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公开(公告)号：CN112701158A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911006756.6
申请日：2019-10-22
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及电子领域，公开一种功率器件及电子设备，包括：衬底；形成于衬底的器件层，器件层包括开通二极管、关断二极管以及多晶电阻，开通二极管和关断二极管均包括阴极、阳极和N阱，多晶电阻包括开通电阻和关断电阻；形成于器件层背离衬底一侧的金属层，金属层包括第一金属引出部、第一连接区、第二连接区、第二金属引出部；第一金属引出部与开通二极管的阴极以及关断二极管的阳极电连接；第一连接区用于连接开通二极管的阳极和开通电阻；第二连接区用于连接关断二极管的阴极和关断电阻；第二金属引出部用于连接开通电阻和关断电阻，通过简单的电路，整合栅极开通电阻和关断电阻回路到IGBT的器件芯片中，简化了系统级电路的设计。
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公开(公告)号：CN112151521A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910561676.0
申请日：2019-06-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种功率模块及电子设备，功率模块通过集成用于存储电子设备的通用程序及参数设置程序的EEPROM芯片和用于存储固化的算法程序的MCU芯片，固化的算法程序不能通过EEPROM芯片被读写，且MCU芯片与EEPROM芯片电连接以读写通用程序和参数设置程序，以使用户通过对EEPROM芯片内的通用程序及参数设置时MCU芯片中存储的算法程序不会被泄露，使功率模块在满足实际需求的同时确保了MCU芯片中算法程序的安全性，进而有效提高了功率模块的安全性能。
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公开(公告)号：CN111354695A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN111326481A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN202010192457.2
申请日：2020-03-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及封装结构技术领域，具体涉及一种封装结构，该封装结构，包括：半导体模块和包封于所述半导体模块外侧的硅胶层；本实施例采用固化后具有弹性的硅胶层代替现有技术的环氧树脂塑封料，从而实现当外界温度发生变化时，固化后具有弹性的硅胶层在热胀冷缩的过程中不会对芯片造成损伤，最终保证芯片性能的稳定性。
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公开(公告)号：CN111293171A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811505672.2
申请日：2018-12-10
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种IGBT芯片的设计结构、产品结构及其制造方法，该设计结构包括：在所述IGBT芯片的沟槽设计上，在所述IGBT芯片的正面发射极打线位置的下方不设计沟槽(6)。本发明的方案，可以解决超薄trench FS-IGBT芯片在封装打线过程中应力集中、芯片容易开裂的问题，实现减小应力和芯片不易开裂的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111106043A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201911337436.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开提供一种功率半导体器件及其制备方法。该功率半导体器件包括第一导电类型衬底、设置于所述衬底内的呈网格状分布的第一沟槽栅，以及位于由所述第一沟槽栅围合的每个网格单元格内的岛状第二沟槽栅、位于所述衬底内并位于所述第一沟槽栅和所述第二沟槽栅之间的第二导电类型阱区、位于所述阱区内的第一导电类型第一源区、第一导电类型第二源区和第二导电类型第三源区，以及位于所述衬底上方并同时与所述第一源区、所述第二源区、所述第三源区和所述第二沟槽栅形成电连接的发射极金属层。在不改变器件内部的电场线分布的情况下，增大有效沟槽栅之间的间距来降低电流密度，提高器件的抗短路能力，同时又能改善器件内部电场，提高器件耐压能力。
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公开(公告)号：CN111081661A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911339951.0
申请日：2019-12-23
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/40
Abstract: 本申请涉及一种基于功率半导体器件的散热结构及安装方法，所述散热结构包括：功率半导体器件、电路板、绝缘层、散热器以及固定组件；在电路板上设置有至少两个开孔，在至少两个开孔中设置有对应的至少两个固定组件；固定组件的一端外延至电路板的一侧，至少两个固定组件的外延部夹持固定功率半导体器件；固定组件的外延部还嵌入设置于散热器的一表面，以使通过电路板与散热器将功率半导体器件进行固定；绝缘层接触设置于功率半导体器件与散热器之间。如此通过将功率半导体器件夹持固定于电路板的一侧，增加了散热面积，有利于功率半导体器件散热，并且避免了因漏电将功率半导体器件或电路板烧毁的情况。
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公开(公告)号：CN111354695B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202010166039.6
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L23/00 , H01L21/56
Abstract: 本发明提出了一种封装结构及其制造方法，封装结构包括导热底片、芯片、引脚以及塑封材料层，芯片固定在导热底片上，芯片与引脚形成电气连接，封装结构还包括导热网，导热网包裹芯片，并且导热网嵌装在塑封材料层内。本发明提供的封装结构，由于在塑封材料层中嵌入了导热网，提高了封装结构的散热性能，有效解决了现有的封装结构中，由于塑封料散热不好，导致芯片周围热量无法及时散出的问题；有利于注塑材料受热均匀，减少其膨胀系数，从而有效解决了现有封装结构中由于注塑受热不均匀，容易挣脱引线的问题；另外，当发生意外爆炸时，由于使用导热网包裹芯片，不会使芯片弹飞外壳，从而提高了封装结构的安全性。
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公开(公告)号：CN112768503B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201911002701.8
申请日：2019-10-21
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/739 , H01L49/02
Abstract: 本公开提供一种IGBT芯片、其制造方法及功率模块。本公开的IGBT芯片包括：衬底层、设置于所述衬底层正面的若干IGBT元胞、设置于所述衬底层背面的集电极层，所述集电极层中设置有刻蚀槽；还包括热敏电阻，其设置于所述刻蚀槽内；还包括第一背面金属层，其设置于所述热敏电阻上，以与所述热敏电阻形成电连接。本公开在IGBT芯片的背面制程的同时完成热敏电阻的制造，将热敏电阻集成在IGBT芯片背面上，与IGBT芯片的集电极层位于同一平面，然后将热敏电阻背面金属层与集电极层背面金属层通过隔离槽隔开并单独引出热敏电阻引线，连接到外部控制电路上，这样就可以测试出IGBT芯片的真实温度，更好地保护IGBT芯片和保证功率模块的工作运行。
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公开(公告)号：CN113394204B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010166471.5
申请日：2020-03-11
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件及功率半导体器件的制造方法，该功率半导体器件包括：塑封壳体，在塑封壳体上设有栅极引脚、集电极引脚、发射极引脚、正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚；封装在塑封壳体内的IGBT集成电路，其与栅极引脚、集电极引脚和发射极引脚相连；封装在塑封壳体内的DigiPOT集成电路，其与正极引脚、负极引脚、片选端引脚及控制端引脚相连，该DigiPOT集成电路通过固有的输入端和输出端接入在IGBT集成电路的栅极结构层内，并作为能够调节阻值的栅极电阻。该功率半导体器件不仅解决了栅极电阻不可调节的问题，还保证了其具有更广的适用范围和更好的通用性。
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