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公开(公告)号：CN119263812A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411368526.5
申请日：2024-09-29
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/46 , H01G4/12 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明提供了一种高介电常数温度稳定型介质陶瓷材料及制备方法和应用。形成该陶瓷介质材料的各原料包括：15摩尔％～16摩尔％的BaCO3和/或BaO，5摩尔％～15摩尔％的Sm2O3，5摩尔％～10摩尔％的Bi2O3和60摩尔％～80摩尔％的TiO2。所提供的陶瓷介质材料具有中等的烧结温度、高的介电常数，低的介电损耗以及高绝缘电阻。
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公开(公告)号：CN118273001A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211708178.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种全有机高击穿复合电介质薄膜及其制备方法。该薄膜的制备方法包括：1)ArPTU颗粒的合成；2)复合薄膜材料的制备；ArPTU颗粒采用微波合成法，包括：将反应单体二氨基二苯甲烷、硫脲以及催化剂对甲苯磺酸溶于极性溶剂中，微波加热反应，经沉淀、清洗、烘干，收集ArPTU颗粒；复合薄膜材料采用相分离法制备，包括：将ArPTU颗粒溶解在极性溶剂中，再加入P(VDF‑HFP)粉体配置混合溶胶，然后静电纺丝制备无纺布，再依次经高温热压处理、冰水淬火、温水冷淬，即得。该复合材料可以实现材料内部原位纳米颗粒的形成，同时均匀弥散分布的纳米颗粒，导致了界面结合良好、薄膜质量均一稳定的电介质复合材料。
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公开(公告)号：CN117534960A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311353507.0
申请日：2023-10-18
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种复合电介质薄膜及其制备方法和应用。复合电介质薄膜包括聚酰亚胺和有机小分子助剂，有机小分子助剂的导带底不大于‑4eV，有机小分子助剂的带隙不小于4eV。该复合电介质薄膜质地均匀，缺陷少，在高温环境中具有高击穿场强，高充放电效率和高储能密度。
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公开(公告)号：CN108578250B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN201810426620.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料，其由包括树脂和玻璃相硅酸盐的组分在固化剂的存在下经固化反应制得；其中，所述树脂包括双酚A双甲基丙烯酸缩水甘油酯和三缩四乙二醇二甲基丙烯酸酯。本发明还涉及一种树脂渗透硅酸盐复合材料的制备方法，其通过控制烧结温度和保温时间制备多孔陶瓷块体，然后通过真空毛细作用将树脂渗透到多孔陶瓷块体中，再经固化形成硅酸盐/树脂双重网络结构。本发明提供的树脂渗透硅酸盐复合材料兼具较高的力学性能和美学性能，在齿科修复应用方面具有巨大的开发潜力和广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN115894024A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211182682.3
申请日：2022-09-27
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种LaAgSeO热电材料及其制备方法和应用。制备LaAgSeO热电材料的方法包括：(1)将La粉、Ag粉、Se粉和La2O3粉混合后压片，以便得到前驱体；(2)将所述前驱体加热发生自蔓延反应，以便得到LaAgSeO块体；(3)将所述LaAgSeO块体研磨后进行热压烧结，以便得到LaAgSeO热电材料。该方法工艺简单，成本低，制备流程简短，因此可适用于批量化生产，实现工程化应用，采用该方法制备得到的具有低热导的层状氧硒化合物LaAgSeO热电陶瓷材料，在废热发电、电热制冷、生物传感和微纳电子等领域具有十分广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114956816B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210640955.8
申请日：2022-06-07
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/638 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种高性能烧绿石储能陶瓷材料及其制备方法与应用，所述高性能烧绿石储能陶瓷材料的化学组成通式为：(1‑x)Cd2Nb2O7‑xBi2Ti2O7，其中，0＜x≤0.2。发明人发现，具有上述化学组成通式的烧绿石储能陶瓷材料同时具有较大的极化和较高的击穿场强，具有优良的储能性能，此外该材料还具有结构稳定的特点，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111725380B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010533580.6
申请日：2020-06-12
Applicant: 清华大学
IPC: H10N10/855 , H10N10/01 , H10N10/852
Abstract: 本发明提出了层状高熵MAX相陶瓷热电材料及其制备方法。该层状高熵MAX相陶瓷热电材料的分子式为Mn+1AXn，其中，M为选自IIIB、IVB、VB和VIB族元素中的至少三种元素，A为选自IIIA、IVA、VA和VIA族元素中的至少一种，X为碳元素，且n为1、2或3。本发明所提出的层状高熵MAX相陶瓷热电材料，其中同一位中元素配比可以根据实际需求进行调控，且具有六方晶系结构、空间群为P63/mmc、晶胞由Mn+1Xn单元与A层原子在c方向交替堆垛而成，并通过M位三种以上元素组合的设计形成高熵合金，从而使高熵MAX相陶瓷热电材料在载人航天、国防军工、汽车制造和微纳电子等领域，特别是温差发电和热电制冷等领域具有十分广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114133245B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202111348141.9
申请日：2021-11-15
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/547 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种热电陶瓷材料及其制备方法，其中，该方法包括：(1)将Se粉、Bi粉、Bi2O3粉、Ln2O3粉和Cu粉混合后压片，以便得到前驱体；(2)将所述前驱体进行加热，以便使所述前驱体发生自蔓延反应，得到反应后块体；(3)将所述反应后块体粉碎和研磨后进行放电等离子烧结，以便得到Bi2LnO4Cu2Se2热电陶瓷材料。本申请的方法工艺简单，成本低，制备流程简短，总耗时在2h以内，可适用于批量化生产，进而实现工程化应用。此外，采用该方法可以制备得到具有低热导，高电导和较好的热电性能的复杂含氧层状化合物Bi2LnO4Cu2Se2热电陶瓷材料，在废热发电和电热制冷等领域具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN115028450A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210648728.X
申请日：2022-06-09
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种铌酸钠基陶瓷材料及其制备方法，铌酸钠基陶瓷材料的化学式为：(Na1‑2xBix)(Nb1‑x‑yTayTix)O3，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.2。本发明铌酸钠基陶瓷材料实现了高效的储能特性，通过掺杂钽改性后，提高了陶瓷晶粒和晶界的电阻率，减小了陶瓷在高电场下的漏电流，提高了陶瓷的击穿场强、能量密度和能量效率。
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公开(公告)号：CN114988873A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210691725.4
申请日：2022-06-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/48 , C04B35/462 , C04B35/49 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铋基焦绿石介电储能陶瓷及其制备方法，所述铋基焦绿石介电储能陶瓷的化学式为Bi1.5Zn1‑xMxNb1.5‑yM’yO7，其中，M为Mg、Cd或Ni，M’为Ta、W、Hf、Ti、Zr的至少一种，0≤x≤1，0≤y≤1.5，并且x、y不同时为0。发明人发现，具有上述化学式的铋基焦绿石介电储能陶瓷结构稳定、具有优异介电稳定性以及高电介质储能性能，具有广泛的应用前景。
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