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公开(公告)号：CN203644772U
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201320685574.8
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为4G×40bit的立体封装NAND？FLASH存储器，包括五个4G×8bit的NAND？FLASH复合芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和五个芯片层；引线框架层上设有用于对外连接的引脚，五个NAND？FLASH复合芯片分别一一对应地设于五个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和五个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和五个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203644762U
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201320679014.1
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为4G×8bit的立体封装NAND？FLASH存储器，其特征在于，包括八个512M×8bit的NAND？FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND？FLASH芯片分别一一对应地设于置放八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行对应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203554484U
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201320372538.6
申请日：2013-06-26
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H04L12/26
Abstract: 本实用新型公开一种RS-485总线测试设备，包括：PXI/CPCI接口模块，用于实现PXI/CPCI检测系统与RS-485总线控制模块之间的数据交换；RS-485总线控制模块，用于将PXI/CPCI检测系统下传的数据给到被测RS-485设备，及将经被测RS-485设备上传的数据进行解码和校验以给到PXI/CPCI检测系统进行分析处理；RS-485总线接口驱动模块，用于实现RS-485总线控制模块与被测RS-485设备之间的数据交换；电源模块，用于给整个设备供电。本实用新型的性能优于基于PCI接口的RS-485总线测试设备，可更广泛及便利地应用于基于RS-485总线的设备的场合。
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公开(公告)号：CN203423177U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320387585.8
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为64M×48bit的立体封装SDRAM存储器，包括六个容量为64M×8bit的SDRAM芯片，其特征在于，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和六个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，六个SDRAM芯片分别一一对应地设置六个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和六个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和六个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203423173U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320387572.0
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为256K×32bit的立体封装MRAM存储器，包括八个容量为128K×8bit的MRAM芯片；还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，每个芯片层上置放一个所述MRAM芯片；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN203423171U
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201320385621.7
申请日：2013-06-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为2M×8bit的立体封装MRAM存储器，包括四个容量为512K×8bit的MRAM芯片，还包括从下至上进行堆叠的一个引线框架层和四个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，四个MRAM芯片分别一一对应地设置在四个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和四个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和四个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203300642U
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201320230388.5
申请日：2013-04-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种立体封装DDR1 SDRAM存储器，包括多个DDR1SDRAM芯片，还包括从下至上进行堆叠的多个印刷电路板，所述多个印刷电路板包括一引脚印刷电路板及位于所述引脚印刷电路板上方的至少两块置放印刷电路板，引脚印刷电路板上设有用于对外连接的引脚，多个DDR1SDRAM芯片设于置放印刷电路板上但不全设于同一置放印刷电路板上；多个印刷电路板经灌封、切割后在周边上露出印刷电路线，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述多个印刷电路板上露出的印刷电路线进行关联连接以形成：多个DDR1SDRAM芯片并联连接，引脚作为立体封装DDR1SDRAM存储器的对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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公开(公告)号：CN203166960U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320074132.X
申请日：2013-02-08
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供的一种便携式1553B电缆网络测试系统，其特征在于，包括测量主机和信号发生器；测量主机包括平板电脑及与平板电脑连接的数据采集模块、主控板；主控板包括第一1553B电缆网络匹配模块、第一1553B总线控制器及与平板电脑连接的第一处理模块；信号发生器包括第二处理模块、无线通讯模块、第二1553B总线控制器、激励源、第二1553B电缆网络匹配模块；信号发生器的第二处理模块通过其无线通讯模块与测量主机的平板电脑无线通讯。本实用新型能实现方便而且全面地对1553B电缆网络特性的测试。
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公开(公告)号：CN203166959U
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201320074129.8
申请日：2013-02-08
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
Abstract: 本实用新型提供的一种机柜式1553B电缆网络测试系统，包括一机柜及安装在机柜上的工控机、显示器、人工输入模块、数据采集模块、主控板、对外接口板；数据采集模块的输出端、显示器、人工输入模块均连接工控机；对外接口板集成了多路1553B总线电缆插头；主控板包括处理模块、1553B总线控制器、1553B电缆网络匹配模块、通道切换模块、激励源，处理模块调配主控板上其他部件的工作，处理模块通过1553B总线控制器连接通道切换模块，激励源的输出端连接1553B总线控制器，数据采集模块的输入端连接通道切换模块，通道切换模块通过1553B电缆网络匹配模块连接1553B总线电缆插头。本实用新型能全面地实现对1553B电缆网络特性的测试。
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公开(公告)号：CN203746837U
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201320682907.1
申请日：2013-10-30
Applicant: 珠海欧比特控制工程股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型涉及一种容量为4G×16bit的立体封装NAND FLASH存储器，其特征在于，包括八个1G×8bit的NAND FLASH芯片，从下至上进行堆叠的一个引线框架层和八个芯片层，引线框架层上设有用于对外连接的引脚，八个NAND FLASH芯片分别一一对应地设于八个芯片层上；所述堆叠的一个引线框架层和八个芯片层经灌封、切割后在周边上露出电气连接引脚，并在外表面设有镀金连接线；镀金连接线将所述一个引线框架层和八个芯片层上露出的电气连接引脚进行相应连接，引线框架层的引脚作为对外接入信号与对外输出信号的物理连接物。本实用新型能相对降低占用印刷电路板的平面空间。
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