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公开(公告)号：CN117393968B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202311236275.0
申请日：2023-09-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十七研究所 , 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超大功率微波频谱处理方法及装置，包括：对原始超大功率微波信号进行高次谐波滤波并吸收谐波反射后，对滤波后的超大功率微波信号进行等功率分配，得到多路幅度相等、相位相同的第一微波信号，以降低谐波输出电平，之后对每路第一微波信号先后进行反射式模块滤波、带阻滤波、带通滤波，以抑制接收带频谱，得到多路对接收带处理后的微波信号，然后对每路接收带处理后的微波信号进行功率合成，得到经频谱处理后的超大功率微波信号，最后由高方向性耦合器送至天线或负载。本发明实现了超大功率微波滤波网络集成，实现超大功率条件下频谱处理能力，提升我国在深空探测领域的超大功率频谱处理技术水平。
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公开(公告)号：CN116759777B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202310655387.3
申请日：2023-06-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种三路微波功率分配/合成器，属于高功率微波器件技术领域；包括相互配合连接的盖板和底板，以及嵌合设置在两者之间的微带板，盖板和底板的外围四周上设置有六个信号端口，包含一个总端口、两个隔离端口和三个支路端口，每个信号端口上均设置有连接器；盖板的内部设置有连通信号端口的腔体结构，包含主腔体、隔离腔体、相位补偿腔体和支路腔体，主腔体与其他腔体之间通过田字形腔体相互连通；微带板上分别对应田字形腔体和相位补偿腔体设置有田形枝节电路和U型调相电路。本发明突破传统2n结构功率分配及合成电路结构，更加灵活的进行电路设计选择，采用多枝节微带电路结构，在保证带宽工作的同时，实现了一分三路功率分配或合成。
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公开(公告)号：CN118501555A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410583849.X
申请日：2024-05-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种差分谐振腔封装材料表征测试装置及测试方法，属于通信与网络测试领域。本装置包括第一金属层，介质层，第二金属层，金属通孔，输入端口、参考输出端口、感测输出端口。所述输入端口、参考输出端口、感测输出端口均采用地‑信号‑地的结构刻蚀在第一金属层。介质层位于第一金属层下方，第二金属层位于介质层下方。本发明的装置结构可以清楚地看到在体积微扰前后谐振频率的改变，对谐振频率改变的灵敏度较高，工作性能好，能够在140‑220GHz频段内对复介电常数进行准确表征。
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公开(公告)号：CN117832862A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410074937.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于超宽带相控阵宽角扫描阻抗匹配的电磁超表面，属于天线工程技术领域。该电磁超表面包括介质基板及其上表面的金属层；金属层包括呈二维周期排布的若干金属贴片单元；金属贴片单元为90°旋转对称结构，由方形金属贴片在四个角处各切除半径为r的扇形构成。本发明基于电磁超表面对天线宽角扫描性能改善的概念，提出了类四角星形的金属贴片单元结构，相较于常见的矩形贴片电磁超表面，拥有更多可有效调控的电磁参数，能针对不同极化面进行独立调整，自由度更高，也能实现更好的匹配效果；同时还具有轻量化和小型化的优势。
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公开(公告)号：CN115189150A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210643586.8
申请日：2022-06-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种低副瓣波导缝隙阵列天线及设计方法。本发明将波导缝隙阵列天线中的辐射缝隙部分缝隙进行反向偏移，使缝隙单元分为同相单元和反相单元。同相单元和反相单元之间具有180°的相位差。通过对同相单元和反相单元的位置进行优化，同时实现波导缝隙阵列天线在平行于电场方向的平面和平行于磁场方向的平面的二维低副瓣赋形。本发明具有设计简单、容易实现的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114566778A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210063080.X
申请日：2022-01-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P5/107
Abstract: 本发明公开了一种基于宽导带的直通式波导微带过渡结构，包括波导，覆盖有宽导带的介质基片和微带线。波导由标准波导、减高波导、减高减宽波导、减宽波导、约束腔、微带屏蔽腔由左往右紧贴级联而成，介质基片位于减宽波导下壁上，并与下壁紧密贴合，上方紧密覆盖宽导带。利用减高波导和减高减宽波导促使电场集中在宽导带与减高波导、减高减宽波导的下壁之间，逐渐把电场集中到微带线介质内，利用减高减宽波导和减宽波导抑制微带线端口可能出现的高次模，最后形成实现直通式、无隔直问题、无谐振、低反射、低损耗的波导微带过渡结构。同时本发明结构紧凑，体积小，易加工，适合在微波集成电路中推广应用。
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公开(公告)号：CN109167182B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201810855543.X
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于单脉冲雷达天线技术领域，具体提供一种用于前馈单脉冲反射面天线的印刷式低剖面多极化馈源天线，该天线由辐射天线及与之匹配集成的SIW单脉冲比较网络构成，所述辐射天线为2×2阵列天线，所述阵列天线由SIW宽边纵缝天线单元或SIW倾斜缝天线单元以原点为旋转中心、90°为步进旋转构成的，所述SIW单脉冲比较网络为4个天线单元提供相应相位。本发明使用单层SIW技术，将单脉冲比较网络与辐射天线集成在单层基板上，在实现双圆极化单脉冲功能的同时，具有易加工、低剖面和高集成度的优点；同时保证天线圆极化合成效率。
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公开(公告)号：CN110880632A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201911171738.3
申请日：2019-11-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于基片集成波导腔的宽带宽角频率选择表面，属于频率选择表面的技术领域。本发明在每个基于基片集成波导腔宽带宽角频率选择表面单元中，通过开设在第一金属层与第二金属层上的方环缝隙，构成完整的四分之一模基片集成波导腔。腔体是完整的，不受缝隙尺寸的影响，从而使得该结构的腔体主模和缝隙模式的谐振频率能够分别独立控制，进而实现对四分之一模基片集成波导谐振腔模式与方环缝隙模式频率间距的调整，完成宽带设计，以此增加带宽。解决了现有技术中基片集成波导频率选择表面高入射角稳定性与宽工作带宽无法同时兼顾的问题，在保证入射角度稳定的同时，大幅度提高了工作带宽。
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公开(公告)号：CN110233334A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910354587.9
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于基片集成镜像介质波导的水平极化漏波天线，包括馈线结构、辐射结构、及馈电结构，天线的馈线结构从下往上依次为馈线下层金属地、馈线介质层，辐射结构包含多个辐射单元，辐射单元为紧贴在中心传输带部分上表面的金属长条形贴片，馈电结构从下往上依次包含馈电结构下层金属地、馈电结构介质层、上层金属，本发明采用SIIG馈线结合相应辐射单元可以在保证漏波天线高效率的前提下实现小型化；本发明用SIIG馈线结合辐射单元应用于阵列赋形中，可以在保证赋形效果的同时实现天线的高效率以及小型化。
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公开(公告)号：CN110112579A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910387275.8
申请日：2019-05-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于共口径天线技术领域，具体提供一种基于结构复用的背腔式双频共口径天线，用以克服在频率比小于8的传统双频共口径天线辐射单元分离放置导致的天线口径利用效率较低、天线间隔离度不足等问题。本发明利用高频SIW圆形背腔式辐射器自身的封闭性，使得其构成低频同轴背腔式辐射器的内导体，不额外占用天线口径面积，实现了辐射单元结构的高度融合，极大提高了口径利用效率；并且，利用基片集成波导的高通特性，高、低频天线之间的隔离度得到大大提升，解决了不同频段天线间通道隔离度不足的问题。
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