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公开(公告)号：CN101125859A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710005782.8
申请日：2007-02-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01M10/0569 , C07F7/1804 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , H01M2300/0025
Abstract: 本发明提供式1所示的硅烷化合物，式中n，m，p，q，R1，R2，R3，R4，R5，R6，R7，R8，及A1如说明书中所定义的。本发明还提供有机电解质溶液和使用它的锂电池。该有机电解质溶液使用新的硅烷化合物，因而阻止可能因为电池充/放电期间阳极活性物质的体积变化导致的裂缝形成，进而保证良好的充/放电特性，提高电池的稳定性、可靠性和充/放电效率，其不象普通有机电解质溶液那样，因为极性溶剂的分解而具有较高的不可逆容量。
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公开(公告)号：CN101020755A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200710003925.1
申请日：2007-01-18
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: C08J5/2275 , C08J2343/04 , H01M8/04186 , H01M8/04268 , H01M8/1011 , H01M8/1023 , H01M8/1025 , H01M8/1027 , H01M8/103 , H01M8/1032 , H01M8/1037 , H01M8/1039 , H01M8/1044 , H01M8/1081 , H01M2300/0082 , Y02E60/523 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了聚合物电解质膜、该聚合物电解质膜的制备方法和包括该聚合物电解质膜的燃料电池，其中该聚合物电解质膜包括含有聚倍半硅氧烷基团的共聚物和离子传导性聚合物。该聚合物电解质膜具有改善的离子传导率和改善的抑制甲醇跨接的能力，因此可以用作燃料电池，优选直接甲醇燃料电池的电解质膜。
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公开(公告)号：CN1626537A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1616468A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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公开(公告)号：CN100393730C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100383147C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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