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公开(公告)号：CN104897306B
公开(公告)日：2017-10-17
申请号：CN201510266825.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于圆箔热流计的瞬态热流测量方法，包括：建立圆箔热流计的瞬态辐射热流测量数学模型，获得所述圆箔热流计的圆箔片中心的瞬态温度分布函数；建立所述圆箔片中心的瞬态温度与所述圆箔热流计的瞬态输出电动势的关联函数；测量所述圆箔热流计的瞬态输出电动势，基于所述圆箔片的瞬态温度分布函数和所述圆箔片中心的瞬态温度与所述圆箔热流计的瞬态输出电动势的关联函数，计算投射到所述圆箔热流计的瞬态辐射热流随时间的分布。本发明在不改变圆箔热流计硬件结构和使用条件的前提下，通过在任一个时间间隔内的多个瞬态输出电动势的测量，计算得到瞬态辐射热流随时间变化的分布，从而实现高瞬态辐射热流的精确测量。
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公开(公告)号：CN104913862B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510268503.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01K17/06
Abstract: 本发明公开了一种基于圆箔热流计的对流热流测量方法，包括：建立圆箔热流计的对流热流测量数学模型，获得所述圆箔热流计的圆箔片温度分布函数；建立所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数；测量所述圆箔热流计的输出电动势，基于所述圆箔片的温度分布函数和所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数，计算所述圆箔热流计测量的平均对流热流密度。本发明不改变圆箔热流计硬件结构和使用条件，在未知对流热换系数的情况下，实现对流热流的精确测量。
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公开(公告)号：CN103217387B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310095119.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。
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公开(公告)号：CN103196840A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310095139.4
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及材料的热物性参数测试技术领域，尤其涉及一种基于有效辐射的材料高温光谱发射率测试系统。该测试系统包括水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体以及辐射测量与标定单元，通过水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体和辐射测量与标定单元相结合进行材料光谱发射率的测试，在测试过程中无需参考黑体源，无需预先精确知晓材料温度，降低了测试难度，提高了测试精度，通过将测试样品放置于真空水冷室内避免了测试样品的高温氧化问题。
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公开(公告)号：CN104913862A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510268503.1
申请日：2015-05-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01K17/06
Abstract: 本发明公开了一种基于圆箔热流计的对流热流测量方法，包括：建立圆箔热流计的对流热流测量数学模型，获得所述圆箔热流计的圆箔片温度分布函数；建立所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数；测量所述圆箔热流计的输出电动势，基于所述圆箔片的温度分布函数和所述圆箔片中心温度与所述圆箔热流计的输出电动势的关联函数，计算所述圆箔热流计测量的平均对流热流密度。本发明不改变圆箔热流计硬件结构和使用条件，在未知对流热换系数的情况下，实现对流热流的精确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104897306A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510266825.2
申请日：2015-05-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于圆箔热流计的瞬态热流测量方法，包括：建立圆箔热流计的瞬态辐射热流测量数学模型，获得所述圆箔热流计的圆箔片中心的瞬态温度分布函数；建立所述圆箔片中心的瞬态温度与所述圆箔热流计的瞬态输出电动势的关联函数；测量所述圆箔热流计的瞬态输出电动势，基于所述圆箔片的瞬态温度分布函数和所述圆箔片中心的瞬态温度与所述圆箔热流计的瞬态输出电动势的关联函数，计算投射到所述圆箔热流计的瞬态辐射热流随时间的分布。本发明在不改变圆箔热流计硬件结构和使用条件的前提下，通过在任一个时间间隔内的多个瞬态输出电动势的测量，计算得到瞬态辐射热流随时间变化的分布，从而实现高瞬态辐射热流的精确测量。
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公开(公告)号：CN103196840B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310095139.4
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/25 , G01N21/35 , G01N21/359
Abstract: 本发明涉及材料的热物性参数测试技术领域，尤其涉及一种基于有效辐射的材料高温光谱发射率测试系统。该测试系统包括水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体以及辐射测量与标定单元，通过水冷真空室、真空辐射加热单元、有效辐射腔体和辐射测量与标定单元相结合进行材料光谱发射率的测试，在测试过程中无需参考黑体源，无需预先精确知晓材料温度，降低了测试难度，提高了测试精度，通过将测试样品放置于真空水冷室内避免了测试样品的高温氧化问题。
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公开(公告)号：CN103163117B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201310095143.0
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/71
Abstract: 本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧化金属样品的法向光谱发射率；S3、根据各氧化金属样品的法向发射率，建立光学常数数学模型，并以此计算出氧化金属样品的金属氧化层的光学常数。本发明通过采用高温光谱发射率测量实验台测量具有不同金属氧化层厚度的氧化金属样品的高温法向光谱发射率，可实现真空环境下的500℃以上高温氧化层光学常数测量，克服了传统测量技术易产生非真空环境下的样品氧化现象以及高温难于实现的技术局限性。
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公开(公告)号：CN103217387A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310095119.7
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/25
Abstract: 本发明涉及一种测量金属氧化层高温光学常数的方法，包括如下步骤：S1、提供多份氧化金属样品，分别测量每份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、采用真空变角度高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下，分别对每份氧化金属样品进行至少两种不同探测方向角的定向光谱发射率测量；S3、基于辐射传递原理，建立氧化金属样品定向光谱发射率与探测方向角、氧化层厚度、氧化层光学常数及金属基底辐射特性的数学关系式；S4、基于所述数学关系式，通过不同探测方向角、不同厚度金属氧化层的氧化金属样品的定向光谱发射率测量数据，构造计算方程组，求解金属氧化层的高温光学常数。本发明可实现500℃以上高温氧化层光学常数测量。
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公开(公告)号：CN103163117A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310095143.0
申请日：2013-03-22
Applicant: 清华大学
IPC: G01N21/71
Abstract: 本发明涉及一种金属氧化层高温光学常数测量方法，其包括以下步骤：S1、提供多份具有不同厚度金属氧化层的氧化金属样品，分别测量多份氧化金属样品的金属氧化层的厚度；S2、利用高温光谱发射率测量实验台，在真空环境下分别测量多份氧化金属样品的法向光谱发射率；S3、根据各氧化金属样品的法向发射率，建立光学常数数学模型，并以此计算出氧化金属样品的金属氧化层的光学常数。本发明通过采用高温光谱发射率测量实验台测量具有不同金属氧化层厚度的氧化金属样品的高温法向光谱发射率，可实现真空环境下的500℃以上高温氧化层光学常数测量，克服了传统测量技术易产生非真空环境下的样品氧化现象以及高温难于实现的技术局限性。
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