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公开(公告)号：CN101150079B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710036057.7
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近的圆心方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。脱模装置机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构。脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。
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公开(公告)号：CN100547789C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710163585.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n-型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN100426523C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、栅电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述栅电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN101150079A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710036057.7
申请日：2007-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体元件芯片灌胶后的脱模方法及装置机构，在半导体元件芯片台面灌胶模具的上模和下模上分别设置脱模应力分散机构，通过脱模应力分散装置机构使半导体元件芯片在台面灌胶处理后脱模。其方法可以是在台面灌胶模具的上模和下模模芯中，靠近的圆心方向，分别设置一圈与芯片呈同心圆的软体支撑环，通过软体支撑环在压缩空气的推动下间接推动芯片脱模。脱模装置机构是在半导体元件芯片台面灌胶模具中设置有脱模应力分散机构。脱模应力分散机构是一种芯片表面应力分散机构，芯片表面应力分散机构设置在芯片与脱模压缩空气之间，脱模压缩空气通过芯片表面应力分散机构与芯片发生相关联，即芯片是在芯片表面应力分散机构的推动下脱模的。
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公开(公告)号：CN101145519A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035980.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 半导体芯片局部电子辐照方法及装置，将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理，在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分，设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块，遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101123225A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710035712.7
申请日：2007-09-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。
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公开(公告)号：CN1933152A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610032312.6
申请日：2006-09-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/02 , H01L27/082 , H01L21/82 , H01L21/8222
Abstract: 集成门极换流晶闸管中阴极图形的排布方法，阴极梳条采取分区复合方式排布：结合圆周排布和矩形排布各自的优点，在分区内部采用矩形排布，而各个分区之间仍按圆周排布。分区的方式各不相同，有些还充许局部修改梳条的位置或尺寸。所述的分区复合方法是：分区由扇区和环道两重分割形成，其中，所述的分区是一个等腰梯形区，它是梳条的基本排布单元；所述的扇区是将圆面沿径向等分为m个相同面积的扇形区，当m较较低时，接近于矩形排布；当m较高时，接近圆周分布。所述的环道是将圆面按正多边形划分为n个不同面积的同心环形区，这个值与芯片直径和梳条长度的选取有关；n越大，梳条总数越多，对电流有益。
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公开(公告)号：CN201174378Y
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200720064858.X
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶模具，所述的灌胶模具是一种金属与塑料复合结构的模具，模具包括下模和上模，下模和上模的模芯与模座是一个整体件，且模芯是由金属材料与塑料软体材料复合结构构成的。模芯的机体为金属材料，模芯的机体与模座是连接在一起的金属材料一体结构，在模芯的机体的外表覆盖有一层塑料软体材料，其塑料软体材料可以是喷镀或刷镀在模芯的机体金属材料表面上的，塑料软体材料可以是氟树脂(FR)类工程塑料，如聚四氟乙烯塑料等，也可以是尼龙(PA)类工程塑料，如尼龙66、PPA、PA6T等。
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公开(公告)号：CN200962424Y
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200620052551.3
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述门电极为门极管，两根或两根以上的门极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本实用新型是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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公开(公告)号：CN201084711Y
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200720064503.0
申请日：2007-09-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/306 , C23F1/08 , C23F1/02
Abstract: 半导体芯片串压腐蚀的芯片夹持装置，包括芯片、隔片及压紧机构，其中芯片和隔片采取一片芯片一片隔片串接式排列在一起，并由压紧机构把串接式排列在一起的芯片和隔片组件压紧成一体。所述的隔片为单面防护式串压腐蚀隔片，由能抗酸的塑料或橡胶制成，其尺寸形状需与芯片相配套。隔片的两面为不等直径的环状面；其中，直径大的一面为台面防护面，其直径等于芯片的外径，紧贴在芯片不需要腐蚀的一面，以保证所覆盖的芯片台面在腐蚀过程中不会受到酸腐；直径小的一面为台面腐蚀面，其直径小于芯片的直径，紧贴在芯片台面需要腐蚀的一面，使芯片的台面外露，以保证所外露的芯片台面能受到酸腐。工作时将芯片夹持装置置于“浸泡式酸腐蚀”设备中使用。
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