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公开(公告)号：CN1944308B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200610154424.9
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/09
Abstract: 本发明公开的在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，采用的是射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，步骤如下：将玻璃基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以H2稀释的SiH4和CH4气体为反应气源，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比为0～1，二种气源在缓冲室混合后引入反应室中，射频辉光放电，在基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶硅碳合金薄膜中Si-C键含量高，薄膜均匀性好，光学带隙基本稳定于2.5eV左右，电导率高。沉积在玻璃基板上的氢化非晶硅碳合金薄膜可广泛用于有源矩阵液晶显示器的电子器件、太阳能电池、光敏晶体管、发光二极管和传感器等等。
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公开(公告)号：CN1958842A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610154423.4
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/12 , C23C16/30 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。本发明制备方法简单，选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。
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公开(公告)号：CN100476022C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610154423.4
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C23C16/513 , C23C16/448 , C23C16/12 , C23C16/30 , C23C16/56
Abstract: 本发明公开的Al/氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜的制备方法，先采用真空热蒸发法在基板上沉积Al膜，然后在同一反应室中采用电感耦合等离子体增强化学气相沉积法在Al膜上再沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。经过热处理，Al膜诱导非晶硅碳合金薄膜晶化。本发明制备方法简单，选用硅烷和甲烷作为反应气源，而无需采用昂贵的SiC晶体作为原料，且成分可以通过设定气体比例来控制；选用普通玻片、石英玻璃或Si片作为基板，可满足各种需求；采用射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶硅碳合金双层复合薄膜结构有序程度较高，薄膜质量较好，在Al的诱导下有利于非晶硅碳薄膜结晶性能提高。
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公开(公告)号：CN1944308A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610154424.9
申请日：2006-10-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C17/09
Abstract: 本发明公开的在玻璃基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜的方法，采用的是射频电感耦合等离子体增强化学气相沉积法，步骤如下：将玻璃基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以H2稀释的SiH4和CH4气体为反应气源，CH4/(CH4+SiH4)摩尔比为0～1，二种气源在缓冲室混合后引入反应室中，射频辉光放电，在基板上沉积氢化非晶硅碳合金薄膜。本发明制备方法简单，制得的氢化非晶硅碳合金薄膜中Si－C键含量高，薄膜均匀性好，光学带隙基本稳定于2.5eV左右，电导率高。沉积在玻璃基板上的氢化非晶硅碳合金薄膜可广泛用于有源矩阵液晶显示器的电子器件、太阳能电池、光敏晶体管、发光二极管和传感器等等。
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