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公开(公告)号：CN117060894A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311129819.3
申请日：2023-09-01
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
Abstract: 本发明提出了一种电压脉冲信号发生电路。通过对该电路中电源、电容和电阻取值的调整，即可实现对《ISO7637》中脉冲波形的仿真模拟。根据《ISO7637》描述，汽车运行时，各类瞬态事件产生的电磁干扰将通过耦合、传导、辐射等方式来影响汽车电子设备的正常工作；《ISO7637》中定义了几种脉冲波形用于模拟几种典型的瞬态干扰，如模拟线束电感下与电子设备并联的装置突然断开所引起的瞬态现象的脉冲2a；模拟在开关过程中由于线束分布电感和电容影响所引起的瞬态现象的脉冲3a/3b。本发明的输出波形能够很好地符合上述几种标准脉冲波形，这为芯片设计，防护器件设计与仿真，脉冲测试电路设计等工作提供了新的源电路。
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公开(公告)号：CN113540044B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202110807393.7
申请日：2021-07-16
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明提供一种新型可替换的TVS的单层金属版图结构。在低电容导向二极管型TVS阵列或者多通道多引脚的ESD防护设计中，该版图将各模块合理的排布在相应区域内，利用单层金属连接形成完整的信号通路，达到低成本的单层金属布局结构的同时优化了电流分布，减小了版图面积，同时降低了芯片生产成本，提高了器件鲁棒性。
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公开(公告)号：CN119543847A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411663574.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于栅源非线性的超宽带高性能射频功率放大器，包括SMA输入连接线的一端接射频信号源；SMA输入连接线的另一端接输入匹配电路的输入端；输入匹配电路的输出端接栅源非线性控制电路的输入端；栅源非线性控制电路的输出端接功放管的栅极；栅极偏置电路并接在输入匹配电路的输出端和栅源非线性控制电路的输入端之间；功放管的漏极接调谐电路的输入端；调谐电路的输出端接输出基波与谐波匹配电路的输入端；漏极偏置电路并接在调谐电路的输出端和输出基波与谐波匹配电路的输入端之间；输出基波与谐波匹配电路的输出端接SMA输出连接线的一端；SMA输出连接线的另一端为射频信号输出端，本发明设计了超宽带/多倍频程高性能功放。
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公开(公告)号：CN119208944A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411332400.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种基于SISL的滤波器和双工器；包括：从上而下依次设置的五层介质基板，分别为sub1‑sub5；每层介质基板的上表面和下表面均覆盖有金属层，由上至下共G1‑G10十层金属层；介质基板sub1和介质基板sub2的边缘均切除两个或三个长方形部分，且介质基板sub1和介质基板sub2重合；五层介质基板以及十层金属层上均设有贯穿的金属通孔方形阵列，每层介质基板以及每层金属层的金属通孔方形阵列均重合；金属层G5上设置有与介质基板sub1边缘切除的长方形部分数量相同的GCPW过渡到T形馈电结构；本发明具有优秀带外抑制性能和较小的电路尺寸以及较宽的阻带范围。
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公开(公告)号：CN119069980A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411429409.5
申请日：2024-10-14
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 , 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本发明属于带通滤波器技术领域，具体涉及一种降低开关频率要求的N‑path带通滤波器，包括N‑path带通滤波单元和高次谐波抑制的N‑path基波陷波单元，所述N‑path带通滤波单元和高次谐波抑制的N‑path基波陷波单元按照先带通后陷波的顺序进行级联。本发明降低了开关频率，进而降低了更高调谐频率带通滤波器的设计难度；在整体电路的片上面积较小，实现难度较易，并且对调谐频率2f相邻的基波f和三次谐波3f有抑制作用，可实现更好的带外抑制效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116885416A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310846334.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体涉及一种基片集成波导双通带滤波功分器，包括：两层介质基板和三层金属层；所述两层介质基板与所述三层金属层通过纵向对齐的方式堆叠形成多层结构；本发明采用金属通孔微扰SIW双层圆腔的方法设计了双通带通滤波器，能够体现优秀的带外抑制性能，同时，具有极高的通带选择性，采用双层基片层叠结构，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小。
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公开(公告)号：CN115459569B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202211164253.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于射频电路领域，具体涉及一种小型化宽功率范围射频整流电路；该方法包括：阻抗匹配网络的输入端与微波源连接，阻抗匹配网络的输出端分别与第三微带线的输入端和第四微带线的输入端连接；第三微带线输出端与第二电容输入端连接，第四微带线输出端与第一电容输入端连接；第二电容输出端分别与第二直通滤波器的输入端和高功率整流支路连接，第一电容输出端分别与第一直通滤波器的输入端和低功率整流支路连接；第一直通滤波器的输出端与第一电阻连接，第二直通滤波器的输出端与第二电阻连接；本发明具有宽功率范围、高整流效率和小尺寸的优点。
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公开(公告)号：CN119171036A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411332764.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于通孔微扰的单层多模SIW双通带滤波器，包括：一层介质基板和分别位于基板上下表面的两层金属层；所述介质基板四周均设置有第一金属通孔阵列，所述介质基板上的第一金属通孔阵列围成方形形状与上、下层金属层构成SIW方形谐振腔；所述上、下层金属层的左右对称处分别设置有输入、输出端口，并通过50欧姆微带线接入SIW方形谐振腔。本发明利用金属通孔扰动SIW方形谐振腔内的模式引入传输零点，使该滤波器具有高选择性，滤波性能更加良好；通过调节腔内金属通孔列和金属通孔到谐振腔中心的间距，可以得到理想的通带中心频率和通带带宽。
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公开(公告)号：CN116613496A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310558320.8
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于微波、通讯技术领域，具体涉及一种基于双层基板结构的小型化无磁非互易性环形器；包括开关模块A、开关模块B、延迟线模块A和延迟线模块B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线模块A、延迟线模块B连接；开关模块B连接端口2，且开关模块B与延迟线模块A、延迟线模块B连接；延迟线模块A从上至下包括上层基板、金属铜层和下层基板；延迟线模块B的结构与延迟线模块A相同；本发明的微带延迟线采用了双层基板结构，极大程度上缩小了延迟线的体积，实现了小型化，有利于集成，且降低了加工的成本。
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公开(公告)号：CN116487853A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310554212.3
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明涉及环形器设计领域，具体涉及一种基于空气微同轴延迟线的小型无磁非互易性三端口环形器；包括：开关模块A、开关模块B、延迟线A和延迟线B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线A、延迟线B连接；开关模块B连接端口2，且开关模块B与延迟线A、延迟线B连接；延迟线A与延迟线B均采用矩形铜基空气微同轴结构；所述矩形铜基空气微同轴结构包括外层金属壁、内层金属导体和支撑条；本发明采用了矩形空气微同轴延迟线结构，极大程度上缩小了延迟线的体积，实现了小型化。
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