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公开(公告)号：CN114420785A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111583307.5
申请日：2021-12-22
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种复合光电材料，具体涉及一种层状氧硫族化合物复合CdS光电材料及制备方法和应用，包括如下步骤：S1：清洗导电衬底；S2：在步骤S1得到的清洗后的导电衬底上制备CdS薄膜；S3：配置氧硫族化合物浆料，并旋涂于步骤S2得到的CdS薄膜上并真空退火；S4：在步骤S3得到的复合薄膜上通过丝网印刷银浆作为背电极，得到所述的层状氧硫族化合物复合CdS光电材料，其结构从下到上依次为导电衬底、CdS薄膜、氧硫族化合物薄膜和Ag电极。与现有技术相比，本发明将层状氧硫族化合物复合CdS制备具有异质结构的薄膜光电材料，由于在异质界面处存在内建电势，可以有效抑制载流子复合，实现光电性能的大幅提升。
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公开(公告)号：CN114133930A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111452856.9
申请日：2021-12-01
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种暖白光石榴石型荧光玻璃陶瓷及其制备方法。化学式为Y2.94‑xCaxAl2‑2xMg2xAl3‑3xSi3xO12:0.06Ce。将Y2O3、CaCO3、MgO、SiO2、Al2O3、CeO2研磨后烧结；再放入氮氢混合气中还原，得到红移型石榴石荧光粉；将红移型石榴石荧光粉、硼硅锌钠玻璃粉分散在有机浆料中，将其均匀分布在石英玻璃衬底上烧结，得到红移型石榴石PiG荧光薄膜；将红移型石榴石PiG荧光薄膜与蓝光芯片复合得到暖白光LED。本发明通过改变Y3Al5O12结构中A、B、C位置中的离子替换浓度来调节荧光粉的光谱，其中发光中心Ce3+的发生质心移动和能级分裂，使光谱实现红移。
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公开(公告)号：CN113717721A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202111110607.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及荧光粉制备技术领域，尤其是涉及一种紫光激发的橙红光荧光粉及其制备方法与应用；该荧光粉属于BaO‑Sc2O3‑Ce2O3体系，其中各个氧化物的质量百分比为：51.93％≤BaO≤52.37％，46.95％≤Sc2O3≤47.34％，0.28％≤Ce2O3≤1.12％。制备时首先称取BaCO3，Sc2O3，和CeO2原料粉体置于球磨机或研钵中研磨，然后放入氧化铝坩埚中，并将其埋入大氧化铝坩埚的碳粉中煅烧，最后在室温下冷却后得到最终产物。使用荧光光谱仪测试其发光性能，该荧光粉能够在紫光激发下，发射出光谱范围涵盖500～750nm的可见光。与现有技术相比，本发明制备的荧光粉实现了紫光激发下的橙红色发射，表明该体系荧光粉具有与紫光芯片搭配组装LED器件的价值。
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公开(公告)号：CN112694263A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202110176863.4
申请日：2021-02-09
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明公开了一种分子铁电体复合CsPbBr3光电薄膜材料、制备方法和应用。所述光电薄膜材料的结构从下到上依次包括透明导电衬底、电子传输层、分子铁电体复合CsPbBr3薄膜和空穴传输层；所述制备方法为：首先在透明导电衬底上制备电子传输层；其次以分子铁电体和CsPbBr3为溶质，DMSO为溶剂，配制溶液，旋涂于电子传输层上，经真空退火处理后形成分子铁电体复合CsPb Br3薄膜；最后再旋涂PEDOT:PSS，经真空退火处理后得到分子铁电体复合CsP bBr3光电薄膜材料。本发明的光电薄膜材料的光电性能大幅度提升，可广泛应用于光电探测器和半导体发光二极管中，具有高经济价值。
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公开(公告)号：CN110373188B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910624943.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 本发明涉及一种紫外激发的Eu单掺杂单相白光发射荧光粉及其制备方法，包括以下步骤：称取CaCO3、Eu2O3、K2CO3和(NH4)H2PO4原料粉体、研磨使原料粉体混合均匀；将得到的混合物置于坩埚中，在500～700℃条件下预烧2.5～3.5小时，将预烧后的样品冷却、研磨均匀；将得到的样品在1000～1200℃下烧结8～12h得到前驱体；称取金属粉末和前驱体，分别置于两个坩埚舟中，并将坩埚舟置于真空管式炉中，抽真空，在低于1000℃的条件下还原烧结处理2～8小时。与现有技术相比，本发明具有能够在紫外光激发下，发射出光谱范围涵盖410‑750nm的可见光，具有荧光粉整体量子效率高、制备方法简单等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107746076B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201710985676.4
申请日：2017-10-20
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C01G30/00
Abstract: 本发明提供了一种制备四硫化锑三铜纳米晶材料的方法，先将反应物前驱体锑硫化合物、硫源、氧化铜或可溶性铜盐、强碱、去离子水加入到反应釜中，所述强碱选自氢氧化钠或氢氧化钾中任意一种；在室温下搅拌至反应物溶解，然后将反应釜密封放入到180‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天，最后离心、干燥即得Cu3SbS4半导体纳米晶材料。本发明采用的原料来源广泛，使用过程中对环境无污染，制备工艺简单、重复性好、制备的产物化学性质稳定。
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公开(公告)号：CN106746687B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：CN201710055819.1
申请日：2017-01-25
Applicant: 上海应用技术大学
Abstract: 一种采用丝网印刷法制备LED封装用荧光玻璃片的方法，按照摩尔百分比称量B2O3、SiO2、Na2O、ZnO和TiO2，然后混合；将研磨好的混合料放入坩埚中熔制，将得到的熔体倒入蒸馏水中进行水淬，并干燥、球磨至玻璃粉待用；制备含有荧光粉的玻璃浆料，所述的玻璃浆料由荧光粉、粘合剂为、分散剂组成；将混合的荧光粉的玻璃浆料搅拌，形成混合均匀的可涂覆浆料；将所制备的可涂覆浆料采用丝网印刷涂覆在超白玻璃衬底的一侧表面上，之后在空气气氛下对涂覆有可涂覆浆料的超白玻璃进行整体热处理，最后制成所述的LED封装用荧光玻璃。本发明的荧光玻璃片作为白光LED的荧光转换材料具有散热性能良好、节能、耐湿等优势。
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公开(公告)号：CN110041929A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910349277.8
申请日：2019-04-28
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/67
Abstract: 本发明公开了一种不含稀土的氧化物基红色荧光粉及其制备方法。所述荧光粉的原料包括以质量百分比计的CaO 23.37％～23.39％，Al2O3 21.25％～21.27％，Nb2O5 55.11％～55.29％，MnO2 0.07％～0.22％。制备方法为：将原料按比例混合均匀；然后将混合物在1350℃煅烧24h，待其冷却至室温即得不含稀土的氧化物基体系红色荧光粉。本发明能够在相应的紫外光/蓝光激发下，发射出波长位于657nm的红光，发光位置能够满足高品质、高显色暖白光LED对红光组分的需求，且由于发射峰的半峰宽窄，所给出的红光发射具备良好的单色性，在色彩调节方面具备显著的优势。
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公开(公告)号：CN109628084A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811637934.0
申请日：2018-12-29
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: C09K11/61
CPC classification number: C09K11/7734
Abstract: 本发明提供了一种蓝色荧光粉的快速制备方法，其特征在于，包括：步骤1：称取CaCO3，SiO2，CaF2和Eu2O3原料粉体置于研钵中研磨后，在800～1200℃下烧结6～12h，冷却至室温，得到样品；步骤2：称取Al粉与样品，分别置于两个坩埚舟中，并将坩埚舟置于真空管式炉中，抽真空，在950～1000℃下进行还原烧结处理，得到蓝色荧光粉。使用远程铝还原反应法作为还原制备手段。不同于传统的气氛还原，铝还原法不需要和荧光粉接触，还原10～60min即可实现由紫外光激发的蓝色荧光粉的制备。
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