本发明，当光纤阵列中各光纤的中心轴线方向与微孔阵列中各微孔的中心轴线方向存在一夹角，弹簧将通过自身的弯曲形变将该夹角矫正到0°，保证光纤阵列安全的完全插入微孔阵列，避免了光纤插入微孔时发生损坏，提高了光纤插入微孔的安全性和准确性。
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公开(公告)号：CN101465626A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200710179859.3
申请日：2007-12-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种低通宽带高频滤波器。基于埋入电容的优良特性：寄生电感、电阻小，不占用印刷电路板的表面面积，可工作在高频，对接入点进行特殊设计使得高频衰减频率可调。再加上一个附加电容紧贴端口并联连接，改善低频性能，从而构造出所需的滤波器。用它替代电路系统中的低通滤波网络，可省去大多数元件，同时使系统的性能和可靠性得到提高，印刷电路板面积减小，成本下降。
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公开(公告)号：CN101458368A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710179351.3
申请日：2007-12-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明公开了一种实现将光纤阵列插入微孔阵列的装置，其特征在于，该装置包括L形基座8、弹簧9和载片架10，所述弹簧9一端固定连接所述L形基座8垂直于水平底面的侧壁，另一端固定连接所述载片架10。本发明同时公开了一种实现将光纤阵列插入微孔阵列的方法。利用本发明，当光纤阵列中各光纤的中心轴线方向与微孔阵列中各微孔的中心轴线方向存在一夹角，弹簧将通过自身的弯曲形变将该夹角矫正到0°，保证光纤阵列安全的完全插入微孔阵列，避免了光纤插入微孔时发生损坏，提高了光纤插入微孔的安全性和准确性。
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公开(公告)号：CN109759306B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910108865.2
申请日：2019-02-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种超声换能器阵列结构及其制备方法，属于医疗设备技术领域。其中超声换能器阵列结构包括：超声换能器阵列本体、胶、金属互联线层以及声学匹配层；所述金属互联线层覆盖于所述胶和所述超声换能器阵列本体的表面；所述超声换能器阵列本体嵌于所述胶中；所述声学匹配层覆盖于所述超声换能器阵列本体下方。本发明提供的超声换能器阵列结构，实现了医疗领域对超声换能器高密度、高频率、重量轻、体积小的需求。
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公开(公告)号：CN109192749A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201810767230.9
申请日：2018-07-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/20 , H01L41/25 , H01L41/29 , H01L41/332 , A61B8/00
Abstract: 本发明提供一种超声波换能器阵列，其包括用于发射和接收超声波信号的接收发射层、设置在接收发射层的第一侧上的正极层以及设置在接收发射层的与第一侧相对的第二侧上的负极层。接收发射层和正极层被分割成多个超声波换能器阵元，使得多个超声波换能器阵元中的每一个均具有自身的正极，并且多个超声波换能器阵元具有公共的负极。本发明还提供制作以及封装超声波换能器阵列的方法。本发明提供的超声波换能器阵列可以在同一时间内检测到更大的组织面积，获得更完整的病灶信息，缩减诊断时间，并可以进行三维图像成像，从而获得更加直观的图像信息。
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公开(公告)号：CN104045056A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410318509.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供了一种有序堆积的纳米线膜/体的制造方法。包括：准备事先制备的纳米线；将所述纳米线悬浮在溶剂中，形成均匀的悬浊液；将所述悬浊液装入离心管；所述悬浊液进行高速离心沉淀，所有的纳米线沉淀在管底，形成有序堆积的纳米线沉淀；移除上清液，将有序堆积的纳米线沉淀进行烘干并从离心管管底剥离，完成制造有序堆积的纳米线膜/体。本发明提供的纳米线膜/体的制造方法不需要生长种子层就能获得致密的纳米材料，且不受材料和制备方法的限制。
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公开(公告)号：CN103296008A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210042080.8
申请日：2012-02-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L23/552 , H05K9/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311
Abstract: 本发明提供一种TSV或TGV转接板，3D封装及其制备方法，其中，带有EBG的屏蔽结构的TSV或TGV转接板包括TSV或TGV转接板，以及所述EBG的屏蔽结构；所述带有EBG的屏蔽结构制备在所述TSV或TGV转接板中，或制备在所述TSV或TGV转接板两侧；所述EBG的屏蔽结构包括绝缘层及至少两金属平面；其中，至少一金属平面蚀刻有周期性EBG结构；所述金属平面之间设置有绝缘层。本发明还提供一种TSV或TGV转接板制备方法，一种3D封装及其制备方法。本发明能有效降低垂直3D互联封装中芯片间的近场耦合问题。
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公开(公告)号：CN103137508A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110378944.9
申请日：2011-11-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/603
Abstract: 本发明公开了一种键合装置，包括：压力罩和贴合于所述压力罩开口处的弹性压力膜。由于弹性压力膜可以跟随所接触物体的表面而形变，以使弹性压力膜上的压强相同，因此弹性压力膜可以均匀的对第一待键合物施加压力。当第一待键合物由多个不同厚度的键合物组成时，本发明对这些不同厚度的键合物施加的压强也相同，因此它们的键合效果相同，可以提高产品的合格率。
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