-
公开(公告)号：CN111755784B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202010624808.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器，包括层叠设置的三层基片集成波导腔体，在每层所述基片集成波导腔体的中心位置皆设置有金属柱，在每层所述基片集成波导腔体的上下方皆层叠有金属层，在最上层和最下层的金属层上皆设置有作为输入或输出的共面波导形式的馈线，且两个共面波导形式的馈线在水平向上相对设置；可以很好地解决传统滤波器技术设计尺寸紧凑且具有高选择性的带通滤波器已不能完全满足技术发展需要的问题，具有带内损耗小，边带抑制高和尺寸小的特征。
-
公开(公告)号：CN111755784A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010624808.2
申请日：2020-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于消逝模加载的混合电磁耦合紧凑型SIW滤波器，包括层叠设置的三层基片集成波导腔体，在每层所述基片集成波导腔体的中心位置皆设置有金属柱，在每层所述基片集成波导腔体的上下方皆层叠有金属层，在最上层和最下层的金属层上皆设置有作为输入或输出的共面波导形式的馈线，且两个共面波导形式的馈线在水平向上相对设置；可以很好地解决传统滤波器技术设计尺寸紧凑且具有高选择性的带通滤波器已不能完全满足技术发展需要的问题，具有带内损耗小，边带抑制高和尺寸小的特征。
-
公开(公告)号：CN111755781A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010632447.6
申请日：2020-07-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于LTCC工艺的三阶混合电磁耦合SIW滤波器，包括自上而下依次设置的顶层金属层Top、第一基片集成波导腔体C1、第一金属耦合窗层L1、第二基片集成波导腔体C2、第二金属耦合窗层L2、第三基片集成波导腔体C3及底层金属地Bottom；在顶层金属层Top的一端设置为共面波导输入端口Input，在底层金属地Bottom上相对共面波导输入端口Input的设置端设置为共面波导输出端口Output，可以很好地解决采用传统滤波器技术设计的带通滤波器已不能完全满足现代技术发展需要的问题，具有高选择性，带内损耗小，边带抑制高和尺寸小的特征。
-
公开(公告)号：CN110247191A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910595256.4
申请日：2019-07-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种可控辐射零点的基片集成波导滤波缝隙天线，包括一个单层的基片集成波导腔体，沿着腔体中线的四个金属柱，一条长横缝和一个垂直的SMA连接器。四个金属柱将空腔分成两个TE110模式，横缝既产生辐射，又将其中一个TE110模谐振器分成两个半模谐振器，通过三个谐振器和槽之间的耦合实现带通滤波性能。辐射零点出现在距离腔的短壁约四分之一相位波长的频率处，通过改变横缝的位置，可以控制辐射零点的频率。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.02 seconds)
