-
公开(公告)号：CN115753604A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211287354.X
申请日：2022-10-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种显微热台，包括：基台，基台内限定加热腔；加热组件，包括：加热座，设置于加热腔的中部并悬装于基台的底部的上方，加热座的顶面的中部设置有用于放置样品的样品槽，样品槽的内缘及外缘之间的加热座的环形区域、沿周向方向均匀间隔设置有多个沿加热座的轴向贯通的通孔；以及加热丝，呈S形顺次穿过每个通孔，使得样品槽的深度方向被热源包覆；以及上盖组件，包括：上盖本体，可拆卸地安装于基台上，适用于将加热腔密封，上盖本体的与样品槽的竖直方向上的正投影位置设置有用于允许激发光及收集光通过的通光孔，通光孔内安装有透光窗。
-
公开(公告)号：CN106960089B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710148885.3
申请日：2017-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种含内部复杂边界结构体的温度场和热流同时重构方法，其包括以下步骤：1)获取结构体的受热表面温度，作为导热微分方程的求解边界条件；2)获取结构体的内部局部温度，作为导热微分方程的求解限定条件；3)根据流体与冷却通道壁面的热传递的热流值建立冷却通道壁面上的热平衡方程，作为导热微分方程的求解边界条件；4)利用结构体的受热表面温度，内部边界上的热平衡方程，以及内部局部温度，并结合导热微分方程，获得完整的控制方程组；5)求解上述控制方程组，最后同时确定结构体的温度场和热流密度。
-
公开(公告)号：CN106897537B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710148855.2
申请日：2017-03-14
Applicant: 清华大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种含三维或曲面外形结构体的温度场与热流同时重构方法，其包括以下步骤：1)获取结构体的三维表面温度场分布，作为导热微分方程的求解边界条件；2)获取结构体的内部局部温度，作为导热微分方程的求解限定条件；3)根据流体与冷却通道壁面的热传递的热流值建立冷却通道壁面上的热平衡方程，作为导热微分方程的求解边界条件；4)利用结构体的受热表面温度，内部边界上的热平衡方程，以及内部局部温度，并结合导热微分方程，获得完整的控制方程组；5)求解上述控制方程组，最后同时确定结构体的温度场和热流密度。
-
公开(公告)号：CN108106480A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711483714.2
申请日：2017-12-29
Applicant: 清华大学
IPC: F28D21/00
Abstract: 本发明涉及一种具有热疏导及定向热聚集功能的热管理器件，包括圆柱体基体、热源和热聚集部件，所述热源为设置在所述圆柱体基体中心且与所述圆柱体基体等高的柱状体结构，所述热聚集部件为多个设置在所述圆柱体基体内且围绕所述热源周向布置的扇形结构，所述热聚集部件与所述圆柱体基体高度相同，所述热聚集部件短弧面一侧远离所述热源，所述热聚集部件由两种热导率不同的材料沿扇形结构的圆弧方向交错排布构成。本发明的热管理器件可以实现热源的热流疏导和定向聚集，且材料选择的范围扩大，适用于宽温度范围及宽热流范围。
-
公开(公告)号：CN104913862B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510268503.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01K17/06
Abstract: 本发明公开了一种基于圆箔热流计的对流热流测量方法，包括：建立圆箔热流计的对流热流测量数学模型，获得所述圆箔热流计的圆箔片温度分布函数；建立所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数；测量所述圆箔热流计的输出电动势，基于所述圆箔片的温度分布函数和所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数，计算所述圆箔热流计测量的平均对流热流密度。本发明不改变圆箔热流计硬件结构和使用条件，在未知对流热换系数的情况下，实现对流热流的精确测量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106556462A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611110702.0
申请日：2016-12-06
Applicant: 清华大学
IPC: G01J5/00
CPC classification number: G01J5/00
Abstract: 本发明涉及一种基于多光谱测量的亚像元温度分布测量装置及方法，包括：朝向待测点的多光谱测量设备和辐射光源；多光谱测量设备用于在辐射光源关闭状态下测量待测点在多个不同波长下的第一辐射强度，在辐射光源开启状态下测量待测点在多个不同波长下的第二辐射强度；其中，第二辐射强度为辐射光源发出的经待测点反射的辐射强度和待测点的辐射强度之和；其中，待测点的亚像元温度分布是根据第一辐射强度、第二辐射强度和辐射光源在多个不同波长下的辐射强度确定的。本发明提供的技术方案，可以快速确定待测点区域内的亚像元温度分布，实现了未知发射率情形下的辐射温度非接触在线测量，可以适用于大温度梯度、高瞬态响应、长时间连续测量。
-
公开(公告)号：CN103267772B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201310146203.7
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种基于瞬态分析的大温差样品的半球向全发射率测量方法，所述方法包括：在样品上布置多个热电偶，在真空环境下将样品通电加热至高温，使其自然冷却降温；将样品降温过程分为多个温度子区间，将半球向全发射率、导热系数及比热容分别表示为关于温度的数学函数；将样品沿其轴向分为多个微元控制体，构建样品在降温过程中微元控制体某一时刻的能量平衡方程；获得样品在降温过程中的半球向全发射率、导热系数及比热容的数值。本发明适用于具有大温度梯度分布的导体材料样品的半球向全发射率测量，且可同时得到导体材料的导热系数及比热容。
-
公开(公告)号：CN103257154A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310146233.8
申请日：2013-04-24
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明具体公开了一种大温差样品的半球向全发射率与导热系数的测量方法，所述方法包括：在真空环境下通电加热带状导体样品，沿其轴向布置多个热电偶测点；形成样品分析区，并测量获得分析区的电流值和电压值；将样品沿轴向分为多个微元控制体，建立微元控制体的稳态能量平衡方程，将半球向全发射率和导热系数分别表示为关于温度的数学函数；在不同稳态温度条件下进行多组稳态测量实验，构造出多个稳态能量平衡方程；计算得到各微元控制体在不同稳态下的温度分布及不同稳态温度条件下的半球向全发射率和导热系数。本发明克服了现有技术无法对导热系数未知的大温差导体材料样品进行半球向全发射率测量的问题。
-
公开(公告)号：CN101487740B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200910077464.1
申请日：2009-02-12
Applicant: 清华大学
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种三CCD温度场测量装置，包括：光学镜头，用于光学成像，将待测物体的辐射聚焦在分光棱镜组的入射面上；分光棱镜组，将投射的辐射等分为三束不同方向的波段辐射，分别从三个出射面出射；三个CCD面阵传感器，分别设置于分光棱镜组的三个出射面处，对三路经过不同光谱透过率分布的滤光片的出射辐射进行成像，获得三路光谱非相关的CCD图像；数据采集分析单元，对三路CCD图像数据进行采集，并利用多光谱测温法进行温度场计算。本发明还涉及一种对应的温度场测量方法。本发明的技术方案可以实现温度场测量，应用范围广泛；且技术方案实现简单，在高温检测等工业生产领域易于推广应用。
-
公开(公告)号：CN102042993A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010562419.8
申请日：2010-11-23
Applicant: 清华大学 , 中国航天科工集团第三总体设计部
Abstract: 本发明公开了一种高温材料法向光谱发射率测量系统，包括：真空加热单元，其上部设置测试样品，对测试样品下表面进行辐射加热；水冷套筒单元，套设在测试样品上部，将测试样品上表面置于恒温冷环境中；光纤传感器测量单元，设置在测试样品上方，测量测试样品上表面的法向光谱辐射强度；数据采集与分析单元，与光纤传感器测量单元连接，依据所测得的法向光谱辐射强度，通过多光谱反演算法，计算其法向光谱发射率。本发明实现了0.4μm～1.7μm光谱范围、600℃～1500℃温度范围的材料法向光谱发射率测量，测量无需在线辐射定标，技术实现简单、准确可靠，克服了现有光谱发射率装置价格昂贵、构造复杂、技术实施难度较大等应用的局限性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
84
records
(took 0.02 seconds)
