光刻胶及亚胺类材料的图案化方法

    公开(公告)号:CN111880371A

    公开(公告)日:2020-11-03

    申请号:CN202010815574.X

    申请日:2020-08-13

    Abstract: 本发明公开了一种光刻胶,包括:氨基化合物、醛基化合物、产酸剂和溶剂,所述产酸剂能够在紫外光下分解形成光酸催化剂,所述光酸催化剂能够催化所述氨基化合物和所述醛基化合物发生缩合反应形成亚胺类聚合物;所述氨基化合物在所述光刻胶中的质量百分数为0.4%~30%,所述醛基化合物在所述光刻胶中的质量百分数为0.5%~30%,所述产酸剂在所述光刻胶中的质量百分数为0.01%~8%。本发明还公开了一种亚胺类光刻胶材料的图案化方法。

    一种基于超声测距的心脏三维标测系统及方法

    公开(公告)号:CN108042203A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711397446.2

    申请日:2017-12-21

    CPC classification number: A61B34/20 A61B2034/2063

    Abstract: 本发明公开了一种基于超声测距的心脏三维标测系统及方法。本发明基于超声测距的心脏三维标测系统包括超声晶体、超声采集模块、超声驱动模块。通过采用超声测距和电磁定位相结合的方法,能够在进行心内导管的介入式手术过程中,快速获取获取心脏内膜点的云数据。在标测心内膜三维空间位置点时,通过超声测距的方法,提供介入式导管到心内膜的距离信息。通过检测超声回波的方式计算距离,具有速度快,精度高的优点,并且可以将距离信息通过串口查询的方式与上位机进行通信。本发明可以通过非接触的方式,获得介入式导管到心内膜的距离,并且实现与计算机的通信,为结合电磁定位还原三维空间位置信息,获取心腔三维模型奠定基础。

    一种用于失效分析的样品的处理装置

    公开(公告)号:CN114910497B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202210593038.9

    申请日:2022-05-27

    Abstract: 本发明提供一种用于失效分析的样品的处理装置,包括梯形工作台,防滑橡胶垫,带孔IC座,塑料支架,弯折观察架结构,吸尘补光架结构,电动马达,侧面支撑架,燕尾型限位滑槽,燕尾型移动滑块,锁紧螺栓,升降减速架结构,燕尾型升降板,齿槽移动板和打磨马达,所述的防滑橡胶垫胶接在梯形工作台的下部;所述的带孔IC座胶接在梯形工作台的上部;所述的塑料支架螺钉连接在梯形工作台的上部左侧。本发明矩形连接管、放大镜片和橡胶护眼罩的设置,有利于对的芯片表面的观察位置进行放大,保证工作人员可以清晰地看到打磨效果,提高该装置的打磨精度。

    光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法

    公开(公告)号:CN115903376A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202110987312.6

    申请日:2021-08-26

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明涉及光刻胶技术领域,具体而言,涉及一种光刻胶、光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法。光刻胶,包括有机溶剂、光致酸产生剂及氧化锆纳米颗粒成膜树脂,将丙醇锆与不饱和有机羧酸混合加热制备所述氧化锆纳米颗粒成膜树脂。光致酸产生剂能够引发氧化锆纳米颗粒成膜树脂团聚,且具有式I和/或式II所示结构,其中R1~R8独立地选自‑H、‑CH3、甲氧基、乙氧基或羟基乙氧基。所述光刻胶光刻成型速率快、加工图案的特征尺寸能够达到纳米级。本发明还提供了包括所述光刻胶的光刻胶组合产品及光刻胶图案化的方法。

    三维共价有机框架材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115677952A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202110852682.9

    申请日:2021-07-27

    Abstract: 本发明涉及共价有机框架材料技术领域,具体涉及一种三维共价有机框架材料及制备方法和应用。所述三维共价有机框架材料由第一单体和第二单体共聚合反应形成,所述第一单体的结构通式如式I或式II所示,R1选自‑NH2、‑Ph‑NH2或‑CHO;R1选自‑C、‑Si、取代或未取代的联苯基,或*为连接位点;R2~R16分别独立地选自‑H、‑Cl、‑Br、‑F、‑I、C1~C6直链烷基、C1~C6支链烷基,或C1~C6烷氧基;所述第二单体的结构通式如式III所示,R2选自‑NH2或‑CHO;R17~R28分别独立选自‑H、‑Cl、‑Br、‑F、‑I、C1~C6直链烷基、C1~C6支链烷基,或C1~C6烷氧基;且当R1选自‑NH2或‑Ph‑NH2时,R2选自‑CHO,当R1选自‑CHO时,R2选自‑NH2。

    一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置以及系统

    公开(公告)号:CN115078943A

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202210555179.1

    申请日:2022-05-20

    Abstract: 本发明提供一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试装置,包括横向底板,安装架,顶紧气缸,连接座,温度检测架结构,压力检测承重架结构,测试架结构,处理器,触摸显示屏和寄存器,所述的横向底板的上部右侧螺栓安装有安装架;所述的安装架的左侧螺栓安装有顶紧气缸;所述的顶紧气缸的下部螺栓安装有连接座;所述的连接座的下部安装有温度检测架结构;所述的横向底板的上部左侧安装有压力检测承重架结构;所述的安装架的右侧安装有测试架结构;所述的安装架的上部安装有处理器。本发明电流电压可以灵活调整,以及增加测试功能。

    高精度模数转换器转换速度提升电路

    公开(公告)号:CN112104370B

    公开(公告)日:2022-05-03

    申请号:CN202011022536.5

    申请日:2020-09-25

    Abstract: 本发明属于集成电路技术领域,具体为一种高精度模数转换器转换速度提升电路,该电路包括:信号输入电路、高精度ADC内核、高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路、数据求和电路以及数字校准电路。本发明所述高精度模数转换器转换速度提升电路采用微分信号处理技术,在传统中速高精度ADC内核基础上增加了输入模拟信号跟踪量化电路,实现模拟信号的高速跟随和量化,达到提升ADC转换速率的目的。所述模拟信号跟踪量化电路仅包括高性能采样开关、保持电路、比较器、FIFO电路以及数据求和电路,在不需要成倍增加硬件和功耗开销的条件下,快速提升ADC转换速度,具有低成本优势。

    一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置

    公开(公告)号:CN112071962B

    公开(公告)日:2022-04-26

    申请号:CN202010774402.2

    申请日:2020-08-04

    Abstract: 本发明公开了一种在图形化蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工装置,包括加工箱体,加工箱体内壁的底部固定连接有转动电机,所述转动电机的输出端固定连接有加工台,所述加工台上设置有夹紧机构,所述加工箱体内壁之间的上方固定连接有固定板,所述加工箱体的内部设置有调节机构(6);该加工装置利用加热管产生的高温使得加工箱体内部产生高温环境,满足蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的加工时所需的高温环境,结构简单,成本低,方便快速的调节蓝宝石衬底上生长氮化镓外延层的温度条件的问题。

Patent Agency Ranking