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公开(公告)号：CN105280788A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510590082.4
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种LED超声波封装方法，步骤为，首先加工以及清洗基板、膨胀金属板和玻璃盖板，并在基板和玻璃盖板上镀金属膜，在基板上焊接LED芯片，将镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板放置于超声波装置中施加压力，利用超声波对玻璃盖板及膨胀金属板进行焊接。将已焊接完成的镀有金属膜的玻璃盖板和膨胀金属板整体按LED所需尺寸切割成小块。将镀有金属膜的基板置于超声波装置下中施加压力，利用超声波对镀有金属膜的玻璃盖板及膨胀金属板和镀有金属膜的基板进行焊接，焊接完成后停止超声波焊接装置。本发明方法采用无机封装方式，实现了膨胀金属半与玻璃盖板的批量封装，提高了封装的效率，并保证了无机气密封装的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN103592590B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201310560650.7
申请日：2013-11-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种LED器件光电热集成的测试系统及方法。本系统包括：计算机(010)、ARM控制电路(020)、光学测试系统(030)、瞬态热学测试系统(040)以及恒温槽(050)，计算机(010)通过信号线(070)分别与ARM控制电路(020)、瞬态热学测试系统(040)连接，ARM控制电路(020)通过信号线(070)分别与瞬态热学测试系统(040)、光学测试系统(030)连接，恒温槽(050)通过信号线(070)分别与光学测试系统(030)、瞬态热学测试系统(040)连接。本发明的测试系统能对LED器件的光电学参数和热学参数进行同时测量；而且能利用所测光学参数中的光功率对瞬态热阻测试系统施加在LED器件上的电功率进行校正，以获得LED器件的实际的耗散功率，从而实现LED器件光电热的集成测试，提高对LED器件瞬态热阻测试的精确度。
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公开(公告)号：CN104157560A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201410193631.X
申请日：2014-05-09
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L21/02697 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯电极的制备方法，包括如下步骤：a.将基片进行亲水处理；b.在基片上初步制备石墨烯电极层，使初步制备的石墨烯电极层与基片之间依靠范德华力结合在一起；c.对石墨烯电极层进行酸处理，获得石墨烯含氧基团，进而使石墨烯电极层与基片之间通过化学键强化结合，从而形成石墨烯电极。本发明使石墨烯与基片通过化学键结合，有效的改善了石墨烯与衬底粘附不良和易分离脱落的问题，提高了石墨烯和衬底间的粘附性与电荷传输特性，从而保证所制备的光电器件的性能，提高光电器件制备的良品率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN103904108A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410120531.4
申请日：2014-03-28
Applicant: 上海大学
CPC classification number: H01L33/36 , C23C16/26 , C23C16/44 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接，形成石墨烯薄膜层的焊盘，使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上，形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体，在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长，并可通过对金属图形的控制，进一步改善电流分布，提高了器件的出光与散热性能。
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公开(公告)号：CN103537326A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310514209.5
申请日：2013-10-25
Applicant: 上海大学
Abstract: 一种恒温箱，包括：恒温腔体，包括盖体与抽屉槽，盖体收容抽屉槽；温度传感器，与恒温腔体相连，用于检测恒温腔体内温度；以及温度调节装置，与恒温腔体相连，用于调节恒温腔体内温度。上述恒温箱采用抽屉式结构，将箱体开口设于面积较小的侧面，热量上升至密封的箱体顶部也会被阻隔溢出，达到较好的恒温效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103265018A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310190000.8
申请日：2013-05-21
Applicant: 上海大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种结合金属催化剂，直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中，往往会损伤，影响其性能等问题。本发明在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术，其包括如下步骤：A.制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体；B.在非氧化气氛中，高温处理上述所得结合体，使含碳聚合物（2）分解得到与绝缘衬底（1）直接接触的石墨烯；C.刻蚀金属催化剂（3），制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物（2）为碳源和粘附剂，置于金属与绝缘衬底间，使石墨烯直接与绝缘衬底接触，避免了转移损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。
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公开(公告)号：CN101840686A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN201010158127.8
申请日：2010-04-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种液晶电视红绿蓝LED直下式动态背光源驱动方法及系统，包括以下步骤：将整个背光区域分成多个模块，每个模块上的红绿蓝LED数量比是1∶2∶1，提供三路电流，分别驱动红色LED，绿色LED，蓝色LED，每个模块的红绿蓝LED驱动电流的大小由该模块对应的每帧图像所在区域的图像信号来确定。视频图像信号由FPGA分析处理。本发明提供的液晶电视红绿蓝LED背光源驱动方法，对于不同模块采用不用的驱动电流，结合PWM调光。实现液晶电视红绿蓝LED直下式背光的动态控制，有效的降低背光整体功耗。
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公开(公告)号：CN101834253A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010167517.1
申请日：2010-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及了一种氧化锌叠层电极氮化镓基大功率发光二极管及其制备方法。本大功率发光二极管的芯片是蓝宝石sapphire衬底上依次沉积有n型氮化镓n-GaN，多量子阱活性发光区MQW，p型氮化镓p-GaN，氧化锌ZnO基透明薄膜层，金属薄膜层和氧化锌ZnO基透明薄膜层，在氧化锌ZnO基透明薄膜层上有正极金属焊点，在n型氮化镓n-GaN层上有负极金属焊点。本发明采用高导电性稳定金属薄膜层的插入，提高叠层氧化锌ZnO透明电极的有效载流子浓度，从而实现更佳的p型氮化镓p-GaN区域的电流扩散与良好的欧姆接触，有效避免了局部热与热应力的集中，从而提高大功率发光二极管的出光散热性能与器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN119357820A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411394705.6
申请日：2024-10-08
Applicant: 上海大学
IPC: G06F18/2415 , G06N3/0464 , G06N3/0455 , G06F18/214
Abstract: 本申请公开了一种IGBT剩余使用寿命预测方法、系统、设备、介质及产品，涉及剩余使用寿命预测领域，该方法包括获取IGBT当前时刻的饱和压降值；将所述当前时刻的饱和压降值输入至训练后的剩余使用寿命网络预测模型进行预测，得到IGBT下一时刻的饱和压降值；其中，剩余使用寿命网络预测模型包含卷积神经网络和转换器模型，所述转换器模型包括嵌入层、编码器和解码器，所述嵌入层的输出为所述卷积神经网络的输入，所述卷积神经网络的输出为所述编码器的输入；根据所述下一时刻的饱和压降值确定所述IGBT的剩余使用寿命。本申请可提高IGBT剩余使用寿命的预测精度。
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公开(公告)号：CN119104472A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411207264.4
申请日：2024-08-30
Applicant: 上海大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 本发明提供了一种测试水蒸气透过率的分子动力模拟模型及其模拟方法，属于分子动力学技术领域。本发明通过从原子、分子层面了解影响薄膜水蒸气透过率的因素，能够有效地评估和提升OLED封装材料的性能，从而推动OLED技术的进一步发展和应用。本发明利用分子动力学模拟计算薄膜的水蒸气透过率，不但可以有效减少因实验带来的成本与消耗，而且还可以模拟因相关设备和材料的限制等无法准确进行和完成的实验。本发明获得的SiNx薄膜的水蒸气透过率，可以为封装材料的实验制备参数与薄膜封装性能之间的关系提供理论参考，从而提升柔性电子设备的使用寿命。
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