形状测量装置及其方法
    53.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110296662B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201910113440.0

    申请日:2019-02-13

    Inventor: 田原和彦

    Abstract: 本发明提供一种形状测量装置,基于对第1A面测量光和第2A面测量光进行光外差干涉而得到的A面参照干涉光和A面测量干涉光、以及对第1B面测量光和第2B面测量光进行光外差干涉而得到的B面参照干涉光和B面测量干涉光来测量被测量物(WA)的厚度变化量,在进行上述各光外差干涉时,将上述第1A面测量光和上述第2B面测量光设为同一频率,并且将上述第1B面测量光和上述第2A面测量光设为同一频率。

    铝合金溅射靶材
    55.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110205591B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201910619403.7

    申请日:2016-04-20

    Inventor: 高木胜寿

    Abstract: 本发明是一种铝合金溅射靶材,其包含含有0.1原子%~3原子%的Nd的铝合金,X射线衍射峰值强度满足下述式(1)的关系,维氏硬度为29~36;IAl(200)>IAl(311)>IAl(220)>IAl(111)…(1)式中,IAl(200)表示Al(200)面的X射线衍射峰值强度,IAl(311)表示Al(311)面的X射线衍射峰值强度,IAl(220)表示Al(220)面的X射线衍射峰值强度,IAl(111)表示Al(111)面的X射线衍射峰值强度。

    氧化物烧结体及溅射靶
    57.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110662727B

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201880032263.7

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及溅射靶,其中,金属元素包括In、Ga、Zn及Sn,且所述氧化物烧结体包含由InGaO3(ZnO)m(m为1~6的整数)表示的六方晶层状化合物,当将对于所述氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Zn及Sn的含量的比例(原子%)分别设为[In]、[Zn]及[Sn]时,满足式(1)~式(3)。[Zn]≧40原子%…(1)、[In]≦15原子%…(2)、[Sn]≦4原子%…(3)。根据本发明,即便在添加有大量Zn的In‑Ga‑Zn‑Sn系氧化物烧结体中,也可抑制接合时的破裂的发生。

    氧化物烧结体及溅射靶
    58.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110636996A

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201880032267.5

    申请日:2018-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体,其中,金属元素包括In、Ga、Zn及Sn,且所述氧化物烧结体包含Ga2In6Sn2O16、ZnGa2O4及InGaZnO4,当将相对于氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Ga、Zn及Sn的含量的比例(原子%)分别设为[In]、[Ga]、[Zn]及[Sn]时,满足式(1)~式(3)。[Ga]≧37原子%…(1)、[Sn]≦15原子%…(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7…(3)。根据本发明,即便在添加有大量Ga的In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体中,也可抑制接合时的破裂的发生。

    形状测量装置及其方法
    59.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110296662A

    公开(公告)日:2019-10-01

    申请号:CN201910113440.0

    申请日:2019-02-13

    Inventor: 田原和彦

    Abstract: 本发明提供一种形状测量装置,基于对第1A面测量光和第2A面测量光进行光外差干涉而得到的A面参照干涉光和A面测量干涉光、以及对第1B面测量光和第2B面测量光进行光外差干涉而得到的B面参照干涉光和B面测量干涉光来测量被测量物(WA)的厚度变化量,在进行上述各光外差干涉时,将上述第1A面测量光和上述第2B面测量光设为同一频率,并且将上述第1B面测量光和上述第2A面测量光设为同一频率。

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