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公开(公告)号：CN114318507A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111593665.4
申请日：2021-12-23
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种重掺砷大直径低阻硅单晶的拉制方法，等径过程中炉内压力变化如下：(1)等径前期：炉内压力保持为75‑105Torr之间某一值不变或由75‑105Torr均匀升高到90‑160Torr；(2)等径中期：从等径前期的炉内压力均匀下降到85‑65Torr或维持在等径前期的炉内压力不变；(3)等径后期：维持在等径中期的炉内压力不变或从等径中期的炉内压力均匀下降到75‑50Torr后再维持最低压力不变；晶体拉速的变化如下：(1)等径前期：晶体拉速从45‑65mm/hr均匀降到40‑25mm/hr；(2)等径中期和等径后期：晶体拉速保持在等径前期的最低拉速不变。本发明能够有效解决大直径砷单晶等径卡、电阻率高的问题，提高单晶成晶率，获得完好的大直径低阻硅单晶。
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公开(公告)号：CN114318498A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111638491.9
申请日：2021-12-29
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种区熔硅单晶的放肩方法，采用平头多晶硅进行放肩，对加热功率和多晶速度的控制方式为：(1)在平头多晶放肩初始，加热功率比锥头多晶放肩初始的加热功率高20％‑30％，然后逐步降低，到硅单晶直径为30‑40mmmm时降至与锥头多晶放肩初始的加热功率相同；后续与锥头多晶放肩参数相同；(2)在平头多晶放肩初始，多晶速度为锥头多晶放肩初始的多晶速度的2‑3倍，然后迅速逐步降低，到硅单晶直径为20‑30mm时降至最低，然后随着硅单晶直径的增大，逐步增大多晶速度，在硅单晶直径为60‑70mm时，多晶速度接近锥头多晶放肩参数，后续与锥头多晶放肩参数相同。采用本发明的方法可以避免一次拉晶失败后多晶的再次磨锥加工，减少多晶损失，提升生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN114260784A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111608317.X
申请日：2021-12-24
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种8英寸硅抛光片边缘T型轮廓加工用倒角磨削工装及方法。工装包括铝质基体、开设在铝质基体中央位置的装配孔、设置在铝质基体外周上的磨削区，在该磨削区嵌刻有多个T型磨削槽，所述T型磨削槽的内径从磨削槽口至顶端逐渐变小，整体呈弧形形状，该弧形形状与硅抛光片倒角的目标形状相同。方法包括以下步骤：(1)根据8英寸硅抛光片边缘T型轮廓要求，设计工装磨削槽；(2)通过装配孔将工装安装在硅抛光片边缘倒角加工专用设备上；(3)对8英寸薄硅抛光片边缘进行磨削加工，得到符合要求的T型边缘轮廓。本发明可实现8英寸薄硅抛光片边缘T型轮廓的精确加工，加工精度高、重复性好，效率更高。
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公开(公告)号：CN114233969A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111575518.4
申请日：2021-12-21
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于APCVD背封炉氮气罩的固定装置。该固定装置包括供氮气罩管路穿过的主体部分、用于将氮气罩管路与主体部分彼此紧固的固定螺母，所述主体部分具有圆柱体、设置在圆柱体上部的圆台部，以及设置在圆台部上部的紧固部；该紧固部外周设有螺纹，并在该紧固部的径向上设有凹槽，所述氮气罩管路穿过的位置与该凹槽在同一直线上；所述固定螺母具有与所述紧固部外周的螺纹匹配的内螺纹。本发明的固定装置能够保证固定的密封性和紧合度，可重复多次使用，可适用于所有APCVD背封炉，具有很强的通用性。本发明的固定装置显著地减少了设备的停机时间，保证了产品的质量，节约了喷头由于断钉造成的维修成本，杜绝了由于氮气罩固定造成的故障发生。
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公开(公告)号：CN116642914A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310616131.1
申请日：2023-05-29
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
IPC分类号： G01N23/20 , G01N23/20008 , H01L21/66
摘要： 本发明公开一种重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测方法，属于直拉硅单晶检测技术领域。该检测方法包括：原生重掺砷硅单晶拉制完成后截取一定厚度的样品；对样品进行表面研磨、清洗处理获得平整和洁净的表面；对清洗后的样品进行化学抛光处理，去除表面损伤；对样品进行分段式加强热氧化获得微缺陷的放大缀饰缺陷，所述热氧化包括三个阶段：第一阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；第二阶段加热温度为1100~1200℃，时间为30~300min；第三阶段加热温度为950~1100℃，时间为30~300min；使用XRT对样品检测；对检测结果进行判定，确定缺陷类型和区域。本发明的检测方法可以快速实现重掺砷低电阻率硅单晶微缺陷的检测，操作简便易实现，缺陷检出率高，且具有检测结果直观化和检测无铬化的特点。
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公开(公告)号：CN116140302A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211534968.3
申请日：2022-12-02
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 一种重掺红磷单晶炉管道清理的方法，A、停炉取晶后二次氧化；B、调整吸尘器吸力；C、清理抽气管道：两位工作人员，其中一人为第一人，另外一人为第二人；将该炉体内热场保温部分抬出，露出该第一分管道、第二分管道、第三分管道和第四分管道的顶部开口，并使用金属堵头封堵；分别依次清理第一主管道、第一分管道、第一主管道、第二分管道、第一主管道、第二主管道、第三分管道、第二主管道、第四分管道、第二主管道。清理各个管道时，需要确认其他的管道端口处于关闭状态，只能打开当前需要清理的管道口进行清理。本发明可以避免在清理含有红磷元素的氧化硅粉尘挥发物时，发生爆燃、自燃等危险现象，从而达到使用红磷掺杂元素安全生产的目的。
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公开(公告)号：CN116005250A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211600313.1
申请日：2022-12-13
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种提高大直径单晶硅放肩稳定性的方法。所采用的放肩过程包括以下步骤：(1)根据原有放肩程序确定放肩整体所需功率和放肩时长，按照时长将放肩过程分成若干阶段；(2)第一阶段时长降温调整，首次调整功率为各阶段功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％；(3)第二阶段时长降温调整，首次调整功率为剩余功率与剩余阶段的功率均值，功率根据放肩速度进行调整，直至放肩速度偏差小于2％，调整方法与步骤(2)相同；(4)重复步骤(2)、(3)，完成剩余各阶段功率调整；(5)调整完成后计算各阶段降温加速度并对其与时间的关系进行曲线拟合，得到相应的函数关系，根据函数关系对各阶段功率进行优化。
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公开(公告)号：CN114318513A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111680189.X
申请日：2021-12-30
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种精准控制单晶生长界面的方法，包括以下步骤：(1)等径直径稳定后，通过单晶炉客户端依次获得等径过程中直径稳定位置A和单晶重量W1、位置B和单晶重量W2、位置C和单晶重量W3；其中位置C为生长界面所在位置，计算位置A到位置B的单晶重量随着长度的变化率α＝(W2‑W1)/(B‑A)、以及位置B到位置C的单晶重量随着长度的变化率β＝(W3‑W2)/(C‑B)；(2)通过计算确定出单晶理论重量随长度的变化率m，按照m随长度的变化得到一条线，并以此线作为基准线；(3)比较α和β的数值，若m＜α＜β，则判断生长界面为凸面，提升拉速；若m＞α＞β，则判断生长界面为凹面，降低拉速；(4)随着单晶长度增加，不断比较连续两段的重量随长度的变化率值，及时调整拉速。
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公开(公告)号：CN114318508A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111594443.4
申请日：2021-12-23
申请人： 山东有研半导体材料有限公司 , 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。
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公开(公告)号：CN109932337B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201711370681.0
申请日：2017-12-18
申请人： 有研半导体硅材料股份公司
摘要： 本发明公开了一种用于评价硅基背封膜致密性的装置和方法。该装置包括：24V电源、漏点检测槽、检测电解质、检测电极和矩形连接电极；其中，24V电源的正极和负极分别通过导线与检测电极和矩形连接电极相连接；检测电极和矩形连接电极置于漏点检测槽中，硅基背封膜待测样品的正面与矩形连接电极相连；检测电极位于硅基背封膜待测样品上方。方法包括：(1)测试待测样品背封膜的折射率；(2)将样品正面薄膜去除，与矩形电极相连；(3)将连接好电极的样品平放于电解质中；(4)打开电源，用检测电极检漏；(5)测试整个面的漏点数；(6)测试漏电和良率。本发明不受制备工艺限制，应用广泛，填补了硅基二氧化硅背封膜致密性检测的空白。
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