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公开(公告)号：CN118841727A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410855236.7
申请日：2024-06-28
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种加载缺陷地结构的毫米波SIW宽带带通滤波器，包括：一层介质基板和分别位于介质基板上下表面的两层金属层；所述介质基板上下两侧均设置有对称的等间距金属通孔阵列，以构成矩形SIW谐振腔体；所述上层金属层的左右两处分别设置有一个梯形过渡结构，所述过渡结构上设置有锥形渐变线，其一端连接有50欧姆微带线作为输入、输出端口，其另一端连接所述矩形SIW谐振腔。本发明采用单层矩形SIW谐振腔结构和刻蚀在其上表面的DGS单元，便实现了宽带频响特性，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小；同时，其整体结构直观，加工简单，其仿真效果显示出良好的频率选择性和带外抑制效果。
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公开(公告)号：CN118100456A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410242431.2
申请日：2024-03-04
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于射频电路领域，具体涉及一种超宽功率范围高效率小型化射频整流电路；包括：四分之一波长T型结由第一微带线、第二微带线和第三微带线组成；三条微带线的一端相互连接，第一微带线的另一端为输入端并连接微波源，第二微带线和第三微带线的另一端为输出端，分别连接第一隔直电容一端和第二隔直电容一端；低功率支路连接第一隔直电容的另一端和第一直通滤波器的输入端，高功率支路连接第二隔直电容的另一端和第二直通滤波器的输入端，第一直通滤波器的输出端连接第一负载，第二直通滤波器的输出端连接第二负载；减小了二极管开启损耗，提高了整流效率，二极管工作功率区域更宽，实现了在宽功率输入范围内整流。
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公开(公告)号：CN115459569B
公开(公告)日：2025-05-20
申请号：CN202211164253.3
申请日：2022-09-23
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于射频电路领域，具体涉及一种小型化宽功率范围射频整流电路；该方法包括：阻抗匹配网络的输入端与微波源连接，阻抗匹配网络的输出端分别与第三微带线的输入端和第四微带线的输入端连接；第三微带线输出端与第二电容输入端连接，第四微带线输出端与第一电容输入端连接；第二电容输出端分别与第二直通滤波器的输入端和高功率整流支路连接，第一电容输出端分别与第一直通滤波器的输入端和低功率整流支路连接；第一直通滤波器的输出端与第一电阻连接，第二直通滤波器的输出端与第二电阻连接；本发明具有宽功率范围、高整流效率和小尺寸的优点。
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公开(公告)号：CN119543838A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411659767.5
申请日：2024-11-20
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种应用于微波无线能量传输的栅源非线性功率放大器包括：SMA输入连接线的一端连接射频信号源；SMA输入连接线的另一端接输入匹配电路的输入端；输入匹配网络的输出端接栅源非线性控制电路的输入端；栅极偏置电路并接在输入匹配网络的输出端和栅源非线性控制电路的输入端之间；栅源非线性控制电路的输出端接功放管的栅极；功放管的源极接地；功放管的漏极接寄生补偿电路的输入端，寄生补偿电路的输出端接输出匹配网络的输入端连接；漏极偏置电路和输出谐波抑制电路并接在寄生补偿电路的输出端和输出匹配网络的输入端之间；输出匹配网络的输出端连接SMA输出连接线的一端；SMA输出连接线的另一端为射频信号输出端。
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公开(公告)号：CN119171036A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411332764.0
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/207
Abstract: 本发明属于无线通信技术领域，具体涉及一种基于通孔微扰的单层多模SIW双通带滤波器，包括：一层介质基板和分别位于基板上下表面的两层金属层；所述介质基板四周均设置有第一金属通孔阵列，所述介质基板上的第一金属通孔阵列围成方形形状与上、下层金属层构成SIW方形谐振腔；所述上、下层金属层的左右对称处分别设置有输入、输出端口，并通过50欧姆微带线接入SIW方形谐振腔。本发明利用金属通孔扰动SIW方形谐振腔内的模式引入传输零点，使该滤波器具有高选择性，滤波性能更加良好；通过调节腔内金属通孔列和金属通孔到谐振腔中心的间距，可以得到理想的通带中心频率和通带带宽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116613496A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310558320.8
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于微波、通讯技术领域，具体涉及一种基于双层基板结构的小型化无磁非互易性环形器；包括开关模块A、开关模块B、延迟线模块A和延迟线模块B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线模块A、延迟线模块B连接；开关模块B连接端口2，且开关模块B与延迟线模块A、延迟线模块B连接；延迟线模块A从上至下包括上层基板、金属铜层和下层基板；延迟线模块B的结构与延迟线模块A相同；本发明的微带延迟线采用了双层基板结构，极大程度上缩小了延迟线的体积，实现了小型化，有利于集成，且降低了加工的成本。
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公开(公告)号：CN116487853A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310554212.3
申请日：2023-05-17
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H01P1/38
Abstract: 本发明涉及环形器设计领域，具体涉及一种基于空气微同轴延迟线的小型无磁非互易性三端口环形器；包括：开关模块A、开关模块B、延迟线A和延迟线B；开关模块A连接端口1和端口3，且开关模块A与延迟线A、延迟线B连接；开关模块B连接端口2，且开关模块B与延迟线A、延迟线B连接；延迟线A与延迟线B均采用矩形铜基空气微同轴结构；所述矩形铜基空气微同轴结构包括外层金属壁、内层金属导体和支撑条；本发明采用了矩形空气微同轴延迟线结构，极大程度上缩小了延迟线的体积，实现了小型化。
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公开(公告)号：CN119543847A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411663574.7
申请日：2024-11-20
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于栅源非线性的超宽带高性能射频功率放大器，包括SMA输入连接线的一端接射频信号源；SMA输入连接线的另一端接输入匹配电路的输入端；输入匹配电路的输出端接栅源非线性控制电路的输入端；栅源非线性控制电路的输出端接功放管的栅极；栅极偏置电路并接在输入匹配电路的输出端和栅源非线性控制电路的输入端之间；功放管的漏极接调谐电路的输入端；调谐电路的输出端接输出基波与谐波匹配电路的输入端；漏极偏置电路并接在调谐电路的输出端和输出基波与谐波匹配电路的输入端之间；输出基波与谐波匹配电路的输出端接SMA输出连接线的一端；SMA输出连接线的另一端为射频信号输出端，本发明设计了超宽带/多倍频程高性能功放。
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公开(公告)号：CN119208944A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411332400.2
申请日：2024-09-24
Applicant: 电子科技大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种基于SISL的滤波器和双工器；包括：从上而下依次设置的五层介质基板，分别为sub1‑sub5；每层介质基板的上表面和下表面均覆盖有金属层，由上至下共G1‑G10十层金属层；介质基板sub1和介质基板sub2的边缘均切除两个或三个长方形部分，且介质基板sub1和介质基板sub2重合；五层介质基板以及十层金属层上均设有贯穿的金属通孔方形阵列，每层介质基板以及每层金属层的金属通孔方形阵列均重合；金属层G5上设置有与介质基板sub1边缘切除的长方形部分数量相同的GCPW过渡到T形馈电结构；本发明具有优秀带外抑制性能和较小的电路尺寸以及较宽的阻带范围。
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公开(公告)号：CN116885416A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310846334.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于通信技术领域，具体涉及一种基片集成波导双通带滤波功分器，包括：两层介质基板和三层金属层；所述两层介质基板与所述三层金属层通过纵向对齐的方式堆叠形成多层结构；本发明采用金属通孔微扰SIW双层圆腔的方法设计了双通带通滤波器，能够体现优秀的带外抑制性能，同时，具有极高的通带选择性，采用双层基片层叠结构，使得滤波器在相同性能条件下的体积更小。
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