Cu-Ag系合金线
    54.
    发明公开
    Cu-Ag系合金线 审中-实审

    公开(公告)号:CN116710588A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202280008536.0

    申请日:2022-11-09

    Inventor: 松尾亮佑

    Abstract: 提供一种在维持高导电率的同时控制金属组织、并且高拉伸强度更优异的Cu‑Ag系合金线。具有含有1.0~6.0质量%的Ag、余量为Cu及不可避免的杂质的化学组成的Cu‑Ag系合金线,前述Cu‑Ag系合金线在母相中具有沿Cu‑Ag系合金线的大致长度方向上相连而分布成线状而成的多个Ag相,该Ag相的Ag原子浓度在0.5~50.0%的范围内,在相对于Cu‑Ag系合金线的长度方向正交的横截面中测定时的平均直径在0.5~20.0nm的范围内的Ag相在Cu‑Ag系合金线的横截面中的10000nm2的测定区域中存在的个数在10~400个的范围内。

    光学器件以及光学装置
    56.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116615681A

    公开(公告)日:2023-08-18

    申请号:CN202180085468.3

    申请日:2021-12-23

    Abstract: 光学器件(100)具备:耦合器(10),其具有第一端口(12a)、相对于该第一端口(12a)在第一方向上分离的第二端口(12b)、从该第二端口(12b)在与第一方向交叉的第二方向上分离的第三端口(12c)、从第一端口(12a)在第二方向上分离的第四端口(12d)、和将从第一端口(12a)输入的光向第三端口(12c)波导并且将从第二端口(12b)输入的光向第四端口(12d)波导的多模干涉波导路(11);第一波导路(21a),其对经由第一端口(12a)向耦合器(10)输入的光进行波导;第二波导路(22a),其对经由第二端口(12b)向耦合器输入的光进行波导;第三波导路(21f),其对经由第三端口(12c)从耦合器(10)输出的光进行波导;和第四波导路(22f),其对经由第四端口(12a)从耦合器(10)输出的光进行波导。

    光模块
    58.
    发明公开
    光模块 审中-实审

    公开(公告)号:CN116540366A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202211497688.X

    申请日:2022-11-24

    Abstract: 本发明提供光模块。例如能得到进行了改善的新的结构的光模块,其能抑制从发热部向在受热的情况下会给外壳内传输的光的特性带来影响这样的器件的热传递。光模块例如具备:外壳,其在内部传输光;发热部;器件,其设于外壳内,在受热的情况下使在外壳内传输的光的特性发生变化;和第一构件,其与发热部以及器件热连接,在第一构件,在从发热部向器件的传热路径上,在抑制了向外壳内的对流热传递的状态下设置空洞。外壳可以被气密密封,在第一构件,作为空洞,可以设置向外壳外开放的空洞,也可以设置作为封闭空间的空洞。

    半导体芯片的制造方法
    59.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110073469B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201880005022.3

    申请日:2018-11-06

    Abstract: 通过从表面(S)侧照射SF6气体等离子体,对在切割道部分露出的半导体晶片(1)进行蚀刻,分割成各个半导体芯片而进行单片化。接着,从表面(S)侧供给除去剂(16)。此时,优选使分割成芯片的半导体晶片(1)高速旋转。通过以上,利用除去剂(16)将残留在表面(S)上的掩模材料层(3b)去除。需要说明的是,作为除去剂(16),优选为有机溶剂,特别优选为甲基乙基酮、乙醇或乙酸乙酯、或者它们的组合。

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