公开(公告)号：CN104638516A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510111671.X

申请日：2015-03-13

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 罗帅 ,  季海铭 ,  杨涛

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 一种大晶格失配可调谐量子阱激光器外延芯片的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一InP衬底；步骤2：在该衬底上依次沉积InP缓冲层、下波导层、下限制层、量子阱层、上限制层、上波导层和InP盖层；步骤3：在InP盖层上外延Zn扩散缓冲层；步骤4：在Zn扩散缓冲层上外延Zn掺杂InP上包层、梯度层及InGaAs接触层，完成制备。本发明可以实现量子阱激光器波长大范围的调谐。

公开(公告)号：CN104499054A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201410785433.2

申请日：2014-12-17

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 杨涛 ,  杜文娜 ,  杨晓光 ,  王小耶 ,  季祥海 ,  王占国

IPC: C30B29/52 ,  C30B29/60 ,  C30B25/02 ,  H01L21/02

Abstract: 一种硅基高晶体质量InAsSb平面纳米线的生长方法，包括如下步骤：步骤1：将一衬底放入有机溶液中超声清洗；步骤2：将清洗后的衬底用氢氟酸溶液进行腐蚀；步骤3：将腐蚀后的衬底放入MOCVD外延设备的腔室中，将衬底第一次升温后稳定一预定时间；步骤4：将衬底第一次降到设定温度后，第一次通入AsH3气体；步骤5：将衬底第二次升温至纳米线的生长温度稳定一预定时间后，减小AsH3气体的流量，同时通入TMIn和TMSb气体，开始生长InAsSb纳米线；步骤6：生长结束后关掉通入的TMIn气体，将衬底温度第二次降至室温后关掉AsH3和TMSb气体，完成InAsSb纳米线的制备。本发明具有处理工艺简单，成本大大降低；不需要使用外来催化剂，没有污染；也不需要核子纳米线辅助成核，生长步骤简化。

公开(公告)号：CN102983069A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210564366.2

申请日：2012-12-21

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 季海铭 ,  罗帅 ,  杨涛

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明提供了一种生长InP基InAs量子阱的方法。该方法包括：在InP衬底上生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长两侧均包含In1-xGaxAs应力渐变势垒层的InAs量子阱结构；以及在InAs量子阱结构上生长InP盖层。本发明通过在InAs量子阱两侧引入晶格常数渐变的In1-xGaxAs应力渐变势垒层来减缓InAs量子阱所受到的压应变，减少材料中因应变累积释放而产生的缺陷浓度，改善了InAs量子阱材料的晶体质量，并拓展了InAs量子阱材料的发光波长。

公开(公告)号：CN101908581B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010217374.0

申请日：2010-06-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王科范 ,  杨晓光 ,  杨涛 ,  王占国

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al0.4Ga0.6As层和ZnS/MgF2层；步骤5：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。

公开(公告)号：CN102130206A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201010602219.0

申请日：2010-12-23

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 王科范 ,  杨晓光 ,  杨涛 ,  王占国

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 一种硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；步骤2：在n+型GaAs单晶片上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长本征GaAs层、p型GaAs层、p+型GaAs层、p型Al0.4Ga0.6As层和p型GaAs层；步骤5：在p型GaAs层上生长ZnS/MgF2层；步骤6：在ZnS/MgF2层上生长并制作上金属电极；步骤7：在n+型GaAs单晶片的下表面制作下金属电极；步骤8：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。

公开(公告)号：CN101882754A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN201010191207.3

申请日：2010-05-26

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 徐鹏飞 ,  杨涛

IPC: H01S5/028 ,  H01S5/06

Abstract: 一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的半导体激光器芯片；步骤2：通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，在波长-反射率曲线上得到随波长红移反射率增加的薄膜系统，其中，λ为膜系的中心波长；步骤3：调整所述半导体激光器的腔面反射膜系的中心波长与所述半导体激光器的激射波长，使工作温度范围内激射波长落在反射率-波长曲线上升带宽内，由于半导体激光器的激射波长随温度升高发生红移，使得所述半导体激光器的反射率随温度上升而增大，导致腔面损耗随温度升高而降低，从而改进半导体激光器的温度特性。