公开(公告)号：CN119044716A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411195401.7

申请日：2024-08-29

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李理 ,  姬伟超 ,  容建峰 ,  毛燕

IPC: G01R31/26 ,  G01R1/20 ,  G01R19/25 ,  G01R19/12

Abstract: 本发明公开的功率器件结温对应参数的测试系统及方法，通过主控制器控制调温装置对被测功率器件执行自动调温操作，同时判断被测功率器件的当前结温Tj是否与预设的结温点Tjn匹配，是则控制所述调温装置暂停调温操作并控制功率器件电性测试仪对被测功率器件进行当前匹配结温点Tjn下的参数测量；否则控制调温装置继续调温操作，直至调温后的当前结温Tj与预设的结温点Tjn全部匹配并完成相应匹配结温点的参数测量。本发明可以实现被测功率器件结温的自动监控和调节，保证器件被测功率器件结温的准确性；同时，与功率器件电性测试仪联动，自动完成预先设置的不同结温点下的器件参数测量，测试过程无需人为介入，提升了测试效率和准确性。

公开(公告)号：CN118763121A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411256993.9

申请日：2024-09-09

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李辉斌 ,  李理 ,  陈铭杰 ,  钟泳生 ,  周天彪 ,  陈慧

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/07 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/872 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本申请公开了一种沟槽MOS器件及沟槽MOS器件的制备方法，沟槽MOS器件包括贯穿源区并延伸至漂移层中的栅沟槽结构，栅沟槽结构包括栅介质层和栅极，栅介质层包括第一区域和第二区域，第一区域与第二区域分别在第一方向上具有第一厚度和第二厚度，第二厚度大于第一厚度；位于漂移层背离衬底的一侧的整流结构，整流结构包括半导体材料区域和漂移层区域，漂移层区域包括与半导体材料区接触的部分漂移层，半导体材料区域与漂移层具有不同的掺杂类型，以解决相关技术中MOS器件采用外反向并联的二极管导致的增大尺寸和可靠性差的问题。

公开(公告)号：CN222442150U

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202422981477.4

申请日：2024-12-04

Applicant: 珠海格力电子元器件有限公司 ,  珠海格力电器股份有限公司

Inventor： 李理

IPC: H10D64/27 ,  H10D30/60 ,  H10D8/60 ,  H10D84/40

Abstract: 本申请公开了一种功率器件，包括栅极结构，栅极结构位于第二外延层背离衬底的一侧，栅极结构包括栅氧层、栅极和肖特基二极管结构，栅氧层分别与第二子外延部、位于注入区与第一子外延部之间的部分第二子外延部和部分注入区接触，栅极和肖特基二极管结构分别位于栅氧层背离衬底的一侧，其中，肖特基二极管结构包括沿第二方向叠层设置的多层掺杂层，相邻的任意两层掺杂层具有不同的掺杂类型，栅极位于肖特基二极管结构在第一方向上的侧面，多层掺杂层中与栅氧层接触的掺杂层为第一掺杂层，栅极与第一掺杂层接触，第二方向为由衬底指向第一外延层的方向。以解决相关技术中功率器件栅极抗静电击穿能力差的问题。