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公开(公告)号：CN110366732B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201880014717.8
申请日：2018-01-12
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 所描述的示例包括集成电路，该集成电路包括矢量乘法单元(314)，该矢量乘法单元(314)包括乘法/累加节点。矢量乘法单元(314)可操作以提供来自乘法/累加节点的输出。此外，集成电路包括：用于以矢量格式向矢量乘法单元提供第一数据的第一数据馈送器(312)；以及用于以矢量格式向矢量乘法单元提供第二数据的第二数据馈送器(310)。
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公开(公告)号：CN108231784B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201711273804.9
申请日：2017-12-06
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H10B41/30 , H01L29/788
Abstract: 本申请涉及分栅闪速存储器单元中的选择栅极自对准图案化，并且公开一种包含半导体表面(205a)的分栅闪速存储器单元(单元)(295)，其可以通过包括对选择栅极进行自对准图案化的方法形成。在第一浮栅(FG)(210)上的第一控制栅(CG)(230)和在第二FG(220)上的第二CG(240)位于半导体表面上。公共源极/漏极(245)在第一FG和第二FG之间。第一选择栅极和第二选择栅极在选择栅极电介质层(216)上分别位于半导体表面中的第一BL(218)源极/漏极与第一FG之间和第二BL(228)源极/漏极与第二FG之间。第一选择栅极和第二选择栅极是间隔件形状的。
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公开(公告)号：CN108807272B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201810382043.9
申请日：2018-04-26
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： B·胡 , A·H·卡哈兹-斯耶德 , S·阿尔莎德
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本申请公开了用于N型掩埋层集成的穿过屏蔽层的高剂量锑注入。通过在衬底(104)的顶表面(106)上形成薄屏蔽层(108)来形成具有n型掩埋层(NBL)的微电子器件(100)。锑(114)穿过由注入掩模(110)暴露的屏蔽层(108)被注入到衬底(104)中；注入掩模(110)阻挡锑(114)到NBL区域(112)外侧的衬底(104)。注入掩模(110)被移除，留下屏蔽层(108)在表面(106)上，该屏蔽层在NBL区域(112)上方以及在NBL外侧的区域上方具有相同的厚度。在退火/驱动工艺期间，在NBL区域(112)中以及在NBL区域外侧都形成二氧化硅。在NBL区域(112)中形成稍微多一些的二氧化硅，在该区域中消耗更多的硅并因此形成浅的硅凹槽。在衬底(104)的顶表面(106)上生长外延层。还公开了微电子器件(100)的结构。
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公开(公告)号：CN111034135B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201880052282.6
申请日：2018-08-13
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: H04L41/0894 , H04H40/09
Abstract: 在用于使用无线通信设备的单个无线电装置同时执行多个协议的方法中，该方法包括：在无线电命令调度器中从在无线通信设备上执行的协议堆栈中的第一协议堆栈接收第一无线电命令(400)；基于协议堆栈中的每个协议堆栈的当前状态，确定用于第一无线电命令的调度策略(402)；以及基于调度策略，在用于无线电的无线电命令队列中调度第一无线电命令(404)。无线电命令调度器使用无线电命令队列以调度从协议堆栈接收的无线电命令。
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公开(公告)号：CN117813761A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202280053454.8
申请日：2022-08-15
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Inventor： J·A·桑克曼
Abstract: 一种放大器(300)包括第一级(302)和第二级(304)。第一级(302)包括第一输出和第二输出。第二级(304)包括第一晶体管(310)、第二晶体管(312)和共模电路(336)。第一晶体管(310)包括耦合到第一级(302)的第一输出的漏极。第二晶体管(312)包括耦合到第一级的第二输出的漏极。共模电路(336)包括耦合到第一晶体管(310)的漏极和第二晶体管(312)的漏极的可逆电流镜电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117795392A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202280054682.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G02B26/08
Abstract: 一个示例(610)包括：电极层(625)，该电极层包括地址电极(636、637)和铰链基部(639)；在电极层之上的铰链层(623)，铰链层包括：扭转铰链(619)，该扭转铰链在相对端之间具有纵向轴线；与扭转铰链间隔开的第一单个弹簧尖端(607)和第二单个弹簧尖端(617)；以及与扭转铰链、与第一单个弹簧尖端并且与第二单个弹簧尖端间隔开的凸起电极(606、616)；以及在铰链层之上的反射镜(614)，反射镜具有在第一拐角和第二拐角之间的对角线上的倾斜轴线，倾斜轴线与扭转铰链的纵向轴线对齐，反射镜具有跨过倾斜轴线彼此相对的第一倾斜拐角和第二倾斜拐角，第一单个弹簧尖端在第一倾斜拐角下方，并且第二单个弹簧尖端在第二倾斜拐角下方。
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公开(公告)号：CN113168392B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN201980066305.3
申请日：2019-08-09
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
IPC: G06F13/40
Abstract: 在所描述的示例中，一种电路(200)包括：第一反相器(210)，其耦合在第一节点(248)与第二节点(256)之间；第二反相器(212)，其耦合在第三节点(250)与第四节点(258)之间；以及第一逻辑电路(214)，其具有耦合到第二节点(256)的第一输入、耦合到第四节点(258)的第二输入，以及输出；以及第一正反馈电路(206)，其耦合在第一节点(248)与第三节点(250)之间并具有控制输入。第一正反馈电路(206)包括：第一开关(224)，其耦合在第一节点(248)与第五节点(252)之间并具有控制输入；第二开关(230)，其耦合在第三节点(250)与第六节点(254)之间并具有控制输入；第三反相器(226)，其具有耦合到第六节点(254)的输入和耦合到第五节点(252)的输出，以及第四反相器(228)，其具有耦合到第五节点(252)的输入以及耦合到第六节点(254)的输出。
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公开(公告)号：CN117749106A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311211782.9
申请日：2023-09-19
Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司
Abstract: 本申请公开具有跨导衰减的放大器。误差放大器(310)包括具有第一误差放大器输入并具有第一电流端子和第二电流端子的第一晶体管(Q31)、具有第二误差放大器输入并具有第三电流端子和第四电流端子的第二晶体管(Q32)、耦合在电源电压端子和第一电流端子之间的第一电阻器(RT31)，以及耦合在电源电压端子和第三电流端子之间的第二电阻器(RT32)。误差放大器(310)具有耦合到第一电阻器和第二电阻器的第二级电路(320)。第二级电路(320)具有误差放大器输出。第二级电路(320)被配置为使得流过第二级电路(320)的电流比流过第一电阻器(RT31)或第二电阻器(RT32)或者第一晶体管(Q31)或第二晶体管(Q32)的电流少。
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