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公开(公告)号：CN107001876A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201680003816.7
申请日：2016-03-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , B32B9/00 , B32B27/00 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J163/00 , C09J201/00 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供再剥离性优异的树脂膜形成用片、以及具有该树脂膜形成用片和支撑体直接叠层而成的结构的树脂膜形成用复合片，所述树脂膜形成用片是粘贴于硅晶片、用于在该硅晶片上形成树脂膜的片，其中，待与硅晶片粘贴一侧的该片的表面(α)的表面粗糙度(Ra)为40nm以上。
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公开(公告)号：CN106660333A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044562.9
申请日：2015-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B23K26/53 , C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: B23K26/53 , B32B27/00 , C09J7/20 , H01L2224/83192
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用片(3)，其具备第一支撑片(4)和叠层在该第一支撑片(4)的第一面侧的保护膜形成膜(1)，其中，该保护膜形成膜(1)由固化性材料形成，该保护膜形成膜(1)具有以下特性：使该保护膜形成膜(1)固化而形成保护膜时，该保护膜在50℃下的断裂形变为20％以下，并且在50℃下的断裂应力为2.0×107Pa以下。
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公开(公告)号：CN106660332A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580044561.4
申请日：2015-08-21
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/00 , B23K26/53 , C09J7/02 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用片(3)，其具备第一支撑片(4)和叠层在该第一支撑片(4)的第一面侧的保护膜形成膜(1)，其中，该保护膜形成膜(1)由固化性材料形成，该保护膜形成膜(1)具有以下特性：使该保护膜形成膜(1)固化而形成保护膜时，该保护膜在50℃下的断裂形变为20％以下，并且损耗角正切值的峰值温度T1为25℃至60℃。
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公开(公告)号：CN106104760A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201580015032.1
申请日：2015-03-23
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/00 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及保护膜形成膜(1)及保护膜形成用片(2)、以及使用这些膜或片的工件或加工物的制造方法及检查方法、以及基于上述检查方法而被判断为良品的工件及加工物，其中，保护膜形成膜(1)含有填料，填料的平均粒径为0.4μm以下。根据本发明的保护膜形成膜及保护膜形成用片，在进行基于激光照射的打印加工时可形成打印视觉辨认性优异的保护膜。
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公开(公告)号：CN105899631A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201480072301.3
申请日：2014-12-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C09J7/02 , H01L21/301
Abstract: 本发明涉及保护膜形成用复合片(1)，其具有：在基材(21)的一面侧叠层粘合剂层(22)而成的粘合片(2)、叠层于粘合片(2)的粘合剂层(22)侧的保护膜形成膜(3)、以及叠层于保护膜形成膜(3)的与粘合片(2)侧相反侧的边缘部的夹具用粘合剂层(4)，其中，粘合片(2)的粘合剂层(22)的厚度为1～8μm。利用该保护膜形成用复合片(1)，不仅能够有效地抑制加热工序和冷却工序中片(1)的松弛，而且可以良好地进行切割和拾取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105706228A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201480060912.6
申请日：2014-11-10
Applicant: 琳得科株式会社
CPC classification number: C09D133/08 , C08J5/18 , C08J2333/08 , C08K3/00 , C08K2201/001 , C08L33/06 , C09D133/06 , C09D163/00 , H01L21/563 , H01L23/295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用组合物、保护膜形成用片及带有保护膜的芯片，所述保护膜形成用组合物能够形成使用贴带机等贴合时的粘贴性优异、且激光打印部分的辨识性和散热性良好的保护膜，可以制造可靠性高的带有保护膜的芯片。本发明的保护膜形成用组合物含有聚合物成分(A)、固化性成分(B)、和平均粒径为2.0～10.0μm的导热性填料(C)，其中，相对于(A)成分和(B)成分的总计100质量份，该保护膜形成用组合物中含有的在25℃下为液体的成分的含量为20～70质量份，相对于所述保护膜形成用组合物的总量，(C)成分的含量为40～65体积％。
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公开(公告)号：CN105074878A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480017872.7
申请日：2014-03-26
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00
CPC classification number: C09J7/243 , C09J7/20 , C09J7/38 , C09J7/40 , C09J2201/606 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L23/552 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2223/54433 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片(10)，其具备：在基材(11)上设置粘合剂层(12)而形成的粘合片(16)、保护膜形成用膜(13)和剥离膜(14)。将保护膜形成用膜(13)与剥离膜(14)之间的剥离力最大值设为α(mN/25mm)、将粘合片(16)与保护膜形成用膜(13)之间的剥离力最小值设为β(mN/25mm)、将粘合片(16)与保护膜形成用膜(13)之间的剥离力最大值设为γ(mN/25mm)时，α、β、γ具有以下(1)～(3)的关系。β≥70(1)；α/β≤0.50(2)；γ≤2000(3)。
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公开(公告)号：CN119141993A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411359173.2
申请日：2017-04-25
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: B32B27/32 , B32B27/30 , B32B7/12 , C08J5/18 , C08L33/08 , C08K3/36 , C08F265/06 , C08F222/14 , C09J133/08 , H01L21/301
Abstract: 本发明提供一种即使在氧气存在下、也能够防止发生固化不良的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片，这样的保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，其中，在所述保护膜形成用膜中，掺合有波长365nm的吸光系数为4.0×101ml/(g·cm)以上的光自由基引发剂。所述光自由基引发剂优选为在1分子内具有3个以上的芳香环的夺氢型光自由基引发剂，优选为在1分子内具有2个以上的光分解性基团的光自由基引发剂。
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公开(公告)号：CN112625274B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011052793.3
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，利用保护膜的波长2000～3200nm(其中，不包括2701～2999nm)下的吸光度的最大值Xmax与保护膜的150℃下的比热S150，并通过Z150＝Xmax/S150计算出的Z150为0.12以上，利用所述Xmax与保护膜的200℃下的比热S200，并通过Z200＝Xmax/S200计算出的Z200为0.11以上。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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公开(公告)号：CN112625273B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202011052297.8
申请日：2020-09-29
Applicant: 琳得科株式会社
IPC: C08J5/18 , C08L33/08 , C08L63/00 , C08K13/06 , C08K9/04 , C08K3/36 , C08K7/18 , C08K3/08 , C08K5/544 , C08K3/04 , C08K5/00 , C08K5/3467 , B32B27/36 , B32B27/06 , B32B7/06 , B32B7/12 , B32B27/32 , B32B27/08 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用膜，其为用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用膜，利用保护膜的波长1400～1500nm下的吸光度的最小值Xmin与保护膜的60℃下的比热S60，且通过式：Z60＝Xmin/S60计算出的Z60为0.6以下。本发明还提供一种保护膜形成用复合片，其具备支撑片与设置在所述支撑片的一个面上的所述保护膜形成用膜。
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