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公开(公告)号：CN119294244A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411378695.7
申请日：2024-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F30/27 , G06F30/17 , G06T17/20 , G06F119/10
Abstract: 本申请公开了声表面波器件的仿真方法、装置、电子设备及存储介质，其中，声表面波器件的仿真方法可应用于声表面波仿真技术领域，该方法包括：获取声表面波器件内部总声场的场分布数据；确定场分布数据中的目标空间域位移分布数据，基于目标空间域位移分布数据所指示的各相位点对应的谐振场的振幅，在任一简谐周期内选取目标相位点；其中，目标相位点对应的谐振场的振幅小于任一简谐周期内未被选取的相位点对应的谐振场的振幅；对目标相位点在目标空间域位移分布数据中对应的数据进行空间域到波数域的转换处理，得到波数域位移分布结果。本申请在不影响总声场的其他分量的前提下尽可能地减小了声表面波谐振场对波数域位移分布结果的干扰。
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公开(公告)号：CN119254174A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411274341.8
申请日：2024-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种兰姆波谐振器及其制备方法，包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的叉指电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的功能散热薄膜；位于所述功能散热薄膜下方的支撑衬底；所述功能散热薄膜底部设有周期排布或非周期排布的高深宽比凹槽；所述叉指电极对应的压电薄膜区域悬空。本发明通过设置鳍片散热式结构，大大增加薄膜与空气接触的面积，显著增强谐振器的散热能力，进而增强其功率容量和热稳定性；同时，该结构还可以通过对声波的散射，抑制杂散模式在谐振器中的谐振，起到抑制杂散模式的作用，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN113676152B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN113676150B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110987508.5
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种兰姆波器件及其制备方法。该兰姆波器件包括由下至上依次设置的支撑衬底、布拉格反射层、压电薄膜和叉指电极结构；该布拉格反射层包括交替层叠的低声阻抗层和高声阻抗层；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。
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公开(公告)号：CN113630101B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110944319.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115021705B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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公开(公告)号：CN114362705B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111466618.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供单晶压电层；对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层；在缓冲层的目标注入区域注入离子，以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成改性压电层；对缓冲层进行去膜处理，以去除缓冲层；在改性压电层的上表面形成图案化电极，得到声波谐振器。本申请通过对单晶压电层进行离子注入，在单晶压电层的高度方向上形成了材料性质不同的改性压电层，利用改性压电层不同的改性压电材料特性，提高了声波谐振器的工作频率和品质因数，并且降低了声波谐振器的器件损耗。
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公开(公告)号：CN117782179A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311799977.X
申请日：2023-12-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01D5/48
Abstract: 本发明涉及一种声表面波传感器，包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；输入端换能器和输出端换能器，均设置在所述压电薄膜上；所述输入端换能器和输出端换能器之间形成检测区域；第一反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输入端换能器形成检测区域的相对侧；第二反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输出端换能器形成检测区域的相对侧。本发明能够提高传感器的检测精度。
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公开(公告)号：CN113300683B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202110573352.6
申请日：2021-05-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触。通过本发明提供的声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器工作频率低，无法满足5G通信需求的问题。
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