公开(公告)号：CN115989391A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202080102906.8

申请日：2020-07-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小笠原敦 ,  殿冈俊 ,  松田哲也

IPC: F28D7/04

Abstract: 磁制冷装置(100)具备磁热容器(1)、磁场产生装置(8)、高温侧热交换器(11)、低温侧热交换器(12)和泵(13)。在磁热容器(1)中填充有磁热材料(2)。泵(13)构成为能够以在高温侧热交换器(11)与低温侧热交换器(12)之间经由磁热容器(1)往返的方式输送热输送介质(4)。磁热容器(1)具有构成为在同一平面上卷起涡旋的涡旋形状，且构成为使由泵(13)输送的热输送介质(4)沿着涡旋形状流动。

公开(公告)号：CN115667817A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080100993.3

申请日：2020-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小笠原敦 ,  殿冈俊 ,  松田哲也

IPC: F25B21/00

Abstract: 磁热泵(100)具备磁热构件(1)、叶轮(2)、变形构件(3)、框体(4)、电动机(5)及磁场产生部(6)。叶轮(2)具有在相对于中心轴(CA)的周向上排列形成并收容磁热构件(1)的收容室(2C)。变形构件(3)面向收容室，并且形状独立地变化。在框体(4)形成有收容磁热构件、叶轮及变形构件并供热输送介质流通的内部空间、第一流入口(P1)以及在周向上与第一流入口隔开间隔地配置的第一流出口(P2)。电动机(5)使磁热构件、叶轮及变形构件沿在周向上从第一流入口朝向第一流出口的第一方向(A)一体地旋转。磁场产生部(6)在内部空间中的在第一方向上从第一流入口到达第一流出口的第一区域产生沿着第一方向增强的磁场。变形构件的形状伴随着旋转而独立地变化。收容室的容积伴随着变形构件的形状的变化而独立地增减。收容室位于第一区域时的容积比收容室位于第二区域时的容积及收容室位于在第一方向上位于比第一流出口靠前的位置的第三区域时的容积大。

公开(公告)号：CN115516258A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202080100647.5

申请日：2020-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松田哲也 ,  殿冈俊 ,  小笠原敦

IPC: F25B21/00

Abstract: 磁制冷机(200)具备磁制冷用电磁铁(100)。磁制冷用电磁铁包括：旁轭(1)；至少1组对置磁极(2、3)，在旁轭(1)的内侧，相互隔开间隙(6A)地配置；配管(9A)，配置于间隙内，且流过热输送介质；磁热构件(10A)，配置于配管的内部且与热输送介质热交换；以及线圈(7)，包围至少1组对置磁极中的至少一方，且在通电时产生通过间隙的磁通。

公开(公告)号：CN114945998A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202080093374.6

申请日：2020-01-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野村航大 ,  横山彰一 ,  松田哲也

IPC: H01F6/06

Abstract: 在用于MRI装置的超导线圈中，为了得到高强度、高均匀度且在时间上稳定的静电磁场，需要在期望的位置配置超导线，得到期望的线圈形状。超导线圈(1)具备：绕线架(2)；间隔件(3)，其配置于绕线架(2)的外周并具备螺旋状的卷绕槽(5)及设置于卷绕槽(5)之间的连接槽(6)；以及线圈组，其在卷绕槽(5)卷绕超导线(4)而构成。由此，能够得到将线圈形状设为期望的形状的超导线圈(1)。

公开(公告)号：CN108603920B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201680081122.5

申请日：2016-08-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 松田哲也 ,  山本和男

IPC: G01R33/02 ,  H01F7/20 ,  H05H7/04

Abstract: 目的在于提供一种高精度地确定具备多个线圈的组合线圈的线圈间中心位置的磁场测定方法。本发明的磁场测定方法的特征在于，包括：第一径向磁场测定步骤，通过配置在从线圈轴(3)分离的偏置位置的磁场测定元件(2)，在偏置位置处测定沿着与线圈轴(3)平行的偏置轴(旋转轴(4))的第一径向磁场；第二径向磁场测定步骤，在偏置位置处，通过旋转了设定角度的磁场测定元件(2)，测定沿着偏置轴的第二径向磁场；以及中心位置确定步骤，基于第一径向磁场的偏置轴方向的特性即第一径向磁场特性(磁场分布(64))和第二径向磁场的偏置轴方向的特性即第二径向磁场特性(磁场分布(65))来确定线圈间中心位置。

公开(公告)号：CN109690768A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201680089135.7

申请日：2016-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 藤田重人 ,  松田哲也

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L23/051 ,  H01L23/48 ,  H01L24/72 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091

Abstract: 本发明的目的在于提供对半导体芯片短路时的电流路径的断开以及电弧放电的产生进行抑制的半导体模块。本发明涉及的半导体模块(100)具备：至少1个半导体芯片(2)；框体(5)，其对半导体芯片(2)进行收容；以及至少1个压力部件(10)，其配置在半导体芯片(2)的上部电极(2a)与设置于框体(5)的上侧电极(3)之间，将上部电极(2a)与上侧电极(3)电连接，压力部件(10)具有弹性，压力部件(10)具备：导电块(12)；以及板簧部件(11)，其具备电流路径(11a、11b)，所述电流路径(11a、11b)以使得导电块(12)的至少一部分进入所述电流路径(11a、11b)之间的方式彼此相对。

公开(公告)号：CN101960542B

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN200880127797.4

申请日：2008-03-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 野田敏广 ,  松田哲也 ,  木内浩司

IPC: H01F30/00

CPC classification number: H01F30/04 ,  H02P13/06 ,  Y10T307/25 ,  Y10T307/707

Abstract: 本发明的变压装置(101)包括第1高压侧绕组(3)、与第1高压侧绕组(3)磁耦合的第1低压侧绕组(4A)、与第1高压侧绕组(3)磁耦合的第2低压侧绕组(4B)、及对于将从外部提供的电压是提供给第1低压侧绕组(4A)及第2低压侧绕组(4B)还是提供给第1高压侧绕组(3)进行切换的第1开关(SW1，SW2A，SW2B)，第1低压侧绕组(4A)及第2低压侧绕组(4B)被设置成使得在通过第1开关(SW1，SW2A，SW2B)提供电压的情况下、利用第1低压侧绕组(4A)中流通的电流而产生的磁通和利用第2低压侧绕组(4B)中流通的电流而产生的磁通相互抵消。

公开(公告)号：CN1265410C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03155074.6

申请日：2003-08-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中川隆文 ,  月间满 ,  竹内敏惠 ,  小山健一 ,  松田哲也 ,  远矢将大

IPC: H01H3/28 ,  H01H33/38 ,  H01H33/666 ,  H01H51/22 ,  H01H51/27 ,  H01F7/16

CPC classification number: H01H33/6662

Abstract: 一种电磁操作装置(100)，驱动以往的电力输送配电系统中使用的开关装置(500)，用于在轭(1)上保持动子(2)的永磁铁(6)设置在用于驱动动子(2)的励磁线圈(3)、(4)产生的磁路上，所以伴随着励磁电源的通、断而产生涡电流，损伤电磁操作装置(100)的响应特性，并且对电源造成不良影响。为了解决这一问题，在与励磁线圈(3)、(4)产生的磁路不同的磁路上设置永磁铁(6)，来减少涡电流的产生。在第一轭(1)内设置在第一方向往返移动的动子(2)和第一、第二线圈(3)、(4)，具有设置在第二方向上的第二轭(5)，在第二轭(5)上，与动子(2)相对配置永磁铁(6)。