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公开(公告)号：CN114300350A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111614210.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/28 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C28/00 , C23C28/04 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114284341A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111562829.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法，该SIC肖特基二极管包括N+衬底，N+衬底上生长有N‑外延，N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极，N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽，终端沟槽内设有二氧化硅侧壁，终端沟槽内用多晶填充，正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区，使得终端截止不再依赖反型注入，降低了成本及工艺复杂程度，同时改善了终端电场局部集聚效应。
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公开(公告)号：CN114284223A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295563.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构，包括：歧管基板，微通道基板，冷却液进口，入口缓冲区，入口段，歧管进液通道，歧管出液通道。本发明采用歧管式微通道结构，缩短了冷却液在微通道中的流动长度，进而降低了冷却液的沿程流动阻力；利用热力入口段效应增强传热系数；采用HU进出口流型提高功率芯片表面均温性，减少热点发生，提高芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN114958004B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202210788734.5
申请日：2022-07-06
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C08L83/07 , C08K3/34 , C08K3/28 , C08K9/06 , C08K5/5419
Abstract: 本发明提供一种同时具有高非线性电导特性和击穿特性的有机硅弹性体复合材料，包括以下质量分数的制备原料：乙烯基封端聚二甲基硅氧烷：35～40％；交联剂：35～40％；改性微米碳化硅：18～22％；改性纳米氮化铝：0.1～5％；所述改性微米碳化硅由微米碳化硅、硅烷偶联剂KH570在酸性的醇水溶液中水解制得；所述改性纳米氮化铝由纳米氮化铝、硅烷偶联剂KH570在酸性的醇水溶液中水解制得。本发明将改性的纳米氮化铝加入有机硅弹体/微米碳化硅复合材料中，既可以提高其非线性电导特性又可以提高其击穿特性。本发明还提供了一种同时具有高非线性电导特性和击穿特性的有机硅弹性体复合材料的制备方法和应用。
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公开(公告)号：CN117894700A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311813360.9
申请日：2023-12-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/66 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及半导体领域，提供一种评估离子注入工艺的方法。通过与正片共同进行离子注入的监控陪片评估离子注入工艺，由监控陪片替代正片进行有损检测而无需损耗昂贵的正片，因此提高了监控评估的灵活性并显著降低了监控成本，其中，仅需对基准片进行SIMS测试即可确认的扫描电镜分析数据的可参考性；后续评估离子注入工艺只需进行扫描电镜分析数据相对偏差值即可判定离子注入工艺的稳定性。本发明提供的评估离子注入工艺的方法简单可靠快速，且设备使用成本远低于频繁使用SIMS等手段来测量。
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公开(公告)号：CN117637844A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311390674.2
申请日：2023-10-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法，沟槽型MOSFET器件包括元胞结构，元胞结构包括半导体基片、阱区、源区、沟槽、绝缘栅结构、源极金属层和漏极，阱区设于半导体基片的部分区域内，源区设于阱区的上表层，沟槽贯穿阱区，且延伸至半导体基片内，绝缘栅结构包括位于沟槽内的栅极。源极金属层设于半导体基片的上表面，漏极设于半导体基片背离源极金属层的一侧表面上。源极金属层与半导体基片之间形成欧姆接触，或源极金属层与半导体基片之间形成欧姆接触及肖特基接触。集成的体二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管共用半导体基片和终端区域，减小了沟槽型MOSFET器件占用的封装面积。
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公开(公告)号：CN117613088A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311379034.1
申请日：2023-10-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及沟槽型MOSFET器件的制造方法，沟槽型MOSFET器件包括元胞结构，元胞结构包括半导体基片、阱区、至少一个屏蔽结构、源区、沟槽、绝缘栅结构、源极和漏极，阱区设于半导体基片的上表层内，至少一个屏蔽结构设于半导体基片的部分区域内，且延伸至阱区的下方，至少一屏蔽结构包括间隔设置的至少两个子屏蔽结构。源区设于阱区的上表层的部分区域内，沟槽贯穿阱区，且延伸至半导体基片內，绝缘栅结构包括位于沟槽內的栅极。阱区上位于相邻两个两个子屏蔽结构之间的区域能够成为电流的通流区域，如此可有效降低沟槽型MOSFET器件的导通电阻和导通损耗。
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公开(公告)号：CN116798860A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310887411.6
申请日：2023-07-18
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供了一种评估离子注入工艺的监测方法，包括：提供晶圆衬底，在所述晶圆衬底表面依次形成二氧化硅层和多晶硅层，形成离子注入的陪片；将若干陪片和待检测的正片一同完成离子注入工艺，对所述陪片进行激活退火；对不同陪片刻蚀至不同厚度，获取不同厚度的方阻监测数据；获取相同离子注入工艺条件下的基准样品以及对应的基准方阻值；根据陪片多晶硅层中不同厚度的方阻监测数据与基准方阻值的偏差，评估待检测的正片在相同离子注入工艺条件下不同时间和批次间的偏差及判定结果。本发明实现了生产现场便捷对离子注入品质的评估与控制，并解决了一些量测所需加工工艺对待检测的正片带来的不利影响。
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公开(公告)号：CN116544102A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310479376.4
申请日：2023-04-26
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/02 , B08B3/04 , B08B11/00 , H01L21/027 , B08B7/00
Abstract: 本公开涉及用于清洗晶圆的方法、用于制造集成电路的方法。该用于清洗晶圆的方法包括：以第一转速转动晶圆，其中，晶圆的待清洗面沿转动轴线朝向一侧；对待清洗面的转动中心进行喷水；以第二转速转动经历过喷水步骤的晶圆，其中，第二转速大于或等于第一转速；以及烘烤经历过以第二转速转动步骤的晶圆。该方法可以实现对表面沾污有颗粒的晶圆进行良好的清理。
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