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公开(公告)号：CN102427067A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110296940.6
申请日：2011-09-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G11C11/401 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种无电容动态随机存储单元及其制作方法与存储方法，所述存储单元采用两个金属-氧化物-半导体场效应管组合，其中一个具有P型掺杂源区的场效应管作为电荷的提供者和存储者，另一个场效应管则作为存储状态的感知者。本发明的存储单元具有快读读写、长保持时间和高可靠性的特点，制作工艺简单与常规SOICMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN102147828A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110072207.6
申请日：2011-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036
Abstract: 本发明公开了一种体引出结构的SOI场效应晶体管的等效电学模型及其建模方法，该等效电学模型由内部场效应晶体管和外部场效应晶体管并联组成，其中将所述体引出结构SOI场效应晶体管分为体引出部分和主体部分，内部场效应晶体管代表体引出部分的寄生晶体管，外部场效应晶体管代表主体部分的正常晶体管。本发明提出的等效电学模型完整地包括了体引出结构SOIMOSFET器件物理结构的各个部分，即体引出部分和主体部分对其电学特性的影响，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。
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公开(公告)号：CN108878426B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810561734.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
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公开(公告)号：CN109509507B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811301868.X
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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公开(公告)号：CN105845733B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610236397.3
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种P型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，PMOS器件及PN结器件；PN结器件的N区与PMOS器件的体接触区连接，PN结器件的P区与PMOS器件的栅连接。在N型本征区中进行两次P型重掺杂分别形成PMOS器件的源、漏区和PN结器件，再进行N型重掺杂形成PMOS器件的体接触区；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行P型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将PMOS器件的栅和PN结器件的P区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体接触区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了P型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108536959A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810311857.3
申请日：2018-04-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种用于电路辐射效应仿真的辐射模型嵌入方法及仿真方法，包括：获取标准MOS商用静态模型文件；获取建立好的MOS总剂量辐射模型，将所述MOS总剂量辐射模型转换为受控辐射电压源模型及受控侧壁晶体管辐射电流源模型；将所述受控辐射电压源模型及所述受控侧壁晶体管辐射电流源模型的子电路写入所述标准MOS商用静态模型文件中，以构建MOS总剂量辐射模型的电路拓扑结构；将所述MOS总剂量辐射模型以子电路的形式嵌入所述标准MOS商用静态模型文件中，以形成含辐射效应的MOS模型；调用所述含辐射效应的MOS模型进行电路辐射效应仿真。本发明简化了辐射仿真过程，方便电路设计人员直接调用，且适用于Hspice和Spectre仿真器，普适性高。
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公开(公告)号：CN104716191B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201510131999.8
申请日：2015-03-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法，包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的正面形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层上形成源电极及漏电极；去除源电极及漏电极外围的石墨烯沟道层；对石墨烯沟道层进行表面功能化处理或等离子体物理吸附；形成高k栅介质层；在源电极及漏电极之间的高k栅介质层上形成第一栅电极；在半导体衬底的背面形成第二栅电极。直接将石墨烯附着于所需的衬底上，无需进行繁琐的转移，避免了对石墨烯结构造成破坏和杂质污染；该方法制备的双栅双极石墨烯场效应晶体管具备更加优异的开断性能，更高的载流子迁移率以及更小的栅漏电流；工艺流程简单，成本经济，适合基于石墨烯场效应晶体管的大规模生产。
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公开(公告)号：CN107305593A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610252163.8
申请日：2016-04-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法，包括：建立一受控电流源，所述受控电流源并联于一MOSFET器件的源、漏端之间，其电流大小受所述MOSFET器件的栅端、源端、体端、漏端及总剂量控制；建立一受控电压源，所述受控电压源串联于所述MOSFET器件的栅端，其电压大小受总剂量控制；将所述受控电流源、所述受控电压源及所述MOSFET器件进行封装，以形成所述SOI MOSFET总剂量辐照模型。本发明的SOI MOSFET总剂量辐照模型的建模方法可同时仿真NMOS和PMOS，可以仿真阈值电压的漂移，还可仿真各个尺寸、各个辐射剂量的MOSFET特性，大大提高仿真准确性。
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公开(公告)号：CN104362174B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410675314.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。
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公开(公告)号：CN105742366A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610237320.8
申请日：2016-04-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种N型动态阈值晶体管、制备方法及提高工作电压的方法，包括衬底结构，NMOS器件及PN结器件；PN结器件的P区与NMOS器件的体区连接，PN结器件的N区与NMOS器件的栅连接。在P型本征区中进行N型重掺杂分别形成NMOS器件的源、漏区和体区，同时形成PN结器件；在沟道区上方依次形成栅氧化层、多晶硅层，对多晶硅层进行N型重掺杂形成栅；通过通孔和金属将NMOS器件的栅和PN结器件的N区相连。本发明通过在栅体连接通路上形成一个反偏PN结，来提升体区电压、降低阈值电压、提高驱动电流，实现工作电压的提高，扩展了N型动态阈值晶体管在低功耗电路设计领域的应用价值。
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