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公开(公告)号：CN113364712A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110545722.5
申请日：2021-05-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04L25/03
Abstract: 本发明公开了一种基于DDPG网络的混合辐射源信号分离方法，首先采用K个信号测试天线对K个样本辐射源的辐射源信号样本进行采集，处理得到混合信号样本，将分离矩阵看作一个智能体，矩阵元素的加减看作动作，将信号的分离程度看作环境，对DDPG网络进行设计，然后采用混合信号样本对DDPG网络进行训练，在实际应用时，由每个信号测试天线得到K个辐射源的混合信号，将混合信号输入训练好的DDPG网络进行再次训练，得到信号分离结果。本发明通过引入DDPG网络，有效提高对混合信号分离的准确度。
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公开(公告)号：CN109327197B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201811429703.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN‑HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN‑HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN‑HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN‑HEMT功放的漏极电压，实现GaN‑HEMT功放的上电保护及开关控制。
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公开(公告)号：CN111755781A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010632447.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于LTCC工艺的三阶混合电磁耦合SIW滤波器，包括自上而下依次设置的顶层金属层Top、第一基片集成波导腔体C1、第一金属耦合窗层L1、第二基片集成波导腔体C2、第二金属耦合窗层L2、第三基片集成波导腔体C3及底层金属地Bottom；在顶层金属层Top的一端设置为共面波导输入端口Input，在底层金属地Bottom上相对共面波导输入端口Input的设置端设置为共面波导输出端口Output，可以很好地解决采用传统滤波器技术设计的带通滤波器已不能完全满足现代技术发展需要的问题，具有高选择性，带内损耗小，边带抑制高和尺寸小的特征。
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公开(公告)号：CN110247191A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910595256.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种可控辐射零点的基片集成波导滤波缝隙天线，包括一个单层的基片集成波导腔体，沿着腔体中线的四个金属柱，一条长横缝和一个垂直的SMA连接器。四个金属柱将空腔分成两个TE110模式，横缝既产生辐射，又将其中一个TE110模谐振器分成两个半模谐振器，通过三个谐振器和槽之间的耦合实现带通滤波性能。辐射零点出现在距离腔的短壁约四分之一相位波长的频率处，通过改变横缝的位置，可以控制辐射零点的频率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110233677A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910419409.X
申请日：2019-05-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04B10/524 , G01S17/10 , G01S7/484
Abstract: 本发明涉及一种基于光正交码的激光通信测距装置及方法，技术问题为使用一路信号测距的同时，可以与具有激光通信功能的终端进行通信，目前通信速率低；通过采用包括脉冲编码信号生成模块、激光生成模块、光电探测模块、信号放大模块及信号处理模块；信号处理模块包括信号预处理模块，以及与信号预处理模块连接的距离信息处理模块以及通信信号处理模块；脉冲编码信号生成模块，使用脉冲位置调制方式调制数据信息，然后添加测距帧头和通信起始标志位、通信结束标志位并进行光正交码编码生成测距帧T；测距帧T包括用于距离测量的测距脉冲编码序列S1和用于通信数据编码的通信脉冲序列S2的技术方案，较好的解决了该问题，可用于激光测距通信一体化。
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公开(公告)号：CN109327197A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201811429703.0
申请日：2018-11-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耗尽型GaN-HEMT功放的控制电路，通过稳压芯片U1的电压转换实现对逻辑门芯片的供电，再经过稳压芯片U2实现GaN-HEMT功放栅极控制电压的输出，从而使稳压芯片U2产生并输出反馈信号，该反馈信号与控制GaN-HEMT功放开关的控制电压V_Ctrl共同决定逻辑门的状态，当两个信号同时有效的情况下，逻辑门的输出控制NMOS管Q1的导通信号，进而使PMOS管Q2随之导通，从而输出GaN-HEMT功放的漏极电压，实现GaN-HEMT功放的上电保护及开关控制。
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公开(公告)号：CN118801128B
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411094229.6
申请日：2024-08-09
Applicant: 内蒙古高新科技控股有限责任公司 , 电子科技大学
IPC: H01Q23/00 , H01Q1/36 , H01Q1/38 , H01Q1/50 , H01Q5/28 , H01Q5/314 , H01Q1/48 , H01Q5/10 , H01Q3/00
Abstract: 本说明书实施例提供一种基于缝隙耦合的可重构天线以及控制方法，其中所述基于缝隙耦合的可重构天线，包括：天线本体、变容二极管和PIN二极管；天线本体包括半圆形贴片、枝节单元和接地板；半圆形贴片与枝节单元之间存在贴片缝隙，变容二极管设置于贴片缝隙中，变容二极管将半圆形贴片与所述枝节单元连接；变容二极管设置有相应的第一偏置电路，第一偏置电路用于调节变容二极管两端的电压，对天线频率进行重构；接地板的表面设置有地板缝隙，地板缝隙中设置有PIN二极管，PIN二极管设置有对应的第二偏置电路，第二偏置电路用于调节PIN二极管的通断状态，对天线的方向图进行重构，通过简单的结构实现对天线的频率和方向图进行重构。
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公开(公告)号：CN119481634A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411761512.X
申请日：2024-12-03
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01P1/20 , G06F30/373
Abstract: 本发明涉及可重构滤波器技术领域，具体涉及一种基于SIR的阶数与频率独立可重构的射频微带滤波器，基于SIR非对称结构设计中心频率与阶数均可独立调节的带通滤波器，先通过分析耦合结构设计加载变容二极管与可调耦合结构，然后通过调整馈电和输入/输出谐振器的耦合结构，例如抽头馈电、缝隙馈电以及馈电的位置，另外可以通过改变变容二极管容值在进行调整，以得到合适的外部品质因数值，从而完成馈电设计，最后通过电磁仿真软件与电路仿真软件等电磁仿真软件的不断仿真优化，以实现基于SIR的阶数与频率独立可重构的射频微带滤波器设计。
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公开(公告)号：CN119481633A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411760683.0
申请日：2024-12-03
Applicant: 电子科技大学(深圳)高等研究院
IPC: H01P1/20
Abstract: 本发明涉及射频前端技术领域，具体涉及一种基于并联谐振器的可重构三频带带通滤波器，基于并联谐振器法设计三频带可重构带通滤波器，具体先将一对UIR谐振器和一对SIR谐振器分别耦合在一起形成滤波器的三个通带，然后加载变容二极管、固定电容，通过调节偏置电压3即可调谐第一通带中心频率，调节偏置电压1、2即可调谐第二、三通带频率，同时加载隔直电容和电感接地提高各通带中心频率调节独立性，以实现带通滤波器三频带中心频率可独立重构。
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