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公开(公告)号：CN115427742A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099771.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F25B21/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下，制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下，制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。
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公开(公告)号：CN111725191A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010187073.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/525
Abstract: 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小，并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。
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公开(公告)号：CN117320621A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202180098148.1
申请日：2021-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: A61B5/0515
Abstract: 生物体信息检测装置具备：投与机构(10)，用于将与脑的内部的对象物结合的磁粒子投与到脑的内部；第1变动磁场施加机构(12a、12b)，从脑的外部对磁粒子施加第1变动磁场；磁信号检测机构(13a、13b)，检测通过第1变动磁场与对象物结合的磁粒子产生的磁信号；以及判定部(14)，根据磁信号的强度，判定对象物的量。
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公开(公告)号：CN115989391B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202080102906.8
申请日：2020-07-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F28D7/04
Abstract: 磁制冷装置(100)具备磁热容器(1)、磁场产生装置(8)、高温侧热交换器(11)、低温侧热交换器(12)和泵(13)。在磁热容器(1)中填充有磁热材料(2)。泵(13)构成为能够以在高温侧热交换器(11)与低温侧热交换器(12)之间经由磁热容器(1)往返的方式输送热输送介质(4)。磁热容器(1)具有构成为在同一平面上卷起涡旋的涡旋形状，且构成为使由泵(13)输送的热输送介质(4)沿着涡旋形状流动。
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公开(公告)号：CN115943303A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202080099671.1
申请日：2020-04-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01N27/74 , G01R33/12 , A61B5/0515
Abstract: 静磁场产生器(2)产生无磁场区域。交流磁场施加器(3)对无磁场区域施加交流磁场。检测线圈(1)为了检测磁化信号而具有与交流磁场的方向平行的轴。测量器(4)与检测线圈(1)连接。谐振频率可变器(5)为了调整检测线圈(1)和测量器(4)的谐振频率，包括与检测线圈(1)并联连接的电容器。以使包括检测线圈(1)、测量器(4)以及包含电容器的谐振频率可变器(5)的闭合电路的谐振频率与高次谐波信号的频率一致的方式调整电容器的容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117063027B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202180096385.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F25B21/00
Abstract: 对磁热材料施加磁场的磁场施加装置(1)具备：磁场产生部件(10)；第1磁轭(11)，连接于磁场产生部件(10)的两极；以及第2磁轭(12)，以能够在第1位置与第2位置之间移动的方式配置。由磁场产生部件(10)和第1磁轭(11)形成的第1闭合磁路(41)穿过容纳有磁热材料的磁场施加区域(R)。由磁场产生部件(10)、第1磁轭(11)和第2磁轭(12)形成的第2闭合磁路(42)绕过磁场施加区域(R)。磁场产生部件(10)、第1磁轭(11)和磁场施加区域(R)的相对位置关系是不变的。第2磁轭(12)位于第2位置时的第2闭合磁路(42)的磁阻小于第2磁轭(12)位于第1位置时的第2闭合磁路(42)的磁阻。
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公开(公告)号：CN117063027A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202180096385.4
申请日：2021-04-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F25B21/00
Abstract: 对磁热材料施加磁场的磁场施加装置(1)具备：磁场产生部件(10)；第1磁轭(11)，连接于磁场产生部件(10)的两极；以及第2磁轭(12)，以能够在第1位置与第2位置之间移动的方式配置。由磁场产生部件(10)和第1磁轭(11)形成的第1闭合磁路(41)穿过容纳有磁热材料的磁场施加区域(R)。由磁场产生部件(10)、第1磁轭(11)和第2磁轭(12)形成的第2闭合磁路(42)绕过磁场施加区域(R)。磁场产生部件(10)、第1磁轭(11)和磁场施加区域(R)的相对位置关系是不变的。第2磁轭(12)位于第2位置时的第2闭合磁路(42)的磁阻小于第2磁轭(12)位于第1位置时的第2闭合磁路(42)的磁阻。
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公开(公告)号：CN111725191B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010187073.1
申请日：2020-03-17
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/49 , H01L23/525
Abstract: 目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小，并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。
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公开(公告)号：CN115427742B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202080099771.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: F25B21/00
Abstract: 本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下，制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下，制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。
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