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公开(公告)号：CN105762061A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610084233.3
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种氮化物的外延生长方法，包括如下步骤：提供一衬底；在一第一温度及第一氨气流量下，在所述衬底一表面生长第一氮化铝层；在一第二温度及第二氨气流量下，在所述第一氮化铝层一表面生长第二氮化铝层；在一第三温度及第三氨气流量下，在所述第二氮化铝层一表面生长第三氮化铝层，所述第一氮化铝层、第二氮化铝层及第三氮化铝层形成成核层；其中，所述第二温度及第三温度均大于所述第一温度，所述第一氨气流量及第二氨气流量均大于所述第三氨气流量；在所述成核层表面生长氮化物层。本发明优点在于，能够缓解生长氮化物异质外延存在的晶格不匹配及热失配等问题，减小应力，降低位错密度。
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公开(公告)号：CN103247568B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310175298.5
申请日：2013-05-14
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种带有图形化绝缘埋层的衬底的制作方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底；在支撑衬底用于键合的表面内形成凹槽；采用绝缘材料填充凹槽，从而形成图形化绝缘埋层；将器件衬底和支撑衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，图形化的绝缘埋层是采用沉积或者热氧化工艺形成的，故绝缘性能良好，而且器件衬底并未受到注入影响，缺陷密度低，尤其是在与图形边界的对应处不会形成缺陷。
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公开(公告)号：CN102637607A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201110449519.4
申请日：2011-12-29
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种三维封装方法，包括如下步骤：提供半导体衬底和支撑衬底，所述半导体衬底依次包括重掺杂层和重掺杂层表面的轻掺杂层，所述轻掺杂层中包含至少一半导体器件；在半导体衬底和/或支撑衬底的表面形成绝缘层；以所述绝缘层为中间层，将所述半导体衬底和支撑衬底贴合在一起；采用自停止腐蚀工艺去除所述半导体衬底中的重掺杂层至露出轻掺杂层；在轻掺杂层中形成多个贯孔，所述贯孔的位置与半导体器件的焊盘的位置对应，并暴露出半导体器件的焊盘；采用导电填充物填平所述贯孔。本发明的优点在于，通过采用具有轻掺杂层和重掺杂层的半导体衬底，可以在降低被减薄的衬底的厚度的同时保证衬底表面的平整度。
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公开(公告)号：CN102214613A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110123908.8
申请日：2011-05-13
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: H01L2224/16145
Abstract: 一种三维封装的方法，包括下列步骤：提供一个表面已经制作器件的初始衬底；提供N个叠层衬底，所述叠层衬底包括器件层和位于器件层下方的离子富集层；将初始衬底与一个叠层衬底进行贴合；腐蚀叠层衬底并停止于离子富集层的位置；在叠层衬底中形成器件的电学引线；重复上述步骤，将N个叠层衬底依次键合，形成具有N+1个器件层的三维封装结构；所述N为大于1的整数。
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公开(公告)号：CN105140107B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201510526087.0
申请日：2015-08-25
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种带有电荷陷阱和绝缘埋层衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底；在所述支撑衬底表面形成多晶层作为电荷陷阱；在所述多晶层表面形成覆盖层，所述覆盖层为非晶绝缘材料；抛光所述覆盖层的表面；以被抛光的表面作为键合面，与一器件衬底键合。本发明的优点在于，采用了非晶绝缘的覆盖层作为键合表面，避免了直接对多晶层实施抛光和键合，降低了抛光和键合的难度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047695B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510315457.6
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的高阻衬底及其生长方法。所述衬底包括支撑衬底和支撑衬底表面的高阻层，所述高阻层材料为氮化物，其特征在于，所述高阻层中包含由多个掺杂层和多个非掺杂层交替设置的周期性结构，所述掺杂层的材料为含有深能级掺杂元素的氮化物。本发明的优点在于在保证深能级掺杂浓度导致高阻特性同时，也能很好地保证外延层优良的晶体质量。
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公开(公告)号：CN105762065A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610084235.2
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , C23C16/44 , C30B25/02 , C30B29/40
Abstract: 本发明提供一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法，包括如下步骤：(a)提供一衬底；(b)在第一温度下，在所述衬底一表面外延生长第一氮化物层；(c)中止生长，降温，通入氯气刻蚀；(d)在第二温度下，在所述第一氮化物层表面外延生长第二氮化物层，其中，所述第一温度大于所述第二温度；(e)中止生长，升温，通入氯气刻蚀；(f)在所述第一温度下，在所述第二氮化物层表面外延生长第一氮化物层；(g)循环进行步骤(c)～(f)，形成周期性的氮化物层。本发明的优点在于，缓解氮化物与衬底间存在的晶格不匹配及热失配等问题，有效释放应力，避免外延层裂纹的产生，还能够获得低位错密度、高晶体质量的氮化物薄膜。
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公开(公告)号：CN105755536A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610084218.9
申请日：2016-02-06
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种采用AlON缓冲层的氮化物的外延生长技术，所述技术包括如下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成氮化铝多晶薄膜；对所述氮化铝多晶薄膜进行热氧化处理，形成氮化氧铝多晶层；以氮化氧铝多晶层作为缓冲层，在其上进行氮化物的外延生长。本发明的优点在于，氮化氧铝具有良好的晶格失配弛豫作用，能缓解用于生长氮化物基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配，减小应力，形成柔性应变协变层，柔性地缓冲了外延层和衬底间的应力，可获得低位错密度、高晶体质量的晶体薄膜，与现有半导体技术兼容，重复性好，利于大规模生产。同时氮化氧铝具有良好的热、化学稳定性，不易与衬底和外延层之间发生界面反应，避免外延层的杂质沾污。
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公开(公告)号：CN102909639B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210422897.8
申请日：2012-10-30
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种半导体衬底的表面处理方法以及半导体衬底的制作方法。所述半导体衬底的表面处理方法包括如下步骤：提供一半导体衬底；研磨减薄所述半导体衬底的一表面；采用氧化物抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面；采用半导体衬底抛光浆料抛光所述半导体衬底的被研磨减薄的表面。本发明的优点在于，研磨工艺会在半导体衬底的表面形成一层自然氧化层，本发明采用了能够腐蚀半导体衬底的自然氧化层的氧化物抛光浆料对半导体衬底实施抛光，保证在对半导体衬底表面化学机械抛光之前，半导体衬底的表面是绝对无任何多余物质的，避免不同物质的机械强度不同对研磨造成影响。
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公开(公告)号：CN105047692A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510315434.5
申请日：2015-06-10
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L29/02
CPC classification number: H01L29/02
Abstract: 本发明提供了一种用于高电子迁移率晶体管的衬底，包括支撑衬底、支撑衬底表面的高阻层、高阻层表面的沟道层、以及沟道层表面的势垒层，所述高阻层、沟道层以及势垒层的材料均为氮化物，所述沟道层的材料为掺杂元素浓度为1×1015cm-3～9×1019cm-3的GaN材料，所述掺杂元素选自于As和P中的一种，以及两者的混合物。本发明的优点在于，外延生长氮化物沟道层过程中掺入等电子元素砷或磷，以改善材料的微观电子结构，降低缺陷密度，改善晶格完整性，提高晶体质量，从而提高材料的电子特性如电子迁移率、降低方块面电阻等。
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