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公开(公告)号：CN110886019B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201911232074.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碱金属溶液催化的二硫化钼制备方法，属于二硫化钼生产技术领域，主要解决的是现有生产方式存在面积覆盖率小、多晶结构的技术问题，所述方法为在生长二硫化钼薄膜前先用碱金属溶液浸泡衬底。本发明可以制备大面积的单晶二硫化钼。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109708766B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201910002036.6
申请日：2019-01-02
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种采用声波谐振器和碳纳米管的探测器及其制造方法，探测器包括声波谐振器，所述的声波谐振器包括衬底，在所述的声波谐振器远离衬底的一侧设有碳纳米管。制造方法为在声波谐振器远离衬底的一侧生长碳纳米管。其优点在于：所述的探测器响应时间短、灵敏度高，同时具有较高的工作频率，具有在无线通信领域的应用前景。
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公开(公告)号：CN110886019A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911232074.7
申请日：2019-12-05
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于碱金属溶液催化的二硫化钼制备方法，属于二硫化钼生产技术领域，主要解决的是现有生产方式存在面积覆盖率小、多晶结构的技术问题，所述方法为在生长二硫化钼薄膜前先用碱金属溶液浸泡衬底。本发明可以制备大面积的单晶二硫化钼。
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公开(公告)号：CN110417373A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910675732.3
申请日：2019-07-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器及制备方法，由上至下依次包括电极铝、压电基片钽酸锂、温度补偿层二氧化硅及衬底硅；所述衬底设有空腔，空腔与贯穿于温度补偿层、压电基片的释放通孔相通，所述压电基片为单晶材料。本发明在不改变压电基片的厚度情况下，谐振器的中心频率随着电极对激励方向的改变而发生变化。
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公开(公告)号：CN107317560A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710329999.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种温度补偿表面声波器件及其制备方法，温度补偿表面声波器件包括电极以及自下而上分布的衬底、第一温度补偿层、压电薄膜层和第二温度补偿层，所述电极位于压电薄膜层的上表面之上、嵌入压电薄膜层的上表面、位于第一温度补偿层的上表面之上或嵌入第一温度补偿层的上表面。本发明将压电薄膜层置于第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层温度补偿层之中，有效提高了表面声波器件的温度补偿效果；采用了第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层具有低热膨胀系数的温度补偿层，热膨胀抑制效果好；通过第一温度补偿层和第二温度补偿层这两层补偿层结构来进行温度补偿，应用范围更广。本发明可广泛应用于通信器件及其制备领域。
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公开(公告)号：CN210431367U
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201921179868.7
申请日：2019-07-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本实用新型公开了一种频率可调的横向场激励薄膜体声波谐振器，由上至下依次包括电极铝、压电基片、温度补偿层及衬底；所述衬底设有空腔，空腔与贯穿于温度补偿层、压电基片的释放通孔相通，所述压电基片为单晶材料。本实用新型在不改变压电基片的厚度情况下，谐振器的中心频率随着电极对激励方向的改变而发生变化。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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