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公开(公告)号：CN115988955A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202310002648.1
申请日：2023-01-03
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成：步骤1，将ITO导电玻璃放在紫外光下UV处理作为底电极；步骤2，制备含过渡金属硫属化物纳米片和聚合物的混合液，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，使用掩膜板通过热蒸镀的方法镀金属顶电极。本发明操作简单成本不高，并且环保灵活，对实验仪器要求不高。另外，将基板换为涂有ITO的PET基材(用具有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯)作为底部电极时，可以制成柔性忆阻器。
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公开(公告)号：CN115911183A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211627567.2
申请日：2022-12-16
IPC: H01L31/18 , H01L31/107 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P‑区；在P‑区上部的一侧形成P+区，在P‑区上部的另一侧形成有N+区，以及邻接N+区且位于P+区和N+区间的P区；源极和漏极，分别形成在硅衬底的P+区和N+区上方，并与之相接触；氧化层，覆盖源极和漏极外的硅衬底表面。与CMOS工艺兼容，可检测低强度光，适用于ToF测距传感器。
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公开(公告)号：CN115862694A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211641274.X
申请日：2022-12-20
Abstract: 本发明公开了一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其中，该忆阻器件包括由纯相SrFeO2.5或SrCoO2.5材料制成的存储介质层，极性切换方法包括：将该忆阻器件的底电极层接地，在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压；在顶电极层施加0～+6V正向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～‑2V负向直流扫描电压，接着在顶电极施加0～+2.5V正向直流扫描电压；在顶电极层上施加0～‑6V负向直流扫描电压，然后在顶电极层施加0～2V正向直流扫描电压，接着在顶电极层施加0～‑2.5V负向直流扫描电压。本发明可有效提高忆阻器件的应用场景。
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公开(公告)号：CN115660079A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211339578.0
申请日：2022-10-27
IPC: G06N3/126 , G06F17/16 , G06F18/2415
Abstract: 本发明公开了一种用于特征选择的忆阻器遗传算法的加速器及其操作方法，加速器包括第一控制模块、忆阻器阵列模块、第二控制模块和处理器模块；第一控制模块将处理器模块发送的数据转换为模拟量后输入至忆阻器阵列模块中，并在解更新阶段更新忆阻器阵列模块存储单元的状态；忆阻器阵列模块存储特征子集，并实现忆阻器单元在阵列中的原位更新；第二控制模块接收忆阻器阵列模块的电流信号，并将其转换为电压信号，再将电压信号转换为数字信号后传输至处理器模块；处理器模块在适应度计算阶段发送预处理后的数据到第一控制模块，接收并处理第二控制模块输出的数字信号。本发明减少了数据传输的过程，降低了电路开销，有效的减少了运算时间和功耗。
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公开(公告)号：CN115498230A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211065511.2
申请日：2022-08-31
IPC: H01M8/1246 , H01M8/126 , H01M8/124 , H01M8/1213 , H01M8/1231
Abstract: 本发明提供双层电解质结构的组装燃料电池及其制备方法，镧镨共掺杂氧化铈进行模压得到半电池坯片；将锶掺杂的铁酸镧的电解质溶液刷涂到半电池坯片的电解质一端，得到双层结构的半电池坯片；将含有双层结构的半电池坯片与阴极坯片在夹具内组装得到电池坯片；将所述电池坯片在400～500℃下进行烧结，得到所述燃料电池。燃料电池的阳极材料中NCAL在还原气氛下被还原成金属镍，起到传导电子和催化还原燃料的作用之外，组分间相互协同，在三相界面具有高的电催化活性和电子传导率，同时其与电解质材料、连接体材料间有良好的化学、热兼容性，材料成本低廉，制备过程简单，可用来取代贵金属材料，降低产品成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114937659B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210858221.7
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一基板；位于所述第一基板上阵列排布的多个第一功能芯片；以及位于所述第一功能芯片表面上的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一基板上的投影分别与至少两个所述第一功能芯片在所述第一基板上的投影至少部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN114937658B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210858190.5
申请日：2022-07-21
Applicant: 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 , 湖北江城实验室
IPC: H01L25/065 , H01L23/367
Abstract: 本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第一晶圆上的投影与至少两个相邻的所述第一功能芯片部分重叠；所述第二功能芯片与至少两个相邻的所述第一功能芯片在重叠的区域内键合连接；键合连接的所述第一功能芯片与所述第二功能芯片之间具有信号通道多路连接通道；所述多路连接通道被配置为使所述第二功能芯片与至少两个所述第一功能芯片之间具有信号通信。
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公开(公告)号：CN115020660A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210404309.1
申请日：2022-04-18
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/60 , H01M10/054
Abstract: 本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料，首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而得到MnO2，再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨，从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合，得到PQ‑MnO2复合电极材料，其中PQ与MnO2的相互作用，提高了PQ的电压平台，且较单独的PQ或MnO2，复合材料的容量更高，循环稳定性更好。
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公开(公告)号：CN114990629A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210858005.2
申请日：2022-07-20
IPC: C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeOx/Fe3O4形成了稳定的界面结构，在界面处有着更快的电荷转移，降低了析氧反应过电势，利用本发明催化剂的界面处的快速电荷转移能够显著提升电化学动力学过程，从而实现高效稳定的电解水析氧。本发明合成的催化剂能耗小、工艺简单、成本低，在一定程度上解决了钴铁体系类材料合成方法具有局限性、能耗大、工艺复杂、成本高、等问题。
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公开(公告)号：CN114970840A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
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