一种具有刻蚀容差的硅狭缝波导电极

    公开(公告)号:CN101666919B

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN200910152944.X

    申请日:2009-09-21

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02F1/035

    摘要: 本发明公开了一种具有刻蚀容差的硅狭缝波导电极。在绝缘体上的硅材料的顶层硅中部设有硅狭缝波导,包括一侧硅波导、狭缝、另一侧硅波导、以及狭缝底部刻蚀残留的本征硅I或狭缝底部刻蚀残留的P型掺杂的硅或N型掺杂的硅。狭缝中填充同时作为上包层的电光材料。它的一侧硅波导以及与之相连的加上负电压的P型掺杂的硅平板,另一侧硅波导以及与之相连的加上正电压的N型掺杂的硅平板,共同构成了硅狭缝波导的电极。本发明利用硅材料的PN结和PIN结反偏耗尽的特性,通过在狭缝波导的两侧电极部分分别进行N型和P型掺杂,并施加反偏电压形成结区耗尽,在物理上阻断了左右电极之间的导电性,从而能够允许狭缝的刻蚀有残留,增大了刻蚀工艺的容差。

    一种用于增强传感器灵敏度的复合光波导

    公开(公告)号:CN101776465B

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201010100251.9

    申请日:2010-01-25

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01D5/26 G02B6/00

    摘要: 本发明公开了一种用于增强传感器灵敏度的复合光波导。包括下包层、条形限制区和传感层;在传感层从下至上依次设置平板形限制区和上包层;条形限制区折射率大于下包层的折射率;平板形限制区的折射率大于上包层的折射率;传感层折射率小于条形限制区和平板形限制区的折射率。本发明通过引入垂直于基片方向上的狭缝波导结构,与传统的基于倏逝波原理的集成光学光学传感器相比,增强了光导波与传感层的相互作用,提高了传感器的灵敏度。

    一种电场静态偏置抑制银线的方法及装置

    公开(公告)号:CN102010141A

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201010298646.4

    申请日:2010-09-30

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: C03C21/00

    摘要: 本发明公开了一种电场静态偏置抑制银线的方法及装置。用待交换的带有掩膜的玻璃基片将盛有一部分含有银离子的熔盐的容器和盛有另一部分含有银离子的熔盐的另一容器彼此隔离;负电极插入容器的熔盐中,正电极插入另一容器的熔盐中,有掩膜的玻璃基片面朝向容器的熔盐;当负电极与正电极间加载了1~10V的电场时,由于掩膜表面有氧化层的存在,而熔盐在熔融状态下是良导体,因此在外加电场的情况下,掩膜下表面的电势高于无掩膜的电势,抵消了形成银线的电势差,从而抑制了银线的生成。本发明电场的静态偏置较好地抑制了银线的生成;实现方法简单易行。

    一种基于绕线形微碟可调谐光滤波器装置

    公开(公告)号:CN101241210B

    公开(公告)日:2011-02-16

    申请号:CN200810059997.2

    申请日:2008-03-07

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/34 G02B6/26 H04J14/02

    摘要: 本发明公开了一种基于绕线形微碟结构的可调谐光滤波器装置。包括部分绕线形微碟谐振腔,与微碟谐振腔缺口部分相连的光输入或输出直波导,在微碟谐振腔底部两侧分别设置光传输直波导,两光传输直波导的另一端与两个波导反射镜分别相连,两个波导反射镜之间用定向耦合结构连接或者MMI耦合结构连接,在光传输直波导上设置电极调制区域,或在微碟谐振腔上设置电极调制区域。绕线形微碟谐振腔和三角形波导镜面结构有机结合实现对波长快速选择。通过外加电光调制和结构扩展实现如滤波器、波长可选择光开关、激光器、功分器、调制器等器件。不同的调制区域便于灵活调制,实现不同功能需求。器件设计结构简单,尺寸小,易于集成和功能扩展。

    一种相变材料辅助的基于微环的光波导开关

    公开(公告)号:CN101866066A

    公开(公告)日:2010-10-20

    申请号:CN201010185796.4

    申请日:2010-05-28

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02F1/01

    摘要: 本发明公开了一种相变材料辅助的基于微环的光波导开关。包括微环波导谐振腔和与其耦合的两根直波导;相变材料置于除微环波导谐振腔和直波导耦合区域以外的微环波导谐振腔的表面,通过相变控制源控制相变材料状态改变,控制微环波导谐振腔的损耗,实现光波在两根直波导的波长选择开关。通过脉冲调节相变材料状态,使之在晶态和非晶态之间转换,继而实现光路的切换。它消除开与关的状态维持过程中的功耗,而仅仅在开与关的状态切换过程中有功耗从而降低耗能。利于器件的小型化和集成化,利于绿色和环保,适用于未来高速、高集成度、低功耗光通信网络。本发明作为一种构成光分叉复用和光交叉连接的低功耗光学器件,可广泛用于光通信系统。

    一种用于增强传感器灵敏度的复合光波导

    公开(公告)号:CN101776465A

    公开(公告)日:2010-07-14

    申请号:CN201010100251.9

    申请日:2010-01-25

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G01D5/26 G02B6/00

    摘要: 本发明公开了一种用于增强传感器灵敏度的复合光波导。包括下包层、条形限制区和传感层;在传感层从下至上依次设置平板形限制区和上包层;条形限制区折射率大于下包层的折射率;平板形限制区的折射率大于上包层的折射率;传感层折射率小于条形限制区和平板形限制区的折射率。本发明通过引入垂直于基片方向上的狭缝波导结构,与传统的基于倏逝波原理的集成光学光学传感器相比,增强了光导波与传感层的相互作用,提高了传感器的灵敏度。

    基于注氧技术的十字狭缝波导的制备方法

    公开(公告)号:CN101718890A

    公开(公告)日:2010-06-02

    申请号:CN200910154972.5

    申请日:2009-12-07

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/13

    摘要: 本发明公开了一种基于注氧技术的十字狭缝波导的制备方法,包括以下步骤:在绝缘体上硅片的顶层硅上形成第一SiO2层后使第一SiO2层的两侧被去除;将绝缘体上硅片的没有第一SiO2层保护的那部分顶层硅去除;将第一SiO2层的中段区域被去除;在顶层硅的内部氧化制作出一层第二SiO2层;在绝缘体上硅片的表面涂上一层光刻胶以保护绝缘体上硅片的绝缘层,再去除第二SiO2层,以使顶层硅的内部形成水平狭缝;除去保护绝缘层的光刻胶,在顶层硅上制作一层第三SiO2层,使第三SiO2层的中间区域被去除;在顶层硅的内部形成垂直狭缝;去除第三SiO2层的剩余的两侧区域,得到十字狭缝波导。本发明工艺简单可靠、稳定性高,无需偏振转换器和分离器,即可直接应用于光回路中。

    基于狭缝结构的硅光波导偏振分离器

    公开(公告)号:CN101546015A

    公开(公告)日:2009-09-30

    申请号:CN200910098259.3

    申请日:2009-04-30

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02B6/27

    摘要: 本发明公开了一种基于狭缝结构的硅光波导偏振分离器。包括输入结构,两根狭缝波导结构的分支臂和输出结构;三个结构依次相连,两根狭缝波导结构的分支臂的狭缝两侧以及输入结构中两根狭缝波导结构的分支臂之间的狭缝两侧的波导均为硅波导,狭缝中沉积二氧化硅,并以二氧化硅作为上包层。两根分支臂的宽度不对称。输入波导通过第一组模斑转换结构与分支臂前端相连。分支臂后端通过第二组模斑转换结构与输出波导相连。通过调节狭缝宽度和狭缝两侧的波导的宽度,不借助任何外加有源调制手段,实现偏振分离功能。本结构兼容于CMOS加工工艺。

    一种偏振无关磁光波导光隔离器

    公开(公告)号:CN101261372A

    公开(公告)日:2008-09-10

    申请号:CN200810060349.9

    申请日:2008-04-16

    申请人: 浙江大学

    IPC分类号: G02F1/095 G02B6/26

    摘要: 本发明公开了一种偏振无关磁光波导光隔离器。输入Y分叉波导分别接两个干涉臂的一端,在两个干涉臂之间填充第一层磁光薄膜,第一层磁光薄膜的上表面覆盖第二层磁光薄膜和第三层磁光薄膜,第二层磁光薄膜还覆盖在一个干涉臂的上表面,第三层磁光薄膜还覆盖在另一个干涉臂的上表面,两个干涉臂的另一端再与输出Y分叉波导连接,第一、二层磁光薄膜是回转矢量γ<0的磁光薄膜,第三层磁光薄膜是回转矢量γ>0的磁光薄膜,外加磁场方向与光传播方向垂直且与基片平面成(30°~60°)的角度。它利用了磁光非互易特性和所设计波导结构的偏振无关特性。本发明结构紧凑,工艺简单,设计灵活,功能性强等特点,可在光网络、光信息处理等方面应用。