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公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115820246A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211459965.8
申请日：2022-11-21
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽掺杂氧化镓荧光材料的制备方法及其应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGa1‑X)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值为8～9，然后将溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽掺杂氧化镓荧光材料。本申请的制备方法制备工艺较为简单，所制备材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光效果较好，可广泛应用于发光领域。
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公开(公告)号：CN115697034A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211448231.X
申请日：2022-11-18
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本申请提供一种阻变选择器及其制备方法，通过磁控溅射法在硅衬底上依次生长形成底电极、阻变层和顶电极，其中，底电极用于接地，阻变层作为介质层，在外加电场的作用下，薄膜材料能表现出两个不同的阻值，顶电极在电流作用下，通过氧化还原反应在薄膜内部形成导电细丝，从而使器件电阻发生跳变。本申请的制备方法简单，易操作，且所制备的器件具有循环次数高、开启电压低、散布性低、无电铸等优点。
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公开(公告)号：CN115684028A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211348266.6
申请日：2022-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供了一种基于双金属和双偏振的多通道SPR光纤传感器。所述传感器对光纤四周进行抛磨，形成对称四通道，在所抛平面分别涂覆上金属膜(金膜或银膜)，并在所抛平面和金属膜之间加入TiO2层或Ta2O5层。本发明利用偏振控制器来控制产生双偏振(X偏振或Y偏振)光，偏振光与不同金属之间产生的SPR效应用来检测待测介质折射率，从而实现四通道传感检测。本发明的优点是：双偏振可以减少不同偏振下各通道间的检测干扰，双金属可以减少同一偏振下各通道之间的检测干扰，从而整体实现低干扰的多通道同时检测；TiO2层和Ta2O5层提升传感器检测灵敏度。该传感器设计新颖，可同时检测多种待测介质，抗干扰性强，灵敏度高，具有良好传感特性。
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公开(公告)号：CN113659074A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110790769.8
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器及制备方法，将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113483792A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110752013.4
申请日：2021-07-03
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了可见光到近红外双波段内嵌椭圆谐振腔传感器，该传感器由输入输出的波导，矩形腔和椭圆环形谐振腔组成，其中波导的宽度为w，矩形谐振腔与输入输出波导之间的耦合距离为g，矩形谐振腔的宽度和高度分别为q和h，矩形谐振腔和椭圆环形谐振腔的耦合距离为g1，椭圆环形谐振器的外椭圆长轴长度和短轴长度为A1，B1，内部椭圆长轴长度和短轴长度为a1，b1。光波在波导中传输时，通过矩形腔与椭圆环形谐振腔的耦合，产生Fano共振，改变结构中的几何参数和介质的折射率后，使Fano共振谱线偏移。本发明可以实现从可见光到近红外波段的双通道调控，并且可以获得较高的灵敏度和品质因数(FOM),计算的灵敏度和品质因数最高为1075nm/RIU和91914。该发明提供的结构易与其他光子器件集成，研究结果可以为这种结构的未来应用提供指导。
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公开(公告)号：CN113241406A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110481388.1
申请日：2021-04-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种二维材料阻变存储器及其制备方法，相比于化学气相沉积制备的阻变存储器具有制备方便和对设备没有依赖性等优势，对于滴铸、旋涂等方法制备的阻变存储器又具有均匀性好，重复性好，制备简单等优势。利用本发明所述方法制备的二维材料阻变存储器所展示了6个数量级的开关比，相比于其他传统材料在几十纳米以下表现出的2到3个数量级具有明显优势，并且高于基于滴铸法和旋涂法制备的二维材料阻变存储器所展示的4到5个数量级，在制备简单、对设备依赖性不高的情况下能够达到与化学气相沉积所制备的二维材料阻变存储器(7个数量级)相似的开关比，在这样的高开关比下阻变存储器还具有着多级储存的潜力。
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公开(公告)号：CN215578613U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121590974.1
申请日：2021-07-13
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种平面型十字交叉阵列结构的阻变存储器，所述底电极于所述凹槽的内底壁，所述第一电阻转变层位于所述底电极的顶端，所述第二电阻转变层位于所述第一电阻转变层的顶部，所述顶电极位于所述第二电阻转变层的顶部。将所述底电极、所述第一电阻转变层和第二电阻转变层置于所述绝缘基底的所述凹槽中，解决了采用普通的十字交叉阵列的阻变器存在的边缘效应问题。通过对所述底电极图案化修饰，并凭借所述第一电阻转变层和所述第二电阻转变层，相比于单层阻变层，能有效改善器件的电学性能，开/关阈值电压明显减小、电压的数值分布显著集中，并且数据保持能力以及电阻切换速度相对提升，提高了可靠性。
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公开(公告)号：CN214705975U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121115463.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种具有多值储存功能的阻变存储器结构，通过在所述顶电极和所述底电极间设置有若干个上圆锥金属图案和下圆锥金属图案，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案均为圆锥体设置，所述上圆锥金属图案和所述下圆锥金属图案圆锥的尖端的朝向相互对峙，同时在所述阻变介质层的中部插入所述金属插层，所述金属插层将所述阻变介质层间隔出距离相等或不等的上下层，当在所述底电极和所述顶电极上加载电压时，通过调节对阻变存储器的电压数值，调整所述阻变介质层内导电细丝的生成情况进而形成三种不同阻态，从而实现多值储存的功能，提高阻变存储器存储密度。
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公开(公告)号：CN214705974U
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202121100659.6
申请日：2021-05-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本实用新型公开了一种阻变存储器结构，其结构由顶电极、阻变介质层和底电极组成，所述顶电极具有指向底电极的锥形结构，所述底电极具有指向顶电极的锥形结构，所述顶电极与底电极锥形结构之间保持一定距离，此结构下的忆阻器具有减小阻变存储器SET及RESET电压的效果，在加载电压后，尖端位置对应的电场强度最高，适合导电细丝的形成，抑制了导电细丝形成的随机性，解决了现有技术中的导电细丝型阻变存储器中阻变介质层导电细丝形成随机且不集中的技术问题。
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