公开(公告)号：CN113257922A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110521158.3

申请日：2021-05-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  鲁娟 ,  魏雨夕 ,  魏杰 ,  蒋卓林 ,  杨可萌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种多沟道增强型氧化镓结型场效应晶体管(Ga2O3JFET)。本发明的主要特征是引入能与N型氧化镓形成PN异质结的P型氧化物使Ga2O3增强型JFET得以实现，同时器件漂移区上部两侧沿纵向方向分段的P氧化物栅区及横向两侧P氧化物栅区之间的P氧化物区可使Ga2O3JFET相较常规JFET器件，正向导通时具有多沟道，反向耐压时电场分布调制，从而器件在实现增强型的同时，兼具低导通电阻、高耐压和高可靠性，进一步发挥氧化镓材料的优势。

公开(公告)号：CN113224169A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110493781.2

申请日：2021-05-07

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  魏雨夕 ,  鲁娟 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  蒋卓林

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种折叠栅氧化镓基场效应晶体管。本发明针对氧化镓材料P型掺杂困难且增强型器件难以兼顾低导通电阻的问题，提出一种兼具高阈值电压和低导通电阻的横向增强型氧化镓场效应晶体管。利用金属与氧化镓的功函数差将鳍型导电沟道夹断，从而实现关断和高耐压，获得低泄漏电流及硬雪崩击穿特性；当栅压高于阈值电压，鳍型导电沟道侧壁形成电子积累层且折叠栅结构增加沟道密度，导通电阻大大降低。本发明的有益效果为，本发明的器件兼具高阈值电压和低导通电阻的优点且易于集成。

公开(公告)号：CN113078211A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110317460.7

申请日：2021-03-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 罗小蓉 ,  苏伟 ,  张森 ,  马臻 ,  杨可萌 ,  魏杰 ,  樊雕 ,  王晨霞

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种集成MOS自适应控制SOI LIGBT。本发明的主要特征在于：在SOI LIGBT阴极侧集成2个MOS管，且通过氧化隔离槽互相隔离。MOS管通过电气连接可实现自适应控制SOI LIGBT。正向导通时，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管开启，增强电导调制效应，降低器件导通压降，增加器件饱和电流；短路状态下，集成MOS自适应控制SOI LIGBT寄生二极管截止，抑制闩锁效应，提高器件的抗短路能力。本发明的有益效果为，相对于传统SOI LIGBT结构，本发明具有更低的导通压降、更高的饱和电流以及更长的短路耐受时间。