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公开(公告)号：CN117904700B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311772860.2
申请日：2023-12-21
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明属于晶体生长技术领域，具体的说是一种炉口开放式提拉单晶炉，包括底座，所述底座上端中部固定连接有炉体，所述炉体底部设置有用于对单晶硅原料进行加热的石墨加热器，所述底座上端左侧设置有用于对单晶硅原料进行粉碎的通孔伸缩式粉碎机构，本发明实现了可对粉碎辊上的粉碎齿起到一个回缩效果，使得当结块的单晶硅原料卡死粉碎辊时，使粉碎齿可快速的脱离结块单晶硅原料，使粉碎辊之间得以疏通，并且，对粉碎辊和粉碎齿冲洗后，可对粉碎辊表面残留的水分吸收，避免出现粉碎辊生锈的情况，并且，可对海绵刷吸收的水分挤出，便于后续再次使用；可在软轴断裂时，对籽晶起到一个紧急制动效果，进而避免了出现籽晶掉落至单晶硅液中的情况。
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公开(公告)号：CN117702250B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202311530683.7
申请日：2023-11-16
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种单晶炉泄压调节设备，包括主炉室；所述主炉室顶面固连有副室；所述副室的顶面安装有上炉筒；所述副室用分隔主炉室和上炉筒；所述主炉室的底面固连有下炉室；所述主炉室的底面开设有一对排气孔；所述排气孔内设置有顶杆；所述下炉室内部的底面于顶杆对应位置处固连有套筒；所述套筒的内部安装有压强传感器，且压强传感器与外部微电脑连接，用于控制外部气压组件；所述顶杆的表面固连有密封圈；通过主炉室内的气体会挤压顶杆，进而使顶杆挤压套筒内的气体，使得套筒的内压强增大，并被压强传感器检测到后，控制排气孔开启，使得主炉室内激增的气体，得以被抽入下炉室内，进而完成对主炉室的泄压。
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公开(公告)号：CN118531490A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410561788.7
申请日：2024-05-08
申请人： 连城凯克斯科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种直拉式圆硅芯生长炉,包括炉体、提拉旋转装置、多轴提拉盘装置和热屏提升装置，炉体包括主炉室和副炉室，副炉室与主炉室可拆卸连接，提拉旋转装置包括提拉晶升机构、旋转机构，多轴提拉盘装置包括箱体和位于箱体内的齿轮传动机构，提拉晶升机构与箱体连接，旋转机构与齿轮传动机构连接，齿轮传动机构连接多组籽晶，热屏提升装置包括提升驱动装置和与提升驱动装置连接的多孔水冷套，本发明通过提升装置提升多孔水冷套进行上下移动，以及副炉室与主炉室可拆卸连接的结构，实现不停炉清灰功能，有效避免杂质掉落，保证硅液的纯度。
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公开(公告)号：CN118516760A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202311587485.4
申请日：2023-11-24
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种等径启动控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶过程中，获取放肩阶段的当前直径、拉速变化信息和直径变化信息，根据所述拉速变化信息和直径变化信息，以及等径目标直径，确定对应的等径启动直径；在所述当前直径达到所述等径启动直径的情况下，控制等径阶段启动，使得结合拉速变化和直径变化，抓住了放肩阶段直接过度到等径阶段的正确时机，取消了原来的转肩阶段，实现了晶体的横向生长到纵向生长的平稳过度，减低了断线等异常的概率、等径阶段的头部出现不合格品的概率，避免了等径阶段的头部拉速波动幅度较大的问题，继而提高了成品率和拉晶品质。
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公开(公告)号：CN118516759A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310160696.3
申请日：2023-02-23
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明提供了石英坩埚及其制备方法、单晶炉，涉及单晶硅制备技术领域。方法包括：在模具表面依次铺设外层石英砂和内层石英砂；外层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于外层石英砂的质量的90％；外层石英砂中，气泡包裹体的体积含量，大于等于外层石英砂的体积的6‰，小于等于10％；外层石英砂中，杂质的含量小于等于50ppm；内层石英砂中，粒度介于50目至200目之间的石英砂的质量含量，大于等于内层石英砂的质量的90％；内层石英砂中，气泡包裹体的体积含量小于等于内层石英砂的体积的5‰；内层石英砂中，杂质的含量小于等于40ppm。本申请大幅度降低了石英坩埚的生产成本。
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公开(公告)号：CN118516752A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310323994.X
申请日：2023-03-29
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种工艺参数修正方法。该方法包括：根据长度功率关系信息和第一拉速控制功率调整量，调整直拉单晶设备的设定功率，检测晶体生长处的变形程度，当等径长度达到预设长度节点，将第一拉速控制功率调整量作为功率修正量，根据变形程度、变形阈值和预设关系系数，确定拉速修正量，根据多次的功率修正量和拉速修正量，修正长度功率关系信息和长度拉速关系信息，以便根据修正后的长度功率关系信息和第二拉速控制功率调整量，调整设定功率，使得针对各个直拉单晶设备分别修正出最适合的长度功率关系信息和长度拉速关系信息，从而解决目标拉速设置不合理，没有充分发挥各个设备及热场的潜力，造成资源浪费的问题，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN118516748A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202310549747.1
申请日：2023-05-16
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种放肩控制方法、装置、设备及介质。该方法包括：在直拉单晶设备的当前直拉单晶过程中，获取放肩阶段之前与放肩相关的第一特征数据，确定与所述第一特征数据相匹配的目标特征数据，以及所述目标特征数据对应的历史直拉单晶过程中所采用的历史肩形参数；其中，所述目标特征数据为历史直拉单晶过程中获取的放肩阶段之前与放肩相关的特征数据，根据所述历史肩形参数，控制所述当前直拉单晶过程中的放肩阶段，使得找到与当前引晶环境相匹配的历史引晶环境，充分考虑放肩前环境的差异性，避免肩形参数与引晶环境不符，以合适的肩形进行放肩，提高放肩的成功率，缩短放肩的耗时，继而提高生产效率。
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公开(公告)号：CN118516745A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410993158.7
申请日：2024-07-24
申请人： 苏州晨晖智能设备有限公司
摘要： 本发明属于单晶硅生产技术领域，具体涉及直拉法制备矩形硅单晶锭的装置、方法及硅单晶锭。装置包括加热器和坩埚，在熔硅表面水平截面内，加热器、坩埚和硅单晶锭的对称中心相重合，在坩埚中熔硅表面内设有两两相对的4组熔硅表面热流导壁，每组熔硅表面热流导壁组成一个热流通道，热流通道具有第一开口和第二开口，第一开口朝向坩埚外周的加热器，第二开口朝向硅单晶锭结晶前沿，由各热流通道的第二开口为直边形成一个出口矩形，出口矩形的内角与相应的矩柱形的硅单晶锭的棱角的距离D为3mm~100mm，能够稳定结晶前沿温度梯度和温度分布，提高晶体矩形度成形质量。
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公开(公告)号：CN118516743A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410654499.1
申请日：2024-05-24
申请人： 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体涉及一种用于提升拉晶速率的导流筒、拉晶炉及拉晶方法，该用于提升拉晶速率的导流筒中，设有导流筒本体、内胆及水冷板，内胆安装在导流筒本体内，内胆的上端设有一圈圆环状的固定槽，水冷板固定安装在固定槽中，如此，内胆能够和水冷板直接接触，直接通过水冷板降低内胆的温度，有效提高了水冷板与内胆间的热传导效率，使得内胆的降温效果提升，从而增加长晶界面的轴向温度梯度，提高晶棒的拉速；本发明通过通过改变水冷板的设置方式和内胆及导流筒本体的结构，增强了拉晶炉对晶棒轴向温度的调节能力，使得在拉晶过程中，晶棒的中心不会积累大量的热应力，减少晶棒上位错的产生数量，提高晶棒的品质。
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公开(公告)号：CN115044968B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202210717446.0
申请日：2022-06-23
申请人： 新疆新晶科技有限公司
发明人： 常自蕊
摘要： 本发明公布了一种单晶硅棒旋转提拉装置，包括提拉杆、滑轨、旋转部件、提拉部件，提拉杆设有键槽，杆壁设有上轴承座和下轴承座；滑轨与上轴承座和下轴承座固定连接；旋转部件包括旋转电机、第一电机安装架以及齿轮，旋转电机输出端与齿轮之间连接有旋转驱动带；提拉部件包括第二电机安装架及提拉件和滑动件，第二电机安装架上设置有提拉电机，下轴承座上设置有下安装座，下安装座上设置有下齿轮辊轴，提拉电机设置有上齿轮辊轴，上齿轮辊轴与下齿轮辊轴之间通过提拉驱动带连接，提拉件与提拉驱动带固定连接，滑动件滑动的配置在滑轨上；本发明提出一种单晶硅棒旋转提拉装置，其目的是避免旋转提拉过程中导致晶棒晃动，改善晶体的径向均匀性。
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