一种用于氮化镓集成电路电性的失效分析方法及系统

    公开(公告)号:CN119827942A

    公开(公告)日:2025-04-15

    申请号:CN202411840184.2

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本发明公开了一种用于氮化镓集成电路电性的失效分析方法及系统,包括如下步骤:对氮化镓集成电路进行初步的电性测试,收集第一组电性测试数据;然后,对数据进行预处理,以提高后续分析的准确性;利用训练好的人工智能算法对预处理后的第一组电性测试数据进行分析,识别潜在的失效模式或异常特征;对氮化镓集成电路进行红外成像,获取其热分布图像,通过分析热分布图像中的热点或异常温度区域,结合集成电路的布局和电路设计信息;本发明的有益效果是:首次将人工智能与红外成像技术应用于氮化镓集成电路的失效分析中,实现了技术上的融合与创新;通过人工智能算法的智能分析和红外成像技术的直观展示,显著提高了失效分析的效率和准确性。

    一种集成电路可靠性试验装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119689209A

    公开(公告)日:2025-03-25

    申请号:CN202411861613.4

    申请日:2024-12-17

    Abstract: 本发明公开了一种集成电路可靠性试验装置,包括实验箱体,该实验箱体的内侧壁上设有承托块;承托架,包括支板、对称分布在支板上的支撑板、与支撑板顶端连接的限定环、垂直支板边侧的立板、垂直立板的导向杆;分隔架,包括套设在导向杆外侧的套筒、均匀分布在套筒外侧的隔离板、垂直隔离板的第一固定板和第二固定板、垂直第一固定板和第二固定板的限定柱;限定工件B的夹持组件,包括套设在限定柱上的连接块、与连接块滑动连接的滑动杆、与滑动杆一端连接的夹板;工件B放置在第一固定板和第二固定板之间的位置,在压缩弹簧的弹力作用下,夹板夹住工件B的两侧,可抽拉套筒,使隔离板和固定住的工件B同向移动,有同时移动工件B的设计。

    一种集成电路板振动频率自动测试装置

    公开(公告)号:CN119574698A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202411776456.7

    申请日:2024-12-05

    Abstract: 本发明公开了一种集成电路板振动频率自动测试装置,包括检测座和放置板,检测座的顶部开设有矩形槽,放置板滑动安装在矩形槽的内部,检测座顶部的一侧呈对称固定安装有两个支撑滑杆;振动头不断地上下移动,对集成电路板进行不断的敲击,从而使集成电路板产生振动,并且观察外界检测设备判断集成电路板是否损坏,能够实现对集成电路板进行全面而精确的振动检测,这种检测方法具有高度的灵活性,可以针对不同厚度、不同规格以及不同材质的集成电路板进行有效的检测,极大地提升了对集成电路板在振动环境下的性能评估与故障排查的检测效果,为确保集成电路板的可靠性和稳定性提供了有力的技术支撑。

    一种基于半导体的模块高低温试验系统

    公开(公告)号:CN119644085A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411770669.9

    申请日:2024-12-04

    Abstract: 本发明公开了一种基于半导体的模块高低温试验系统,该高低温试验系统包括硬件模组,用于对温度进行控制、数据传输,以及指令的接收;控制算法单元;该控制算法模块包括通过调整比例、积分和微分参数来优化温度控制,并使用自适应PID或模糊PID方法来提高系统的稳定性和响应速度PID控制模块;使用高灵敏度的传感器可以实现更高的温度测量精度,减少误差,提高控制的准确性,并采用MEMS执行器等新型技术,可以快速调整温度,适应快速变化的环境需求,同时通过模糊逻辑和强化学习算法,系统能够根据实时数据自动调整控制策略,适应不同的工作环境和条件,结合边缘计算和深度学习技术,可以对温度变化进行预测,提前采取措施。

    基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统

    公开(公告)号:CN119596113A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411819789.3

    申请日:2024-12-11

    Abstract: 本发明公开了基于高温环境的碳化硅集成电路可靠性测试方法及系统,具体包括如下步骤:步骤一:构建多应力条件综合测试平台;步骤二:制定包含多应力条件的测试标准;步骤三:优化样品处理与测试夹具设计,针对碳化硅集成电路的特点,设计合适的测试夹具,确保样品在测试过程中不会受到损坏或性能下降;通过实施构建多应力条件综合测试平台、制定包含多应力条件的测试标准、优化样品处理与测试夹具设计、提升测试设备精度与校准频率以及建立持续监测与反馈机制一系列具体且融入公式的步骤,综合提升碳化硅集成电路在高温环境下的可靠性测试水平,确保测试结果的准确性和可靠性,为碳化硅集成电路的可靠性评估提供统一标准和有力支持。

    一种半导体贴片机的复合上料装置

    公开(公告)号:CN113644019B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202110907503.7

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种半导体贴片机的复合上料装置,包括:平移轨道,所述平移轨道架设于预设位置;行走座,所述行走座行走于所述平移轨道上;升降座,所述升降座安装于所述行走座底端;复合上料机构,所述复合上料单元安装于所述升降座底端;其中,所述复合上料机构可完成料盒的抓取、上料。本发明提供的一种半导体贴片机的复合上料装置,复合上料机构可以利用吸盘或者卡爪完成料盒的抓取、上料,行走座带动料盒沿着平移轨道运动,升降座完成料盒的升降,从而完成料盒的复合上料,上料方式多样,提高了工作效率,迎合了生产需求。

    三维羧酸共价有机框架材料及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115403777A

    公开(公告)日:2022-11-29

    申请号:CN202110592504.7

    申请日:2021-05-28

    Abstract: 本发明涉及共价有机框架材料技术领域,具体涉及一种三维羧酸共价有机框架材料及制备方法和应用。三维羧酸共价有机框架材料由单体中的甲酰基与化合物中的氨基所形成的亚胺键连接而成,单体结构式为式I、式II或式III,R1为‑C、‑Si、取代或未取代的联苯基,或*为连接位点;R2~R31分别独立地选自‑H、C1~C6直链烷基、C1~C6支链烷基,或C1~C6烷氧基。化合物结构式为IV或V,R32~R43分别独立地选自‑H、‑Cl、‑Br、‑F、‑I、硝基、羟基、C1~C6直链烷基、C1~C6支链烷基,或C1~C6烷氧基,R34~R41中至少有一个为羧基。该材料具有丰富的活性位点。

    一种集成电路失效位置检查用装置以及方法

    公开(公告)号:CN115015269A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210575006.6

    申请日:2022-05-24

    Abstract: 本发明提供一种集成电路失效位置检查用装置,包括检查台,支撑架,热发射显微镜,可调节存放架结构,可调供电架结构,可调节监测架结构和显示屏,所述的检查台的下部螺栓安装有支撑架;所述的检查台的上部左侧安装有热发射显微镜;所述的热发射显微镜的下部设置有可调节存放架结构;所述的检查台的中上部安装有可调供电架结构。本发明T型旋转杆的垂直段胶接有橡胶绝缘套,有利于在使用时方便使用者握住T型旋转杆在定位槽内转动,同时方便对夹装在弹簧接线夹内的二极管进行翻转,实现全方位的检测。

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