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公开(公告)号：CN100476022C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610154423.4
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/12 , C23C16/30 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。本发明制备方法简单，选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。
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公开(公告)号：CN100411694C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610049785.7
申请日：2006-03-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种制备有非晶态氧化物离子缓释表层的医用植入材料的方法，包括以下步骤：1)在冰水浴环境下将磷酸酯或部分酯化的磷酸混合物与含氟化合物混合，再在其中加入可溶于液态醇的钙盐，将混合液加热回流，加入含微量元素的盐形成溶胶；2)将金属基体在溶胶中浸泡，然后以浸渍提拉法或旋涂法在金属基体表面涂层，经烘干，于500℃～750℃下热处理。本发明方法工艺简单，所制备的医用植入材料具有独特的性能：一方面其氧化物组成溶解度极小，减小了由于表层溶解造成植入体失效的可能；另一方面，其非晶相组成使微量元素处于较高能的状态，从而有利于其缓慢释放，发挥促进细胞在其表面的吸附，以及蛋白质分泌、促进矿化等功能。
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公开(公告)号：CN101239515A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810059996.8
申请日：2008-03-07
Applicant: 浙江大学
IPC: B32B9/00 , B32B33/00 , B32B17/06 , H01L21/28 , H01L29/00 , C23C28/04 , C23C16/42 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/58 , B05D1/18
Abstract: 本发明公开的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜，在基板上自下而上依次沉积有硅化钛导电薄膜层，硅化钛导电纳米线层和电介质薄膜层。该薄膜可以采用磁控溅射沉积法或溶胶－凝胶法制备。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜将硅化钛导电纳米线植入介质薄膜内部，充分利用纳米线电极的巨大边缘电场，可在极低的调制电压下获得很高的可调性，比没有纳米线电极的介电可调薄膜的调制电压有了大大下降，仅为一般情况下的1/6～1/10以下。本发明的基于植入式纳米线电极的介电可调薄膜致密性好，缺陷少，损耗小。植入硅化钛导电纳米电极后的介电薄膜是一种高可调低损耗的高性能介电可调薄膜，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101224951A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810059843.3
申请日：2008-02-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明公开了一种纳米硅复合碳镀膜玻璃及其快速反应在线制备方法，纳米硅复合碳镀膜玻璃由玻璃基板和薄膜组成，该薄膜为纳米硅和纳米碳化硅复合非晶硅碳；其中，纳米硅、纳米碳化硅和非晶硅碳的体积百分比为40～45∶0～5∶50～60；本发明的纳米硅复合碳镀膜玻璃对可见光有较低的反射率，耐蚀耐磨，成本低；本发明的快速反应在线制备方法利用生产中的热能直接在玻璃软化温度区在线制备纳米硅复合镀膜玻璃，实现在线低能耗生产。
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公开(公告)号：CN100381394C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200610154667.2
申请日：2006-11-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/472 , C03C17/22 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯，醋酸铅，碳酸锶和碳酸镁为原料，乙二醇甲醚和醋酸为溶剂，配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液，采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理，然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单，制备的薄膜质量较好，显示了较高的介电可调性(介可调性可达35%到63%)，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1332243C
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN03150495.7
申请日：2003-08-18
Applicant: 浙江大学
IPC: G02F1/13 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1354 , G02F2001/1355
Abstract: 本发明公开了柱状结构纳米硅/非晶硅碳复合光导层液晶光阀及制备方法。它依次包括第一光学玻璃、第一透明导电膜、光导层、阻光层、介质反射层、第一液晶定向层、液晶层、第二液晶定向层、第二透明导电膜、第二光学玻璃组合而成；在第一透明导电膜上镀有由金属诱导层诱导制成的柱状结构纳米硅/非晶硅碳各向异性复合光导层。这种光导层材料，在可见光波段范围，其光/暗电导比为101～104，根据制备金属诱导层厚度的不同，光导膜的纵向电导率是横向电导率的2～10倍。光阀的分辨率达到500～1000lp/inch。本发明由于采用各向异性柱状结构光导膜，光导膜的横向电导率小于纵向电导率，使载流子的横向扩散减小，光导层的分辨率大大提高，液晶光阀的分辨率得到改善。
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公开(公告)号：CN101007888A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200710066934.5
申请日：2007-01-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开的聚偏氟乙烯－乙炔黑高介复合薄膜按体积百分比含有：重均分子量为40万的聚偏氟乙烯98.0％～99.0％，晶粒尺寸为50nm～100nm的乙炔黑1.0％～2.0％。采用将乙炔黑粉末和聚偏氟乙烯制成混合溶液，利用浸渍提拉法拉制聚偏氟乙烯－乙炔黑复合薄膜，再经过60℃～80℃下恒温热处理得到。本发明的薄膜介电性能优良，具有高介电常数(100KHz时介电常数约为56)和超低的介电损耗(小于0.15)，在低频下具有良好的频率稳定性。而且制备工艺简单，便于工业化生产，具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN1962454A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610154542.X
申请日：2006-11-07
Applicant: 浙江大学
IPC: C01G1/02 , C04B35/26 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开的镍锌铁氧体材料，其表达式为Ni0.5Zn0.5Fe2O4。制备步骤如下：按Ni0.5Zn0.5Fe2O4化学计量比取分析纯柠檬酸铁，硝酸锌，硝酸镍，并分别溶解在去离子水中，混合后加入分析纯柠檬酸，搅拌均匀，得到澄清的先驱体溶液；将先驱体溶液加热，使溶剂蒸发形成黑红色泡沫状物质，产生自燃烧，泡沫状物质膨胀，得到疏松的褐色粉末；将褐色粉末压制成型，烧结，即可。本发明制备工艺简单，所制得的镍锌铁氧体材料具有超高的直流电阻率和超低的介电损耗。采用自蔓延燃烧法制备镍锌铁氧体材料，避免了粉末的高温烧结过程，耗能低，合成时间短，产量高，无环境污染，适合大规模生产，颗粒尺寸分布均匀，性能稳定，因而具有良好的市场前景。
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公开(公告)号：CN1951869A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610154667.2
申请日：2006-11-14
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/47 , C04B35/472 , C03C17/22 , C04B41/87
Abstract: 本发明公开了一种高掺镁的钛酸锶铅高介电可调性薄膜材料的制备方法。以钛酸丁酯，醋酸铅，碳酸锶和碳酸镁为原料，乙二醇甲醚和醋酸为溶剂，配制溶胶先驱体。采用已配制的相关溶胶先驱体作为镀膜溶液，采用浸渍提拉法制备薄膜涂层。得到的涂层经烘干后在高温下快速热处理，然后烧结得到PSMT铁电薄膜。本发明工艺简单，制备的薄膜质量较好，显示了较高的介电可调性(介可调性可达35％到63％)，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1304328C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200510061081.7
申请日：2005-10-13
Applicant: 浙江大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种温度稳定型超高介电常数电子陶瓷材料及其制备方法。按晶粒尺寸为100nm～400nm的80%～99%的钛酸钡、颗粒度为40～200nm的1%～5%的乙炔黑和0%～15%的PbO-B2O3玻璃粉的比例混合后，在玛瑙研钵中研磨或者在球磨机中研磨，以压力为2～10MPa压制成型，该陶瓷材料的制备需要在真空或者保护气体的保护下进行。该材料在具有超高介电常数的同时具有优良的热稳定性，且成分简单，价格低廉，制备工艺简单。
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