公开(公告)号：CN102351535B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN103145417A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310089382.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  彭铃 ,  顾正飞 ,  成钢 ,  马垒 ,  饶光辉

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能低成本铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，它是以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Al2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3–xAlFeO3–yLiSbO3，其中0＜x≤0.5，0≤y≤0.1，进行配料，经传统制陶工艺烧制而成的陶瓷新产品。本发明提供的无铅压电材料具有低成本、低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的x、y值及工艺参数，烧结温度在950℃-1000℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷的综合性能良好。

公开(公告)号：CN102351535A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351533A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197549.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  崔业让 ,  江民红 ,  胡耀斌 ,  袁昌来

IPC: C04B35/49 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低温烧结高压电性能的锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷及其制备方法，其特征是：锆钛酸钡钙基无铅压电陶瓷的化学组成通式为：(1-x)(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-XMαOβ其中:0＜x＜0.01，MαOβ表示氧化物，α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和氧的原子数；其M为Ce、Sm、Yb、Nd中的一种或几种元素，以(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3为基体，以MαOβ为助烧剂，经传统制陶工艺烧制而成。本发明(Ba0.85Ca0.15)(Zr0.9Ti0.1)O3-MαOβ无铅压电陶瓷，具有低烧结温度、优良的压电性能及综合性能。通过选择适当的配方及工艺参数，烧结温度在1300-1350℃适合于工业烧结温度，均可使该体系的陶瓷各项性能良好。

公开(公告)号：CN101423391B

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3-xLiSbO3-yBiFeO3，其中0≤x≤0.1，0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。

公开(公告)号：CN101423391A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200810073906.0

申请日：2008-11-12

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  江民红 ,  陈国华

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种新型铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其主要特征是：以Na2CO3、K2CO3、Nb2O5、Li2CO3、Sb2O3、Bi2O3和Fe2O3为原料，按照化学式(1－x－y)(K0.5Na0.5)NbO3－x LiSbO3－yBiFeO3，其中0≤x≤0.1， 0≤y≤0.05进行配料，用传统制陶工艺制成的陶瓷新产品。通过选择适当的x、y值及工艺参数，可使该体系的压电常数d33达250pC/N以上，平面机电耦合系数kp可达0.51以上，居里温度在365℃以上，200℃以下介电损耗(tanθ)低于3％，400℃以下介电损耗(tanθ)低于7％，烧结温度在1130℃以下。

公开(公告)号：CN206718213U

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201720450535.8

申请日：2017-04-27

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  韩胜男 ,  金琦

IPC: B28D7/04

Abstract: 本实用新型公开了一种小尺寸单晶定向夹具，包括固定板、上下底板、上承载轴、定位销、耳板、粘晶杆、下旋转芯。单晶定向夹具实现粘晶杆绕其中心轴作360º旋转、作左右水平移动、旋转以及定位功能。定向夹具由两侧固定板将上下底板固定，上承载轴和下旋转芯构成夹具的旋转、水平移动装置，中间固定配合粘晶杆。上底板的上表面以及下底板的前面都均布螺纹孔，其作用是当移动装置到达相应部位时的固定。定位销通过螺纹与上承载轴相连接，并与粘晶杆相接触，定位销既可实现定位功能，又可实现固定粘晶杆的作用。本装置具有结构简单、操作方便、安全可靠、适用于实验室制备和研究小尺寸的单晶进行定向处理和测试的优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN207606276U

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201721816994.X

申请日：2017-12-22

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 成钢 ,  杜玉松 ,  霍建军 ,  周良 ,  李林 ,  饶光辉 ,  马垒 ,  江民红

IPC: B22F3/03 ,  B22F3/02

Abstract: 本实用新型属于防氧化模具技术领域，公开了一种真空防氧化凹模，设置有真空波纹管和密封底座，实现压制过程中粉体材料在与大气隔离，实现防氧化的目的；与普通模具相比，O形橡胶圈起到真空密封作用，并在底座上开6个圆孔，密封底座用螺丝固定在凹模的底面上。本实用新型实现了压制成型过程中易氧化粉体材料与大气的隔离，使得粉体材料不易被氧化。与现有技术相比减少了氩气90％的使用量，节约了95％的成本、节省了90％的实验室空间。本实用新型可独立使用，操作简便，成本低廉，体积小巧。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利