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公开(公告)号：CN105021120B
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201510391118.6
申请日：2015-07-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明提供了一种电容应变传感器及其制备方法，属于传感器设计及生产技术领域。所述电容应变传感器从下往上依次为基底、第一钛酸锶钡电介质薄膜层、PdCr电极层、第二钛酸锶钡电介质薄膜层、Al2O3保护层，其中，所述PdCr电极层为叉指电极结构。本发明采用叉指电容平面结构，以钛酸锶钡(Ba0.5Sr0.5TiO3)作为介质材料，以PdCr作为电极材料，采用磁控溅射镀膜与光刻工艺相结合的制备技术，实现了电容应变传感器在更大的应变(2500με)下，更高的温度(500℃)下稳定工作的目的。
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公开(公告)号：CN106756848B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201611191090.2
申请日：2016-12-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于高温薄膜材料技术领域，提供一种金属基高温组合绝缘层及其制备方法；用以提高金属基底与薄膜敏感层之间的绝缘性，确保薄膜传感器在高温环境下使用的可靠性、准确性和使用寿命。本发明金属基高温组合绝缘层，包括：从下往上依次设置的金属基底、NiCrAlY合金过渡层、α‑Al2O3层，以及α‑Al2O3层上依次层叠的n个复合绝缘层，其中n≥2；每个复合绝缘层由从下往上设置的非晶态YSZ层和Al2O3层构成。本发明中每个复合绝缘层采用非晶态YSZ层‑Al2O3层复合结构，有效避免高温环境下晶态YSZ作为非晶态YSZ向晶态转变所需的晶核，减缓非晶YSZ在高温环境下向晶态转变，提高了非晶态YSZ的高温稳定性；同时，形成“非晶态YSZ‑Al2O3‑非晶态YSZ”的三明治结构，进一步提高绝缘性能。
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公开(公告)号：CN106498355B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201610913940.9
申请日：2016-10-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高温薄膜传感器用抗氧化复合防护层及其制备方法，属于薄膜传感器技术领域。该抗氧化复合防护层自下而上依次为BN绝缘层、ZrB2基复合陶瓷层、Al2O3覆盖层，其中，BN绝缘层、ZrB2基复合陶瓷层和Al2O3覆盖层采用蒸发或溅射等方法依次沉积于薄膜传感器敏感功能层上。本发明高温薄膜传感器用抗氧化复合防护层，可满足在1000～1700℃高温条件下航空发动机高温薄膜传感器的抗氧化防护需求，有效提高了薄膜传感器在高温高压恶劣环境下的稳定性、可靠性和寿命。
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公开(公告)号：CN105977587A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610532097.X
申请日：2016-07-07
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/207
CPC classification number: H01P1/207
Abstract: 一种微波可调腔体滤波器，属于微波技术领域。包括输入端、输出端和谐振腔，其特征在于，所述可调腔体滤波器的每个加载电容空隙处设置两个串联的可变电容，两个可变电容的公共电极通过射频高阻元件与外部的直流偏压源相连以构成直流回路，两个可变电容的另外两极分别与谐振腔内金属柱以及腔体的上盖板相连，以构成射频信号回路。本发明在腔体滤波器中加载可变电容，通过外加直流偏压对可变电容的控制，实现了腔体滤波器工作频率的可调，优化了高频条件下滤波器的可调谐性能；本发明微波可调腔体滤波器采用电调方式，调谐速度快，精度高，且介质材料的引入使得在相同的频率下腔体滤波器的尺寸减小，降低了成本。
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公开(公告)号：CN105693442A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610041660.3
申请日：2016-01-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: C06C5/00
CPC classification number: C06C5/00
Abstract: 一种网格状含能薄膜点火桥，属于火工品的基础部件领域。所述点火桥包括基底、位于基底之上的电极和点火桥区、位于点火桥区之上的含能薄膜层；其特征在于，所述含能薄膜层为网格状结构，网格的单个格子内填充含能材料A或含能材料B，且填充含能材料A的格子仅与填充含能材料B的格子相接触，填充含能材料B的格子仅与填充含能材料A的格子相接触，含能材料A与含能材料B的接触面垂直于基底。本发明通过改变含能材料间的接触方式，充分利用含能薄膜反应的化学能有效提高点火所需的热能，提高能量的利用率和转换效率，确保点火的可靠性和稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103266320B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310207942.2
申请日：2013-05-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C28/00
Abstract: 该发明属于抗高温氧化薄膜传感器及其生产方法。其薄膜传感器包括待测合金基板及附着于其顶面的NiCrAlY合金过渡层，过渡层以上依次为氧化铝/氮化铝过渡层、氧化铝/氮化铝陶瓷绝缘层、由各电极组成的传感器功能层及其Si3N4隔离层以及设于隔离层上的氧化铝保护层；其生产方法包括合金基板的表面处理，在合金基板上沉积NiCrAlY合金过渡层，金属铝的析出，氧化或氮化处理，设置Al2O3/AlN陶瓷绝缘层，设置薄膜传感器功能层及其Si3N4隔离层，设置Al2O3保护层。该发明中设置的Si3N4隔离层能有效阻挡绝缘层及氧化铝保护层在高温环境下分解出的氧原子向功能层的扩散，提高传感器在高温高压工作环境下使用的稳定性和可靠性，为涡轮发动机的研究和设计提供相应的、更为精确的基础数据。
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公开(公告)号：CN103779079A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201410024216.1
申请日：2014-01-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明属于微波介质材料与微波器件领域中的平板型薄膜可调电容器，包括基板，含电极基片、指爪式电极头及其引线电极头、焊片的上电极，绝缘介质层，含电极基片及焊片的下电极。该发明由于将传统的整体式上电极头及其引线改为指爪式的多指形上电极及其引线，这种多电容并联结构既可在不改变其工作面积基础上有效提高可调电容的品质因数(Q值)，又可大幅度缩短上电极引线所覆盖下电极棱边的宽度，而且在使用中即使某个电极头因被击穿失效时、其它电极头仍可使电容器保持工作状态。因而，本发明具有品质因数(Q值)及大容值电容在较高电压条件下工作时的可靠性高，以及利于后期进行电容值精度的调整，应用范围广等特点。
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公开(公告)号：CN101705096A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910216161.3
申请日：2009-11-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: C09K13/08
Abstract: 本发明针对采用HF水溶液作为刻蚀液难以刻蚀铋基薄膜材料、无法保证图形精度的技术问题，提供一种用于铋基薄膜湿法刻蚀的刻蚀液，属于材料技术领域，涉及微细加工技术，即光刻工艺中的刻蚀液。该刻蚀液以HF作为刻蚀剂、以NH4F作为络合剂和以H2O作为稀释剂的混合溶液，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(1.26～5.5)。为了进一步增加刻蚀液对铋基薄膜材料的刻蚀效果和刻蚀速度，还可在上述刻蚀液中添加助溶剂HNO3，各组分的摩尔配比为：HF∶NH4F∶HNO3∶H2O＝1∶(0.5～1.5)∶(0.36～1.6)∶(1.26～5.5)。采用本发明对铋基薄膜材料进行湿法刻蚀，刻蚀后表面洁净、图形清晰、精度高、无残留沉淀；加入HNO3助溶剂后，可明显加快铋基薄膜湿法刻蚀速度，能够对刻蚀过程、图形精度有效控制。
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公开(公告)号：CN101364657A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200810304728.8
申请日：2008-09-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及薄膜电路产品，特别涉及一种介电薄膜电极结构及其制备方法。本发明针对现有技术介电薄膜使用中损耗大，漏电流大的缺点，公开了一种具有复合电极结构的介电薄膜及其制备方法，可以降低介电损耗和漏电流。本发明的技术方案是，具有复合电极结构的介电薄膜，包括基片、电极和介电薄膜，其特征在于，所述电极由金属电极和导电氧化物薄膜构成，所述金属电极制备在所述基片上，所述导电氧化物薄膜制备在所述金属电极上，所述介电薄膜制备在所述导电氧化物薄膜上。本发明还提供了具有复合电极结构的介电薄膜制备方法。本发明的介电薄膜，主要用于制造薄膜元器件等电路产品。
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公开(公告)号：CN202586884U
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201220138565.2
申请日：2012-04-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03H7/40
Abstract: 本实用新型公开了一种自适应阻抗匹配模块，包括：可调匹配单元和主控制单元，其特征在于，还包括，第一功率检测器单元和第二功率检测器单元，所述可调匹配单元包括可调匹配网络和可控电源子单元。本实用新型的匹配模块通过检测传输信号的功率参数，对匹配网络两端的前后级电路进行实时的匹配调节，即利用现有的射频功率测量芯片检测可调匹配单元两端传输信号的功率大小，利用功率参数进行自适应调节，由于可以采用现有的检测芯片直接对功率进行检测因而提高了检测精度；在检测的过程中不需要定向耦合器的参与，因而缩小了模块面积，并且可以直接利用所测参数进行调节，节省了后续的复杂的参数编程算法处理，提高了模块的调节速率。
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