公开(公告)号：CN1767008A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510092408.7

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林志庆 ,  金庸洙 ,  李丙圭 ,  吴薰翔 ,  李兑孝

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/82

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/653 ,  G11B5/656 ,  G11B5/667

Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。

公开(公告)号：CN1459777A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN03103392.X

申请日：2003-01-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庸洙

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3903 ,  G11B5/00 ,  G11B5/1278 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/313 ,  G11B2005/0016 ,  G11B2005/0029

Abstract: 本发明提供了一种磁读取头。该磁读取头读取记录在具有柔性底层和叠置在该柔性底层上的磁性层的记录媒质上的信息，并包括一磁阻元件和一对屏蔽层。该磁阻元件位于该磁性层之上，与该柔性底层保持一预定距离(G)。该对屏蔽层平行于磁阻元件设置，与该磁阻元件的两侧保持预定距离。此处，该屏蔽层具有比预定距离(G)的两倍小的宽度。在此结构中，通过适当调节该屏蔽层的宽度，使得由屏蔽层下方的记录媒质的磁化形成的磁场不影响该磁阻元件。结果，磁读取头的灵敏度可提高。

公开(公告)号：CN1332443A

公开(公告)日：2002-01-23

申请号：CN01117433.1

申请日：2001-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庸洙 ,  任映勋 ,  李丙圭

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B5/313 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/23 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3166

Abstract: 一种包括用于产生以使记录媒体磁化而具有预定图形的漏磁通的上磁极和下磁极的磁头,其中上磁极具有相对于记录媒体的侧面的中心部分厚于该侧面的边缘的结构。在这种磁头中,上磁极具有中心部分凸得比其边缘高的形状。因,即使减小上磁极宽度也能够使磁场分布的形状保持矩形,这就能够增大记录媒体中的磁道密度。