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公开(公告)号：CN115516689A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202180033408.7
申请日：2021-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0569 , H01G11/06 , H01G11/60 , H01M10/052
Abstract: 本发明的一个方式提供一种二次电池，该二次电池在较广的温度范围内可用而不容易受到环境温度的影响。此外，提供一种安全性高的二次电池。为了降低电极与电解质的界面电阻，使用混合高温特性优异的链状酯与5vol.％以上，优选为20vol.％以上的氟代碳酸酯而成的电解质，由此可以实现在较广的温度范围，具体为‑40℃以上且150℃以下，优选为‑40℃以上且85℃以下的范围内可工作的二次电池。
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公开(公告)号：CN114883535A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210106477.2
申请日：2022-01-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/36 , H01M4/525 , H01M10/0525
Abstract: 提供一种新颖的正极活性物质的制造方法、二次电池及车辆。该制造方法包括如下步骤：混合包含镍、钴及锰的水溶液与包含第一添加元素的水溶液来制造酸溶液；使上述酸溶液与碱溶液起反应来形成包含镍、钴、锰及第一添加元素的复合氢氧化物；混合复合氢氧化物与锂源而进行第一加热，来形成复合氧化物；以及混合复合氧化物与第二添加元素源而进行第二加热，其中，第一添加元素为选自镓、硼、铝、铟、镁和氟中的至少一个，并且，第二添加元素为选自钙、镓、硼、铝、铟、镁和氟中的至少一个。
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公开(公告)号：CN114730698A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080079074.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种半导体元件的特性预测系统。半导体元件的特性预测系统包括存储部、输入部、处理部及运算部，处理部具有从容纳在存储部中的第一数据生成学习用数据组的功能、根据从输入部供应的第二数据生成预测用数据的功能、将定性数据(材料的名称或组成式)转换为定量数据(元素的特性及组成)的功能以及对第一数据及第二数据进行抽出或去除的功能，第一数据包含第一半导体元件至第m(m为2以上的整数)半导体元件的工序一览表以及第一半导体元件至第m半导体元件的特性，第二数据包含第m+1半导体元件的工序一览表，运算部具有进行监督学习的学习及推导的功能，由此基于学习用数据组进行学习并从预测用数据推导出半导体元件的特性。
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公开(公告)号：CN112635681A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011306622.9
申请日：2016-12-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、显示装置、电子设备及照明装置。本发明提供一种发光装置，其包括：第一电极；第二电极；以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的多个层，所述多个层包括发光层，其中，所述发光层包括第一有机化合物和客体材料，所述第一有机化合物具有含氮六元芳杂环骨架，在所述发光层中，含有具有NH基的含氮五元杂环骨架与所述第一有机化合物的重量比大于0.001且为0.03以下，并且所述客体材料在400nm以上且580nm以下的波长范围内具有发光峰值。
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公开(公告)号：CN112086567A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010504495.7
申请日：2020-06-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种新颖的发光器件。另外，提供一种发光效率良好的发光器件。另外，提供一种寿命良好的发光器件。另外，提供一种驱动电压低的发光器件。本发明的一个方式提供一种发光器件，包括阳极、阴极及阳极与阴极之间的EL层，其中，EL层包括空穴注入层、发光层及电子传输层，空穴注入层位于阳极与发光层之间，电子传输层位于发光层与阴极之间，空穴注入层包含第一物质及第二物质，第一物质是具有空穴传输性且其HOMO能级为‑5.7eV以上且‑5.4eV以下的有机化合物，第二物质是对第一物质呈现电子接收性的物质，并且，电子传输层使用在使电流流过时电阻值变小的材料构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342369B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710762934.2
申请日：2012-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D209/86 , C07D239/26 , C07D241/12 , C07D333/76 , C07D409/10 , C07D471/04 , C07F15/00
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件。本发明提供一种寿命长的发光元件。本发明提供一种发光元件，其包括：一对电极之间的包含磷光化合物、第一有机化合物以及第二有机化合物的发光层，其中，第一有机化合物和第二有机化合物的组合形成激基复合物。该发光元件由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠进行能量转移，所以能量转移效率高。因此，可以实现外部量子效率高的发光元件。
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公开(公告)号：CN105793957B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201480067374.3
申请日：2014-12-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 目的之一是提供一种新颖的剥离方法及新颖的剥离装置。一种剥离方法，包括：在衬底上形成分离层的第一工序；在分离层上形成被分离层的第二工序；将被分离层的一部分从分离层分离来形成剥离起点的第三工序；以及利用剥离起点将被分离层从衬底剥离的第四工序。在第四工序中，衬底温度高于或等于60℃且低于或等于90℃。
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公开(公告)号：CN107305926A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710263394.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L27/3213 , H01L27/322 , H01L27/323 , H01L27/3244 , H01L27/3281 , H01L51/0085 , H01L51/5004 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L2251/552
Abstract: 提供一种发射光谱较宽的发光元件。第一有机化合物和第二有机化合物组合而形成激基复合物，第一有机化合物具有将三重激发能转换为发光的功能，第二有机化合物的最低三重激发能级为第一有机化合物的最低三重激发能级以上，第一有机化合物的最低三重激发能级为激基复合物的最低三重激发能级以上，并且发光层的发光包括第一有机化合物的发光和激基复合物的发光。
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公开(公告)号：CN103380509B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280009003.0
申请日：2012-02-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5016 , C09K11/025 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1044 , C09K2211/185 , H01L51/0052 , H01L51/0056 , H01L51/0058 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0074 , H01L51/0085 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5092 , H01L51/5218 , H01L51/5234 , H01L2251/55 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种外部量子效率高的发光元件，或者提供一种寿命长的发光元件。该发光元件包括位于一对电极之间的包含客体材料及主体材料的发光层，其中主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠，并且通过将主体材料的激发能量转换为客体材料的激发能量，来发射磷光。由于通过利用主体材料的发射光谱与客体材料的吸收光谱的重叠，顺利进行从主体材料到客体材料的能量转移，所以该发光元件的能量转移效率很高。从而，可以实现外部量子效率高的发光元件。
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公开(公告)号：CN102655222B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210057926.5
申请日：2012-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0059 , H01L51/0067 , H01L2251/5384 , H01L2251/552
Abstract: 本发明的课题是提供一种外量子效率高的发光元件。本发明提供一种发光元件，包括：一对电极之间的包含客体、n型主体、p型主体的发光层，其中，从客体的三重激发态与基态之间的能量差减去n型主体(或p型主体)的三重激发态与基态之间的能量差而求得的值为0.15eV以上。在该发光元件中，由于不容易发生从三重激发态的客体到n型主体(或p型主体)的三重激发态的转移，所以高效地进行从处于三重激发态的客体的发光。或者，本发明还提供一种发光元件，其中，n型主体的LUMO能级比客体的LUMO能级高0.1eV以上或p型主体的HOMO能级比客体的HOMO能级低0.1eV以上。该发光元件在客体内高效地发生电子与空穴的复合，从而可以提高发光效率或外量子效率。
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