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公开(公告)号：CN106669048B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610914852.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明的粒子射线照射装置具备：加速器(2)，其射出脉冲状的粒子射束；屏蔽构件(5)，其具备将从该加速器(2)射出的脉冲状的粒子射束向照射对象物(4)的照射进行屏蔽的功能；数据库(7)，其与加速器(2)的驱动条件对应地存储粒子射束的1个脉冲中的粒子数量的时间依存性；运算构件(8)，其根据向照射对象物(4)照射的目标累积粒子数量和被存储在数据库(7)中的粒子射束的1个脉冲中的粒子数量的时间依存性，算出屏蔽构件(5)的屏蔽动作的时机；和屏蔽控制构件(6)，其根据由运算构件(8)运算的屏蔽构件(5)的屏蔽动作的时机，控制屏蔽构件(5)。
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公开(公告)号：CN106669048A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610914852.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: A61N5/10
CPC classification number: A61N5/1007 , A61N2005/1087 , A61N2005/1092 , A61N2005/1094
Abstract: 本发明的粒子射线照射装置具备：加速器(2)，其射出脉冲状的粒子射束；屏蔽构件(5)，其具备将从该加速器(2)射出的脉冲状的粒子射束向照射对象物(4)的照射进行屏蔽的功能；数据库(7)，其与加速器(2)的驱动条件对应地存储粒子射束的1个脉冲中的粒子数量的时间依存性；运算构件(8)，其根据向照射对象物(4)照射的目标累积粒子数量和被存储在数据库(7)中的粒子射束的1个脉冲中的粒子数量的时间依存性，算出屏蔽构件(5)的屏蔽动作的时机；和屏蔽控制构件(6)，其根据由运算构件(8)运算的屏蔽构件(5)的屏蔽动作的时机，控制屏蔽构件(5)。
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公开(公告)号：CN105027686B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380073920.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 在将从第一级线性加速器(2)射出的带电粒子入射并通过第二级线性加速器(3)进行加速的高频加速器的制造方法中，包括如下的设定步骤：对提供至功率分配装置(7)的第二级线性加速器(3)的高频功率的功率分配率(R)的值、以及从第一级线性加速器(2)的出口到第二级线性加速器(3)的入口为止的匹配部(8)的长度L与高频功率的角频率ω之间的比L/ω的值进行设定，以使得在第二级线性加速器(3)中的比基于针对各相位的入射带电粒子的相位接受度而决定的所述全高频功率的容许范围中的最大容许范围还要大的全高频功率的范围内，从第二级线性加速器(3)射出带电粒子束。
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公开(公告)号：CN105027686A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201380073920.X
申请日：2013-02-28
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H7/08 , A61N5/10 , H01J9/42 , H01J9/44 , H05H7/02 , H05H7/22 , H05H9/041 , H05H9/045 , H05H9/047 , H05H13/04 , H05H2007/025 , H05H2007/082 , H05H2007/227
Abstract: 在将从第一级线性加速器(2)射出的带电粒子入射并通过第二级线性加速器(3)进行加速的高频加速器的制造方法中，包括如下的设定步骤：对提供至功率分配装置(7)的第二级线性加速器(3)的高频功率的功率分配率(R)的值、以及从第一级线性加速器(2)的出口到第二级线性加速器(3)的入口为止的匹配部(8)的长度L与高频功率的角频率ω之间的比L/ω的值进行设定，以使得在第二级线性加速器(3)中的比基于针对各相位的入射带电粒子的相位接受度而决定的所述全高频功率的容许范围中的最大容许范围还要大的全高频功率的范围内，从第二级线性加速器(3)射出带电粒子束。
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公开(公告)号：CN102651942B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210028229.7
申请日：2012-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H05H13/00
CPC classification number: H05H13/005 , H05H7/12 , H05H13/02
Abstract: 本发明提供一种能够通过1台加速器容易地变更加速能量，且在加速中不需要变更高频加速电极部的共振频率的圆形加速器。具备：偏转电磁铁，形成偏转磁场；高频电源，用于与带电粒子的旋绕频率相匹配地产生高频电场；高频电磁场结合部，与该高频电源连接；加速电极，与该高频电磁场结合部连接；以及加速电极相对接地板，设置成在与加速电极之间形成在带电粒子的旋绕方向产生高频电场的加速空隙，偏转电磁铁生成如下偏转磁场，使带电粒子的旋绕频率在带电粒子的入射至射出的期间，相对带电粒子的射出部分的旋绕频率以0.7％以上24.7％以下的变化量变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108603920B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680081122.5
申请日：2016-08-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供一种高精度地确定具备多个线圈的组合线圈的线圈间中心位置的磁场测定方法。本发明的磁场测定方法的特征在于，包括：第一径向磁场测定步骤，通过配置在从线圈轴(3)分离的偏置位置的磁场测定元件(2)，在偏置位置处测定沿着与线圈轴(3)平行的偏置轴(旋转轴(4))的第一径向磁场；第二径向磁场测定步骤，在偏置位置处，通过旋转了设定角度的磁场测定元件(2)，测定沿着偏置轴的第二径向磁场；以及中心位置确定步骤，基于第一径向磁场的偏置轴方向的特性即第一径向磁场特性(磁场分布(64))和第二径向磁场的偏置轴方向的特性即第二径向磁场特性(磁场分布(65))来确定线圈间中心位置。
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公开(公告)号：CN107251658B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201580076520.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H13/04 , A61N2005/1087 , H05H7/02 , H05H7/08 , H05H7/22 , H05H9/042 , H05H2007/025 , H05H2007/082 , H05H2007/222 , H05H2007/225 , H05H2277/11
Abstract: 本发明的同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法中，在对第一离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第一离子加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，在对与第一离子相比荷质比小的第二离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第二离子加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于第一加速周期差。
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公开(公告)号：CN107708803A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201580081260.9
申请日：2015-07-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: A61N5/10
Abstract: 本发明的目的在于，无需具有高位置分辨率的剂量检测器，且能实现既排除了静态不确定性又排除了动态不确定性的患者QA。本发明的剂量分布运算装置(10)的特征在于，包括：在对治疗对象的替代物即模体(21)照射粒子射束(20)的确认照射中，利用测定装置测定粒子射线治疗装置(50)所产生的粒子射束(20)的粒子射束信息，对该测定粒子射束信息进行存储的射束信息存储部(测定能量存储部(14)、测定电荷存储部(12)、测定射束中心轴存储部(13))；及基于测定粒子射束信息(测定能量(E)、测定射束量(测定电荷数(Q))、测定射束中心轴位置(Px、Py))运算照射剂量分布(合计剂量分布(Di))的合计剂量运算部(15)。
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公开(公告)号：CN107251658A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580076520.3
申请日：2015-07-10
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H13/04 , A61N2005/1087 , H05H7/02 , H05H7/08 , H05H7/22 , H05H9/042 , H05H2007/025 , H05H2007/082 , H05H2007/222 , H05H2007/225 , H05H2277/11
Abstract: 本发明的同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法中，在对第一离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第一离子加速的加速半周期的差成为第一加速周期差，在对与第一离子相比荷质比小的第二离子进行加速的情况下，向漂移管直线加速器提供高频功率，使得在相邻的漂移管间隙中对第二离子加速的加速半周期的差即第二加速周期差大于第一加速周期差。
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公开(公告)号：CN105766068B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201380081176.8
申请日：2013-11-26
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H05H7/08 , H05H9/00 , H05H9/04 , H05H13/04 , H05H2007/082 , H05H2277/10
Abstract: 本发明的同步加速器用注入器系统包括：产生第一离子的第一离子源；产生电荷质量比小于第一离子的电荷质量比的第二离子的第二离子源；具有能将第一离子和第二离子中的任一离子均进行加速的能力的预加速器；构成为将第一离子和第二离子中的任一离子注入至预加速器的低能量射束输送线路；及仅将从预加速器射出的加速后的第一离子进行加速的自聚焦型后加速器。
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