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公开(公告)号：CN114493139A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111627483.4
申请日：2021-12-28
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 碳化硅基底的膜厚质量评估方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：S1∶选择碳化硅基底，在所述碳化硅基底上进行膜层生长；S2∶选择若干个测量角和波长范围，使用光谱椭偏仪测量相位变化和振幅衰减，根据评价函数MSE公式，得出MSE最小值；S3∶选定测量的若干位置，根据所述MSE最小值对应的测量角和波长范围，得出若干位置的膜厚di和评价函数MSEi；S4∶基于所述评价函数MSEi，得到权重系数Wi；S5∶根据公式计算并得到膜厚均值和膜厚均匀性。本发明通过评价函数和权重系数，计算得到膜厚均值和膜厚均匀性，精确、客观地反映了碳化硅基底上膜厚质量。
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公开(公告)号：CN114334639A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111565477.0
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/304 , B05C5/02 , B05C11/08 , B05C13/02
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶圆上涂敷胶体并划片取样的方法。通过在碳化硅晶圆或残片正面涂敷光刻胶等胶状材料，之后放入机械划片机划取需要的管芯、图形或位置。划取结束后去除表面光刻胶，以达到避免在机械划片过程中造成的碎屑，杂质，颗粒等物质残留在碳化硅晶圆图形表面和内部的目的。
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公开(公告)号：CN114300533A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111614241.1
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种栅氧结构和制备方法，包括SiC衬底层、氧化层、Al2O3层和高介电材料层，栅氧结构和制备方法氧化层设置在栅氧结构和制备方法SiC衬底层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层设置在氧化层上，栅氧结构和制备方法Al2O3层远离氧化层的一侧设置有高介电材料层，具有沟道迁移率高、栅极能量损耗小的优点，突破了传统栅氧结构的栅极容易漏电流的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114300350A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111614210.6
申请日：2021-12-27
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/28 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C16/40 , C23C16/50 , C23C16/56 , C23C28/00 , C23C28/04 , H01L29/51
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。
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公开(公告)号：CN114284341A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111562829.7
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法，该SIC肖特基二极管包括N+衬底，N+衬底上生长有N‑外延，N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极，N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽，终端沟槽内设有二氧化硅侧壁，终端沟槽内用多晶填充，正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区，使得终端截止不再依赖反型注入，降低了成本及工艺复杂程度，同时改善了终端电场局部集聚效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284223A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111295563.4
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明公开了一种用于嵌入式功率芯片散热的歧管式微通道结构，包括：歧管基板，微通道基板，冷却液进口，入口缓冲区，入口段，歧管进液通道，歧管出液通道。本发明采用歧管式微通道结构，缩短了冷却液在微通道中的流动长度，进而降低了冷却液的沿程流动阻力；利用热力入口段效应增强传热系数；采用HU进出口流型提高功率芯片表面均温性，减少热点发生，提高芯片表面的散热能力，进而可提高功率芯片的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN112201686B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202010935114.0
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区，其中在超级结器件的相同深度处，各个超级结之间的宽度等于或大于有源区边缘靠近终端的超级结与终端的侧壁之间的宽度。该终端包括宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该终端注入区包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区，其中下注入区的宽度小于上注入区的宽度。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN112420807B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202011215400.6
申请日：2020-11-04
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其终端，该半导体器件包括有源区和终端区，所述半导体器件包括位于有源区内的第一柱区、第二柱区和第一电介质柱区，以及位于终端区内的第一终端，所述第一终端包括第三柱区、第四柱区和第二电介质柱区，其中第一柱区和第三柱区均具有第一掺杂类型，第二柱区和第四柱区均具有第二掺杂类型，第三柱区宽度小于第一柱区宽度，第四柱区宽度大于或等于第二柱区宽度，第二电介质柱区宽度大于或等于第一电介质柱区宽度。本发明的结构在实现阻断时终端区呈现负电荷的基础上，调制了终端区负电荷的空间分布，实现了终端区更均匀的电场分布，最终提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN113675277A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111226425.0
申请日：2021-10-21
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种二极管及其制造方法，包括阴极层、阳极层和二极管本体，二极管本体包括两组以上的衬底层和两组以上的中间层，每两组衬底层之间设置有一组中间层，或每两组中间层之间设置有一组衬底层，二极管本体上开设有一组以上的沟槽，且沟槽贯穿所有中间层，沟槽的侧壁上设置有连接层，具有提高耐压性的优点，突破了二极管在低压下影响正常开通速度的瓶颈。
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