公开(公告)号：CN111788492B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN201980016772.5

申请日：2019-03-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  楠纮慈 ,  伊佐敏行 ,  千田章裕 ,  山内谅 ,  栗城和贵 ,  田岛亮太

IPC: G01R31/367 ,  G01R31/392 ,  H01M10/42 ,  H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  G01R31/3842

Abstract: 提供一种不容易产生错误工作且能够高精度地进行异常检测的二次电池的控制方法。本发明是一种二次电池的充电状态推测装置，包括：产生电磁噪声的器件；测量与器件电连接的二次电池的电压值的第一检测单元；测量与器件电连接的二次电池的电流值的第二检测单元；从使用第一检测单元或第二检测单元得到的多个包括电磁噪声的数据抽出电磁噪声与驱动模式之间的因果关系，根据该因果关系进行数据校正的校正单元；以及根据数据校正后的数据使用回归模型算出充电率的运算单元。

公开(公告)号：CN118632853A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202380019579.3

申请日：2023-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 角井俊昭 ,  山口知也 ,  吉住英子 ,  濑尾哲史

IPC: C07F5/02 ,  C09K11/06 ,  H10K50/00 ,  C07D231/12 ,  C07F5/00 ,  C07F19/00

Abstract: 提供一种提高发光器件的发光效率的新颖有机金属配合物。提供一种由通式(G1)表示的有机金属配合物。在通式中，X表示碳或氮，该碳与氢(包括氘)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基以及取代或未取代的芳基中的任一个键合。R1至R3分别独立地表示氢(包括氘)、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基以及取代或未取代的芳基中的任一个。此外，n表示1以上且4以下的整数。注意，硼酸盐配体可以彼此相同或不同。此外，每个n可以彼此相同或不同。此外，在n为2以上时，每个X、每个R1及每个R2可以彼此相同或不同。此外，在n为2以下时，R3可以彼此相同或不同。#imgabs0#

公开(公告)号：CN118591888A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018329.8

申请日：2023-02-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种包括尺寸微小的晶体管的半导体装置。半导体装置包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。半导体层与第一绝缘层的顶面及侧面以及第一导电层的顶面接触。第二导电层设置在半导体层上。第二导电层在与第一开口重叠的区域中包括第二开口。第二绝缘层设置在半导体层及第二导电层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层与第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括膜密度比第三绝缘层高的区域。

公开(公告)号：CN114115609B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202111465912.2

申请日：2017-11-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 川岛进 ,  丰高耕平 ,  高桥圭

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044 ,  G09G3/36 ,  H01L27/12 ,  H10K59/40 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

Abstract: 本发明提供一种同时实现利用触摸传感器单元的高准确度检测工作和流畅输入的显示装置。本发明是一种包括显示单元和触摸传感器单元的显示装置。触摸传感器单元以与显示单元改写显示图像的工作不同的时序进行检测触摸的工作，可实现准确度高的检测工作。此外，显示单元具有只对需要改写的区域进行改写显示图像的工作的功能。在显示区域的所有区域都不需要改写的情况下，通过延长触摸传感器单元进行检测工作的时间，可实现流畅的输入。

公开(公告)号：CN118556296A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202380017236.3

申请日：2023-01-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  中田昌孝 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/22 ,  H10K50/00 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种包括微细的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括半导体层、第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层以及第二绝缘层的半导体装置。第一绝缘层设置在第一导电层上并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层设置在第一绝缘层上并在与第一开口重叠的区域包括第二开口。半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二绝缘层设置在半导体层上。第三导电层设置在第二绝缘层上。第一绝缘层具有第三绝缘层及第三绝缘层上的第四绝缘层的叠层结构。第四绝缘层包括其膜密度比第三绝缘层高的区域。

公开(公告)号：CN118530162A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410588024.7

申请日：2018-11-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 门间裕史 ,  铃木恒德 ,  桥本直明 ,  泷田悠介 ,  濑尾哲史

IPC: C07D209/80

Abstract: 本发明的目的是提供一种新颖的有机化合物。另外，本发明的目的是提供一种新颖的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种发光效率良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种寿命良好的发光元件。另外，本发明的目的是提供一种驱动电压低的发光元件。提供一种由下述通式(G1)表示的二苯并[c,g]咔唑衍生物、以及使用该衍生物的发光元件。注意，R11至R22中的至少一个表示具有三环以上且六环以下的稠合芳香烃骨架的总碳原子数为14至60的取代基，其余的分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、碳原子数为3至6的环烷基以及碳原子数为6至25的取代或未取代的芳基中的任一个。

公开(公告)号：CN118525240A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202380016832.X

申请日：2023-01-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中村太纪 ,  池田寿雄 ,  初见亮 ,  广濑丈也

IPC: G02B27/02 ,  H04N5/64 ,  H10K59/128 ,  H10K59/90

Abstract: 本发明的一个方式提供一种用户能够看到高质量图像的电子设备。该电子设备包括第一显示装置(41)、第二显示装置(44a)、第三显示装置(44b)、光学组合器(38)以及透镜(35)。第一、第二及第三显示装置分别具有第一、第二及第三显示部(33、37a、37b)。第一、第二及第三显示部中分别排列有多个第一、第二及第三像素(23、27a、27b)。光学组合器具有第一面以及与第一面相反一侧的第二面。第一显示装置(41)及透镜(35)设置在第一面一侧，第二显示装置(44a)及第三显示装置(44b)设置在第二面一侧。第二显示装置(44a)与第三显示装置(44b)重叠。第三显示部(37b)以俯视时围绕第二显示部(37a)的至少一部分的方式设置。一个第一像素(23)的面积及一个第二像素(27a)的面积比一个第三像素(27b)的面积小。

公开(公告)号：CN112242173B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202011122456.7

申请日：2010-09-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/3208 ,  G09G3/36

Abstract: 本发明涉及半导体器件。移位寄存器或者包含该移位寄存器的显示装置的功率消耗被降低。时钟信号由多条布线，而不是由一条布线来供应给移位寄存器。该多条布线中的任一条仅在移位寄存器的操作时段的部分时间内，而不是在移位寄存器的整个操作时段内供应时钟信号。因此，由供应时钟信号所引起的容量负载能够得以降低，从而使得移位寄存器的功率消耗降低。

公开(公告)号：CN118507531A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410718963.9

申请日：2019-03-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  中泽安孝

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。

公开(公告)号：CN118458757A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202410660785.9

申请日：2017-12-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小国哲平 ,  内田彩 ,  门间裕史

IPC: C01B32/194 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/052 ,  C01B32/198

Abstract: 本公开的发明名称是“二次电池及其制造方法”。提供一种在使用包含固体电解质的固体电池中防止正极与负极之间的短路的层。作为正极与负极之间的固体电解质，使用包含石墨烯化合物的层。包含石墨烯化合物的层能够使锂离子穿过。预先对包含石墨烯化合物的层添加锂离子。具体而言，使用修饰剂，并使用使扩大层间距离的醚、酯等官能团化学修饰的石墨烯化合物。